电子行业动态点评-SK海力士23Q4观察：AI需求推动下，HBM有望带领内存全面复苏

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 电子 SK海力士23Q4观察：AI需求推动下，HBM 有望带领内存全面复苏 华泰研究–海外科技 电子 增持 (维持) 研究员 何翩翩 SAC No. S0570523020002 SFC No. ASI353 purdyho@htsc.com +(852) 3658 6000 2024 年 1 月 26 日│美国 动态点评 AI 芯片需求推动下 HBM3 和 DDR5 继续受惠,营收和 ASP 保持高速增长 在 AI 芯片需求强劲的背景下，作为高算力处理器中必不可少的 HBM3/3E将继续供不应求，推动 HBM 量价齐升。SK 海力士在 23Q4 运营利润超预期的转正。此前在 23Q3 电话会已表示，24 年所有 HBM3/3E 产能已满，并持续接到额外订单的咨询。公司计划在 24 上半年量产 HBM3E 并按计划研发 HBM4。24 年公司计划扩产 HBM3/3E、DDR5 和 LPDDR5T 等高价值高性能产品，公司位于无锡的晶圆厂将向 1a nm 制程转移，支持公司扩产计划。公司目标在 24 年底将 1a nm 和 1b nm DRAM 产量增加到 DRAM 总产量的一半以上。 SK 海力士通过领先的 HBM 技术，与 AI 芯片巨头保持长期合作 SK 海力士的 HBM3 早已搭载在英伟达 H100 上，而下一代的 H200，仅通过升级至 HBM3E，就能实现对比 H100 高 80%/40%的内存/带宽提升。H200在700亿参数的Llama2模型推理时，速度更达 H100的1.9倍。据Trendforce 23 年 12 月报道，英伟达已与公司签署 HBM3E 供应协议，用于今年较晚推出的 B100。另外，AMD 的 MI300 系列也搭载了 24GB 的 HBM3。根据Digitimes，公司亦为 AWS Trainium 2 和 Google TPU 的 HBM 供货。 SK 海力士营收和利润均超预期，23Q4 运营利润实现 4 季度后的扭亏 SK 海力士 23 全年营收为 32.8 万亿韩元，同比-27%，超彭博一致预期（31.9万亿韩元）；23Q4 营收为 11.3 万亿韩元，同比+47%，环比+25%，超彭博一致预期（10.4 万亿韩元）。23Q4 运营利润扭亏，达 3,460 亿韩元，受益于高价值产品销量提升，超彭博一致预期的亏损 1,699 亿韩元。23 年公司积极应对 AI 需求激增，通过技术优势扩大高端产品销售，DDR5 和 HBM3销量同比分别增长 4 倍和 5 倍。公司库存自 23Q2 宣布减产以来持续下降，期末库存为 13.5 万亿韩元，环比-10%。此前在 CES 24 上公司表示由于 PC和手机市场 ASP 和客户需求修复，公司计划分别在 24Q1 和 24H2 对 DRAM和 NAND 减产计划进行调整。 公司预计 24 年 DRAM 和 NAND 的需求增速约为 15-19% DRAM 业务 23Q4 营收为 7.3 万亿韩元，同比+61%，环比+21%，高于彭博一致预期（7.2 万亿韩元），DRAM 出货量环比低个位数上升，ASP 环比上升 18%。NAND 业务 23Q4 营收为 3.3 万亿韩元，同比+39%，环比+35%，远高于彭博一致预期（2.5 万亿韩元）。尽管 NAND 出货量环比低个位数下降，但原厂减产以及下游对高端产品补库需求增加使 ASP 环比+40%。由于PC 和手机出货量的复苏，以及 AI 服务器和高规格移动存储器需求的增长，公司预计 2024 年 DRAM 和 NAND 的需求增长率将为 15-19%。AIPC 和搭载端侧 AI 功能的手机或成为未来存储需求的催化剂。 强势季度业绩后，公司审慎投资计划和未来预期引起市场关注 公司预计 24Q1 存储行业价格环境将持续改善，但受季节性需求影响，预计DRAM 销量环比下降约 15%，NAND 销量环比则见中个位数百分点增长。23 年资本开支受储存市场下行影响同比缩减 50%，公司预计 24 年资本开支同比小幅增长，保持谨慎支出，重点关注盈利能力和投资效率，并将针对性投资有明确需求增长的高价值产品，如 HBM、MCRDIMM 和 LPCAMM2。 风险提示： AI 技术落地和推进不及预期、芯片需求不及预期、中美竞争加剧等；相关信息数据来自于公开的客观信息，不代表对相关公司的研究覆盖和推荐。 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 电子 图表1： SK 海力士分业务营收（单位：万亿韩元） 图表2： SK 海力士各业务收入占比 资料来源：SK 海力士公告、华泰研究 资料来源：SK 海力士公告、华泰研究 图表3： SK 海力士 DRAM 业务营收（单位：万亿韩元） 图表4： SK 海力士 NAND 闪存业务营收（单位：万亿韩元） 资料来源：SK 海力士公告、华泰研究 资料来源：SK 海力士公告、华泰研究 图表5： SK 海力士 DRAM 终端应用收入占比 图表6： SK 海力士 NAND 闪存终端应用收入占比 资料来源：SK 海力士公告、华泰研究 注：收入不包括 Solidigm 资料来源：SK 海力士公告、华泰研究 18.0%19.9%45.2%55.4%43.1%33.8%-7.0%-38.0%-58.1%-47.1%-17.5%47.4%-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%024681012141621Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q4DRAMNAND闪存其他总营收YoY71% 73% 70% 70% 65% 64% 63% 60% 57% 60% 67% 65%24% 22% 26% 26% 32% 33% 31% 31% 33% 31% 27% 29%5%5%4%4%3%4%6%10%9%9%6%6%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q4DRAMNAND闪存其他6.17.58.38.77.98.87.04.62.94.46.17.38%24%11%5%-10%12%-21%-34%-36%51%38%21%19% 23%45%55%30%17%-16%-48% -63%-50%-12%61%-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%01234567891021Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q4DRAM营收QoQYoY2.02.33.03.23.94.53.42.41.72.22.43.313% 15%32%4%23%15% -25%-30%-29%33%8% 35%16% 14%58%78%95% 96%11%-25%-57%-50%-28%39%-80%-60