电子行业专题报告-存储专题跟踪：HBM引领AI存力扩容，产品切换加剧产能紧缺！

行 业 研 究 2024.04.05 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 子 行 业 专 题 报 告 存储专题跟踪：HBM 引领 AI 存力扩容，产品切换加剧产能紧缺！ 分析师 郑震湘 登记编号：S1220523080004 佘凌星 登记编号：S1220523070005 行 业 评 级 : 推 荐 行 业 信 息 上市公司总家数 508 总股本(亿股) 4,935.29 销售收入(亿元) 52,017.61 利润总额(亿元) 3,126.79 行业平均 PE 39.75 平均股价(元) 27.31 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来源：wind 方正证券研究所 相 关 研 究 《电子周专题：AI 浪潮翻滚，国产厂商机遇良多》2024.03.25 《AMD 全面赋能 AI 应用生态圈，AI PC 时代已至》2024.03.25 《芯片功耗提升，散热重要性凸显》2024.03.13 《MWC 2024：科技巨头加速布局，AI 硬件创新不止》2024.03.02 存储产品价格持续上涨。现货价格来看，Nand Flash Wafer 价格持续上扬。以 1Tb Flash Wafer 为例，2023 年 3 月 13 日的现货均价 2.78 美元，到2024 年 3 月 18 日上升至 6.39 美元,涨幅达 98.4%。DRAM 价格同样全线上涨，以 DDR5 16G(2Gx8)4800/5600 为例，最新现货均价为 4.69 美元，较 24年 1 月 2 日上涨 10.4%。我们预计随着 AI 等领域对高性能计算的需求，DDR5产品有望迎来量价齐升。合约价来看，TrendForce 预计 24Q2 NAND Flash合约价格将大幅上涨 13%-18%，其中企业级 SSD 涨幅最高，达 20-25%。DRAM Q2 合约价预计季增 3-8%。4 月 3 日中国台湾花莲海域地震，从 FAB 厂分布来看，除台积电、联电两大 Foundry 外，中国台湾 FAB 产能主要为存储，其中包括美光 DRAM 的主要产能，以及南亚、华邦、旺宏三家利基型存储的产能，后续或面临产线检修影响。结合近期三星上调企业级 SSD 涨幅，24Q1利基存储价格拐点已现，我们继续强烈看多存储板块。 AI 加速存力扩容，产品切换加剧产能紧缺。站在当前时点对比上一轮周期，技术端来看，AI 服务器需求快速增长，由此带动 HBM 加速迭代，数据中心SSD 及 DRAM 也在持续升级，由此满足新一代数据中心及智能设备终端的产品需求。需求端来看，HBM 产能已排至 2025 年，服务器、PC、智能手机仍处于 AI 全面渗透的早期阶段，AIPhone、AIPC 都将在 2024~2025 年开启放量，由此在未来几年全面带动各大应用领域的存储容量加速扩张。从供给端来看，原厂处于产能切换的关键期，DRAM 产能从 DDR4 向 DDR5 切换，将造成产能自然消耗 30%，而 HBM 晶圆产能消耗是 DDR5 的 3 倍，将进一步加剧存储产能紧缺。原厂谨慎规划资本开支，24 年新增资本开支主要用于高端产品产能扩张。产能紧缺伴随需求持续增长，将推动存储价格持续上行。 HBM 供不应求，三大原厂竞逐 HBM3E。SK 海力士预计中长期内 HBM 需求的年增长率将达到约 60%，三星预测 2026 年 HBM 出货量比 2023 年高 13.8 倍，2028 年 HBM 年比 2023 年高 23.1 倍。尽管 SK 海力士、三星电子和美光科技均在积极扩产，但 HBM 供应依旧紧张。SK 海力士表示 2024 年 HBM 产能已售罄，美光也表示 2024 年 HBM 产能已全部售罄，且 2025 年大部分产能也已分配完。同时三大家也正在推进 HBM3E 及最新产品的测试及量产。SK 海力士当前 HBM3E 已实现量产，预计 HBM 长期需求增长率超 60%，同时公司已携手台积电，合作开发 HBM4。美光宣布已开始量产 HBM3E，并于 2024Q2 开始出货。三星已开始向客户提供 HBM3E 12H 样品，预计 24H2 开始大规模量产。 大厂产能切换逐步退出利基市场，利基存储价格拐点已至。台系厂商月度营收同比显著增长，华邦电及南亚科 2 月营收分别为 62.7 亿及 30.51 亿新台币，同比分别增长 8.0%和 50.6%。华邦电表示 SLC NAND 和利基 DRAM 市场的需求正在逐渐增强，公司的中长期业绩增长仍然稳健；南亚科表示针对工业和汽车应用的 DDR3 产品 ASP 有所改善，预计 24 年市场需求和价格有望持续逐季上升。我们预计伴随原厂产能转至 HBM 及 DDR5 等最新产品，利基存储供给端格局有望改善，SLC、中高容量 NOR、以及 DDR3 等产品经过长时间的价格调整和库存消化，伴随 Q2 需求复苏，有望迎来价格拐点。 投资建议：见尾页投资建议章节。 风险提示：下游需求不及预期，研发进度不及预期，行业竞争加剧。 方 正 证 券 研 究 所 证 券 研 究 报 告 -38%-30%-22%-14%-6%2%23/4/523/6/17 23/8/29 23/11/10 24/1/2224/4/4电子沪深300电子 行业专题报告 2 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 正文目录 1.存储价格跟踪：AI 需求高增，中国台湾地震或对存储产能造成冲击 ...................................... 5 1.1 Nand 产品价格持续上扬 .................................................................... 5 1.2 DRAM：高性能需求驱动高阶产品价格增长 ..................................................... 6 1.3 合约价：企业级市场需求引领 Q2 价格上行，中国台湾地震或冲击存储产能 ........................ 7 2. HBM 引领 AI 存力扩容，产品切换加剧产能紧缺 ...................................................... 11 2.1 美光业绩修复超预期，AI 是重要驱动力 ...................................................... 11 2.2 AI 加速存力扩容，存储价格持续上行 ........................................................ 12 3.利基存储价格拐点已至 ........................................................................... 23 4.投资建议 .....................................