兆易创新深度报告：存储+MCU国内龙头，端侧AI与国产替代共驱增长

证券研究报告电子行业|公司深度研究报告存储+MCU国内龙头，端侧AI与国产替代共驱增长兆易创新深度报告——李珏晗S1190523080001证券分析师：分析师登记编号：张世杰S1190523020001证券分析师：分析师登记编号：2025/12/23P2请务必阅读正文之后的免责条款部分 守正 出奇 宁静 致远报告摘要全球领先Fabless芯片供应商，“感存算控连”多元布局。公司是全球领先的Fabless芯片供应商，在传统优势业务Flash的基础上，持续推进MCU、利基型DRAM、传感器及模拟芯片业务领域新产品线，通过外延并购和内部孵化等方式，新业务加速发展，形成“感存算控连”多元布局。受益下游需求回暖和海外大厂退出利基市场的机会，存储市场迎来周期向上，公司存储产品量价齐升，25年前三季度实现收入68.32亿元，同比增速20.92%，归母净利润10.83亿元，同比增速30.18%。端侧AI驱动NOR Flash市场规模扩容，公司NOR Flash市场份额跃升至全球第二。根据弗若斯特沙利文数据，NOR Flash市场全球规模24年28亿美元，同比增速27%，预计在29年增长至42亿美元，年复合增速8.4%，主要得益于消费类终端设备如智能手机、PC、可穿戴、智能家居等AI化转型，以及新应用场景如AI眼镜落地和汽车三化推进。公司产品覆盖512Kb到2Gb的容量范围，支持等多种供电类型，为率先实现45nm节点SPI NOR Flash大规模量产的公司之一，24年以18.5%的市场份额跃升至全球第二、内地第一。利基型DRAM供给端格局优化，定制化存储打开成长空间。为应对高性能计算对HBM、DDR5和LPDDR5产品的爆发性需求，三星、SK海力士、美光等海外原厂逐步退出DDR3市场，同时大幅削减DDR4等利基型产品的产能分配，海外大厂的退出为供给端带来缺口，国产厂商迎来历史性机遇。公司利基型DRAM产品线基本铺齐，DDR4 8Gb较快抢占份额，自研LPDDR4系列预计26年实现量产。伴随存储进入周期上行区间，公司产品迎来量价齐升，利基型DRAM业务有望成为第二大产品线。同时，公司前瞻性布局定制存储，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，26年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。P3请务必阅读正文之后的免责条款部分 守正 出奇 宁静 致远报告摘要盈利预测与投资建议：预计2025-2027 年营业总收入分别为94.23、119.46、149.62亿元，同比增速分别为28.09%、26.78%、25.25%；归母净利润分别为17.76、25.29、31.68亿元，同比增速分别为61.08%、42.38%、25.29%，对应25-27 年PE 分别为82X、57X、46X，维持“买入”评级。风险提示：下游需求不及预期风险；行业竞争加剧风险；地缘政治风险。图表1：盈利预测资料来源：携宁，太平洋证券P4请务必阅读正文之后的免责条款部分 守正 出奇 宁静 致远目录Ⅰ全球领先Fabless芯片供应商，“感存算控连”多元布局Ⅱ端侧AI驱动NOR规模扩容，公司份额跃升至全球第二Ⅲ利基型DRAM供给端格局优化，定制化存储打开成长空间Ⅳ盈利预测与投资建议P5请务必阅读正文之后的免责条款部分 守正 出奇 宁静 致远1.1 公司概况：全球领先Fabless芯片供应商➢全球领先的芯片设计公司，“感存算控连”布局不断深化。公司于05年创立，于16年上市，是全球领先的Fabless芯片供应商，主营产品包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片和传感器芯片，以及完整的系统及解决方案等。公司08年发布国内首颗SPI NOR Flash，打破海外垄断格局；公司13年发布Arm® Cortex® M3 32-bit MCU，构建存储器+微控制器双轮驱动格局；公司19年收购上海思立微，切入传感器赛道，同年SPI NOR Flash产品通过AEC-Q100车规认证；公司24年收购苏州赛芯，补强模拟芯片业务，形成从单一产品线到存储+微控制器+传感器+模拟的完善产品线矩阵。图表2：公司发展历程资料来源：公司官网，公司公告，太平洋证券05年成立08年发布国内首颗SPI NOR Flash13年发布Arm® Cortex® M3 32-bit MCU16年上交所上市19年收购思立微；发布全球首颗RISC-V內核32-bit MCU21年发布24nm SLC NAND Flash；推出首顆DRAM DDR 424年取得苏州赛芯的控股权P6请务必阅读正文之后的免责条款部分 守正 出奇 宁静 致远1.2 主营业务：“感存算控连”多元布局，下游应用领域广泛➢公司深耕存储芯片多年，产品覆盖NOR Flash、NAND Flash和利基型DRAM。公司是国内首家SPI NOR Flash容量覆盖512Kb至2Gb完整产品线的厂商，电压覆盖至1.2V低电压和超低功耗模式，NOR业务24年全球第二、国内第一，市场份额18.05%，并在25年率先实现45nm节点大规模量产。公司NAND产品主要为SLC NAND，应用于工控、汽车电子、通信设备等。公司利基型DRAM产品包DDR3L/DDR4/LPDDR4等，容量覆盖1Gb至8Gb，份额在全球市场加速成长，应用于机顶盒、电视、网络通讯、智慧家庭装置、智能可穿戴、信息娱乐等领域。图表3：存储产品资料来源：公司官网，公司公告，太平洋证券存储器NOR•容量范围覆盖从512Kb到2Gb，满足不同市场和应用场景的需求，支持多种供电电压类型，包括3V、1.8V、1.65V~3.6V、1.8V VCC & 1.2V VIO、以及1.2V，提供高性能、低功耗、高可靠性与小封装等高度可定制特性，适配各类嵌入式系统需求。•针对汽车应用，GD25/55系列车规级Flash已通过AEC-Q100认证，并符合ISO 26262:2018 ASIL D功能安全标准。 NAND•13年率先推出低引脚数的8脚SPI NAND Flash，现已形成完善的产品线。 •Parallel NAND Flash涵盖1Gb至8Gb四个容量范围，支持3V和1.8V供电，提供x8及x16 I/O接口选择，封装形式包括主流的TSOP48和BGA63。 DRAM•DDR3L兼容1.5V/1.35V电压供电，读写速率为1866Mbps，最高可达2133Mbps，能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16数据接口。•DDR4采用1.2V低电压供电，读写速率为2666Mbps，最高可达3200Mbps， 能提供4Gb/8Gb容量， x8/x16数据接口。•LPDDR4X产品，电压兼容1.8V/1.1V/0.6V，读写速率可高达4266Mbps，容量覆盖2GB/3GB/4GB。P7请务必阅读正文之后的免责条款部分 守正 出奇 宁静 致远1.2 主营业务：“感存算控连”多元布局，下游应用领域广泛➢公司微控制器、模拟、传感器产品线多维拓展。公司是国内微控制器行业龙头，业务主要包括ARM和RISC-V内核的32位通用MCU产品，下游应用覆盖工业（工业自动化、能源电力及医疗设备等）、消费电子及手持设备、汽车电子（汽车导航、T-BOX、汽车仪表、汽车娱乐系统等