江苏宏微科技股份有限公司2025年半年度报告

江苏宏微科技股份有限公司2025 年半年度报告1 / 213公司代码：688711公司简称：宏微科技转债代码：118040债券简称：宏微转债江苏宏微科技股份有限公司2025 年半年度报告江苏宏微科技股份有限公司2025 年半年度报告2 / 213重要提示一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、 重大风险提示本公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素”部分。三、 公司全体董事出席董事会会议。四、 本半年度报告未经审计。五、 公司负责人赵善麒、主管会计工作负责人王巧巧及会计机构负责人（会计主管人员）王巧巧声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用八、 前瞻性陈述的风险声明√适用 □不适用本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否十二、 其他□适用 √不适用江苏宏微科技股份有限公司2025 年半年度报告3 / 213目录第一节释义 .................................................................... 4第二节公司简介和主要财务指标 .................................................. 6第三节管理层讨论与分析 ....................................................... 10第四节公司治理、环境和社会 ................................................... 35第五节重要事项 ............................................................... 37第六节股份变动及股东情况 ..................................................... 67第七节债券相关情况 ........................................................... 72第八节财务报告 ............................................................... 75备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。江苏宏微科技股份有限公司2025 年半年度报告4 / 213第一节释义在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义发行人、公司、本公司、宏微科技指江苏宏微科技股份有限公司，系由原江苏宏微科技有限公司于 2012 年 8 月 18 日整体变更设立芯动能指常州芯动能半导体有限公司锦创科技指常州锦创电子科技有限公司宏电节能指江苏宏电节能服务有限公司，公司全资子公司CISSOID S.A.指CISSOID S.A.系公司参股公司英飞凌指英飞凌科技公司（Infineon Technology AG）富士电机指富士电机株式会社（Fuji Electric）三菱电机指三 菱 电 机 株 式 会 社 （ MitsubishiElectricCorporation）安森美指安森美半导体公司（ON Semiconductor）常春新优指赣州常春新优投资合伙企业（有限合伙）汇川技术指深圳市汇川技术股份有限公司台达集团指台达电子工业股份有限公司英威腾指深圳市英威腾电气股份有限公司及其全资子公司苏州英威腾电力电子有限公司奥太集团指山东奥太电气有限公司及其同一控制下企业华虹宏力指上海华虹宏力半导体制造有限公司宏微爱赛指上海宏微爱赛半导体有限公司，公司控股子公司中证鹏元指中证鹏元资信评估股份有限公司芯片指从晶圆上切割下来的内含基本功能元胞的晶粒功率半导体器件指用于电器设备中实现电能变换和控制的半导体器件（通常指电流为数安至数千安，电压为数百伏至数千伏的半导体器件）分立器件指半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等第三代半导体指第三代半导体材料，主要包括 SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等光伏逆变器指可将光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电（AC）的逆变器IGBT指Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，绝缘栅双极型晶体管，是一种电压控制开关型功率半导体器件，也是电能转换的核心器件FRD指Fast-Recovery Diode 的缩写，快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM 脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用MOSFET指Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属氧化物场效应晶体管，是一种高频的电压控制开关型功率半导体器件SiC指碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速江苏宏微科技股份有限公司2025 年半年度报告5 / 213率高和击穿电场高等特性，是生产第三代功率半导体器件的主要材料GaN指氮化镓（GaN）是第三代半导体材料代表之一，具有禁带宽度大，临界磁场高、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质DSC指Dual-sided Cooling 的缩写，双面水冷技术。在双面散热技术的基础上，器件上下面散热器采用水冷散热方式，或上下散热板为水冷的冷却方式。SSC指Single-sided Cooling 单面散热的缩写，在芯片烧结技术基础上，将器件下表面烧结或焊接到散热板的一种冷却方式。芯片代工指芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购硅片材料、光刻、刻蚀、离子注入、扩散等环节制造出芯片封装指将晶圆分割成单个的芯片后，将芯片安放、焊接引线和连接到一个封装体上测试指封装后对半导体器件功能、电参数等进行测量，以检测产品的质量保荐机构（主承销商）、保荐人指中信证券股份有限公司证监会、中国证监会指中国证券监督管理委员会《公司法》指《中华人民共和国公司法》《证券法》指《中华人民共和国证券法》《公司章程》指《江苏宏微科技股份有限公司章程》报告期指2025 年 1 月 1 日至 2025 年 6 月 30 日报告期末指2025 年 6 月 30 日元、万元指人民币元、