北交所行业主题报告：光刻胶+原材料壁垒突破，“专精特新”企业助力国产替代加速

北交所行业主题报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 / 36 2024 年 08 月 29 日 《5G-A+6G 拓展民用领域业务增量，2024H1 商业卫星增长迅速达到 45%—北交所信息更新》-2024.8.28 《三聚甲醛项目建成投产，来特莫韦获批上市丰富原料药产品线—北交所信息更新》-2024.8.28 《新能源车发展激发执行机构类业务加速释放，2024H1 归母净利润+20%—北交所信息更新》-2024.8.28 光刻胶+原材料壁垒突破，“专精特新”企业助力国产替代加速 ——北交所行业主题报告 诸海滨（分析师） zhuhaibin@kysec.cn 证书编号：S0790522080007  光刻胶是光刻工艺关键材料，半导体光刻胶原材料+制造技术壁垒高 光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模板转移到待加工基片上的图形转移介质。光刻胶按应用领域分类可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术壁垒最高。根据曝光波长的不同，半导体光刻胶可分为 G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV 五种类型。光刻胶曝光波长越短，则加工分辨率越高，能够形成更小尺寸和更精细的图案，目前最先进的光刻胶曝光波长已经达到了极紫外光波长范围为 EUV 光刻胶。半导体光刻胶技术壁垒主要集中于 1）原材料端：光刻胶的原材料包括树脂、光酸、添加剂和溶剂，我国原材料自给率总体较低，特别树脂原材料，成本占比接近 50%，且高端树脂国产化量产供应量极低。2）制造端：光刻胶的配方复杂，无法通过现有产品反推配方；同时验证周期长，需要与客户高度协同；此外，高端光刻机设备购置及维护成本高，对光刻胶企业设备投入要求较高。  中国晶圆厂建设加速+芯片制程提升，驱动半导体光刻胶市场空间快速增长 全球半导体制程向着更先进、更精细化方向发展，驱动半导体制造对光刻胶需求增长。KrF 光刻胶：随着 3D NAND 堆叠层数迅速增加，对光刻胶的使用量也将大幅提升；ArF 光刻胶：主要用于先进制程的多重光刻工艺，其用量也随着市场对先进工艺产品的需求不断增长； EUV 光刻胶：先进制程道次的增加，推动其使用量将大幅增加。截至 2023 年 11 月，中国晶圆厂已建成 44 座，预计至 2024年底，将建立 32 座大型晶圆厂，且全部锁定成熟制程。预计 2024-2026 年中国大陆半导体光刻胶总体需求量增速将快速复苏，达到 12.04%、11.50%和 7.71%。  半导体光刻胶+原材料壁垒突破，“专精特新”企业助力国产进口替代加速 我国光刻胶行业发展起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶等中低端产品，高端半导体光刻胶被美日企业垄断。北交所作为“专精特新”中小企业的主阵地，新三板作为“专精特新”中小企业的重要后备力量，光刻胶领域聚集了一批具备稀缺性的优质公司，在细分领域上通过半导体光刻胶+原材料壁垒突破，助力光刻胶实现国产替代。佳先股份：子公司英特美实施建设年产 700 吨电子材料中间体项目，其中对乙酰氧基苯乙烯产能为 500 吨/年，可用于合成 KrF 和 EUV 光刻胶树脂主要成分聚对羟基苯乙烯；此外，公司加强同徐州博康的交流，并在此前达成的战略合作意向的基础上，进一步深化合作。2024Q1 实现营收 1.47 亿元（+18.43%），归母净利润 1091.03 万元（-0.07%）。瑞红苏州：公司是目前我国唯一一家拥有全系列波长（436/365/248/193nm）光刻机研发平台的光刻胶生产企业。KrF、ArF 光刻胶生产及测试线已经建成，KrF 光刻胶部分品种已量产。截至 2023 年末公司已有多款 ArF 高端光刻胶在研并送样，多款 KrF 光刻胶批量出货半导体客户。2023 年实现营收 2.46 亿元（+9.10%），归母净利润 2639.58万元（-22.91%）。  风险提示：原材料波动风险、市场竞争风险、国际贸易争端风险。 相关研究报告 北交所研究团队 北交所研究 北交所行业主题报告 开源证券 证券研究报告 北交所行业主题报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2 / 36 目 录 1、 光刻胶是光刻工艺关键材料，原材料+制造技术壁垒高 ...................................................................................................... 4 1.1、 光刻胶是光刻工艺关键材料，半导体光刻胶技术壁垒高 .......................................................................................... 4 1.2、 原材料：半导体光刻胶原材料性能要求高，技术难度大，依赖进口 ...................................................................... 9 1.3、 制造端：配方复杂+认证周期长+设备投入大，光刻胶制造高壁垒 ....................................................................... 14 2、 中国晶圆厂建设加速+芯片制程提升，光刻胶市场空间广阔............................................................................................. 17 2.1、 半导体芯片制程提升，驱动光刻胶用量增长 ............................................................................................................ 17 2.2、 中国晶圆厂建设加速，驱动我国光刻胶需求进一步复苏 ........................................................................................ 20 3、 半导体光刻胶+原材料壁垒突破，国产进口替代加速 ........................................................................................................ 23 3.1、 美日企业垄断光刻胶市场，国产替代加速突破 ........................................................................................................ 23 3.2、 佳先股份：布局光刻胶上游原材料，助力树脂国产突破 ...............................................................