机械设备-专用设备行业：半导体设备中标双月报(23年1-2月)

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 工业 半导体设备中标双月报(23 年 1-2 月) 华泰研究 机械设备 增持 (维持) 专用设备 增持 (维持) 研究员 倪正洋 SAC No. S0570522100004 SFC No. BTM566 nizhengyang@htsc.com +(86) 21 2897 2228 联系人 杨云逍 SAC No. S0570123010007 yangyunxiao@htsc.com +(86) 21 2897 2228 行业走势图 资料来源：Wind，华泰研究 2023 年 3 月 14 日│中国内地 专题研究 23 年 1-2 月晶圆厂开标量低位运行，扩产节奏后续有望底部反转 我们以长江存储、华力集成、上海积塔、时代电气、中芯绍兴等 11 家中国大陆主要的 IDM 或代工厂为样本，通过中国国际招标网对上述晶圆厂中标情况进行梳理。23 年 1-2 月国内 11 家晶圆厂开标 56 台设备，环比（22 年11-12 月 148 台）、同比（22 年 1-2 月 146 台）均有下降。由于下游去库存速度尚未快速推进，晶圆厂扩产节奏仍处于低位。但参考此前中芯国际在产能利用率下降背景下仍维持 2023 年资本支出同比持平的预期，我们认为随着下游去库存推进，晶圆厂扩产有望底部反转，利好本土设备商国产替代。 23 年 1-2 月 11 家晶圆厂开标 56 台设备，测试、沉积、炉管占主要份额 2023 年 1-2 月国内 11 家晶圆厂共开标 56 台工艺设备，主要来自上海积塔（30 台）、华虹无锡（15 台）、时代电气（6 台）、燕东微电子（4 台）、华力集成（1 台）。2023 年 1-2 月开标的 56 台设备中，按照不同工艺设备开标数量从高到低排列，分别为测试设备（17 台）、沉积设备（13 台）、炉管设备（10 台）、前道检测设备（7 台）、刻蚀设备（4 台）、光刻机（2 台）、离子注入机（2 台）、涂胶显影设备（1 台）。 受国内测试、刻蚀、炉管等设备厂家拉动，中标国产率持续提升 2023 年 1-2 月中国大陆设备中标数量为 26 台，国产率达 46.4%。分晶圆厂看，2023 年 1-2 月，时代电气设备国产率超 70%；分设备看，2023 年 1-2月国产率较高的环节主要为沉积设备（国产率 69.2%）、刻蚀设备（50.0%）、光刻设备（50.0%）、前道检测设备（42.9%）。聚焦 1-2 月份国内中标厂商，嘉芯迦能（中标 4 台）、北方华创（中标 3 台）、睿励科学（中标 3 台）、杭州中安电子（中标 3 台）排名靠前，持续体现国内厂家在刻蚀、炉管等设备环节的强势地位。嘉芯迦能与万业企业有股权关系。 关注半导体设备国产替代领军企业 半导体设备国产率低的背景也带来了较高的国产替代空间，国内半导体设备经过多年励精图治，已经涌现出多家在关键设备领域引领国产替代的厂家，在刻蚀、沉积、炉管、清洗、检测测试、离子注入等多环节实现了国产替代。随着半导体周期回暖和国内设备企业国产化进度加速，设备商有望率先受益于下游补库存带来订单释放，具有技术优势的龙头设备公司有望持续受益。 风险提示：晶圆厂扩产不及预期、设备公司研发不及预期、中美贸易摩擦风险。 (21)(8)51831Mar-22Jul-22Nov-22Mar-23(%)机械设备专用设备沪深300仅供内部参考，请勿外传 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 工业 23 年 1-2 月 11 家晶圆厂开标 56 台设备，上海积塔贡献主要增量 23 年 1-2 月国内 11 家晶圆厂共开标 56 台设备 2023 年 1-2 月国内 11 家晶圆厂开标 56 台设备。我们以长江存储、华力集成、华力微电子、福建晋华、华虹无锡、合肥晶合、上海积塔、时代电气、中芯绍兴、武汉新芯、燕东微电子 11 家中国大陆主要的 IDM 或代工企业为统计样本，通过中国国际招标网对上述晶圆厂中标情况进行梳理（详细样本选取规则见本节末说明）。2023 年 1-2 月国内 11 家晶圆厂共开标 56 台工艺设备。 图表1： 2023 年 1-2 月国内 11 家晶圆厂开标 56 台设备 2020 年 2021 年 2022 年 2023 年 1-2 月 样本晶圆厂开标数量（台） 1819 1136 854 56 资料来源：中国国际招标网，华泰研究 图表2： 2023 年 1-2 月合计开标 56 台设备 资料来源：中国国际招标网，华泰研究 样本选取规则： 1）工艺设备定义：由于半导体设备应用的工艺流程和重要性的不同，我们主要统计光刻、刻蚀、沉积、清洗等涉及核心工艺的关键设备中标情况，并将关键半导体设备区分为制程核心设备（包含光刻、刻蚀、沉积、离子注入设备）、良率提升设备（包括前道检测设备、后道测试设备、清洗设备）以及重要辅助设备（包括炉管设备、CMP 抛光设备、干法去胶设备、涂胶显影设备），并排除二手翻新设备影响。 图表3： 半导体设备按工艺不同可分为制程核心设备、良率提升设备、辅助设备 设备分类 设备名称 设备作用 制程核心设备 光刻机 将光源把掩膜版上电路结构在涂有光刻胶的硅片进行曝光，将图案复制到硅片上。 刻蚀设备 是指使用气态的化学刻蚀剂与硅片上未被光刻胶覆盖的材料发生物理或化学反应（或两者均有），以去除暴露的表面材料的过程。3μm 之后的工艺大多采用干法刻蚀 薄膜沉积设备 通过气体混合的化学反应，或者蒸镀、溅射等物理反应在硅片表面沉积薄膜的工艺 离子注入设备 通过高压离子轰击将杂质引入硅片，能在较低温度下，准确控制杂质掺入浓度和深度，重复性好。 良率提升设备 前道检测设备 对氧化、刻蚀、光刻、离子注入等每道工艺后的晶圆进行无损的检查和测量，以保证关键工艺参数满足工艺指标的要求，从而保证芯片的成品率以及芯片最终出货的稳定性和可预期性，多用到电镜、膜厚测量设备，套刻对准设备等。 后道测试设备 对晶圆制造后或者封装后芯片功能和电性能的测试，包括探针台、分选机、测试机等设备 清洗设备 在单晶硅片制造阶段，在过程工艺阶段的刻蚀、化学沉积、去胶等关键工艺前后进以及封装工艺中都需要进行清洗，减少缺陷、提高良率。 重要辅助设备 炉管设备 IC 行业所用的炉管目前主要是垂直式、按压力不同可分为常压和低压炉管，主要用于热氧化、热退火、热烘烤、合金及部分沉积工艺 干法去胶设备 去除硅片上的光刻胶 CMP 抛光设备 使用旋涂或 CVD 法在器件表面形成一层玻璃；然后将硅片放在一种包含有胶质的磨料悬浮液和腐蚀剂的碱性膏剂中进行机械研磨，使得金属和介质层的局部或全局平坦化 涂胶显影设备 将硅片置于真空吸盘上，采用旋转 涂胶的方法涂上 液相光刻胶材料，用显影液溶解光刻胶可溶区 域，可见图形出现在硅片上， 硅片用去离子水冲洗后甩干 资料来源：《纳米集成电路制造工艺（第 2 版）》，华泰研究 02004006008001,0001,2001,4001,6001,8002,