科技行业：关注光模块上游核心材料发展机遇

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 科技 关注光模块上游核心材料发展机遇 华泰研究 通信 增持 (维持) 通信设备制造 增持 (维持) 王兴 研究员 SAC No. S0570523070003 SFC No. BUC499 wangxing@htsc.com +(86) 21 3847 6737 高名垚 研究员 SAC No. S0570523080006 SFC No. BUP971 gaomingyao@htsc.com +(86) 21 2897 2228 王珂 研究员 SAC No. S0570524080005 SFC No. BWA966 wangke020520@htsc.com +(86) 755 8249 2388 陈越兮* 研究员 SAC No. S0570525070005 chenyuexi@htsc.com +(86) 21 2897 2228 唐攀尧* 研究员 SAC No. S0570526040003 tangpanyao@htsc.com +(86) 755 8249 2388 行业走势图 资料来源：Wind，华泰研究 2026 年 4 月 20 日│中国内地 专题研究 随着近年 800G、1.6T 光模块需求量的快速提升，以及未来 3.2T 时代的渐行渐近，我们看好光模块上游核心材料的发展机遇，本篇报告中我们将系统梳理 InP 衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中 InP 衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于 3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。 AI 算力带动光模块需求高增长，光芯片需求快速释放 随着全球科技巨头继续加码 AI 算力投资，光模块产业链有望延续高景气度。根据 LightCounting 于 2026 年 1 月发布的预测，全球高速率（100G 及以上）数通光模块市场规模有望由 2025 年的 164 亿美金扩张至 2031 年的 521 亿美金。光芯片作为光模块上游核心原材料之一，需求侧亦呈现高增趋势，根据源杰科技港股招股书中的数据，预计全球光芯片市场规模有望由 2024 年的 26 亿美金增长至 2030 年的 229 亿美金，对应期间 CAGR 达 44%。 InP 衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒 InP 衬底是光芯片生产的核心原材料之一。随着 2026~2027 年 800G、1.6T光模块拉动光芯片需求快速释放，Lumentum、Coherent、源杰等国内外光芯片头部厂商均在积极扩充产能，InP 衬底有望迎高速发展期，Yole 预测，全球 InP 衬底销量（折合为 2 英寸）有望从 2019 年的 50 万片增加至 2026年的 128 万片。全球 InP 衬底市场高度集中，日本住友、北京通美及日本JX 占据超 90%份额，我们认为需求高增长背景下，新晋厂商有望获得导入机遇。InP 衬底的产业链可划分为高纯原材料（红磷、金属铟等）→多晶合成→单晶生长、衬底制备→外延片/光芯片。 薄膜铌酸锂：3.2T 渐行渐近，产业迎广阔发展机遇 随着 3.2T 光模块的渐行渐近，单通道调制速率需达到 400G，我们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制器具备超高带宽、低功耗、低损耗等方面优势，有望迎来导入机遇。根据我们的测算，2031 年仅 3.2T 光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近 30 亿元，对应 2029~2031 年 CAGR 达 271%。薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节均具备较高技术壁垒，我国厂商在以上各领域均已取得积极进展，我们看好相关厂商在 3.2T 时代有望迎接广阔发展机遇。 产业链核心环节厂商梳理 InP 衬底：【高纯铟】Indium、Dowa、日本 Rasa、株洲科能、北京通美、广东先导等；【多晶合成】日本住友、北京通美（AXT 控股子公司）、日本 Rasa、英国 Wafer、珠海鼎泰（博杰股份参股）、陕西铟杰；【InP 衬底】日本住友、北京通美、日本 JX、珠海鼎泰、云南锗业、广东先导。 薄膜铌酸锂：【铌酸锂晶体材料】天通股份、南智芯材、日本山寿陶瓷、恒元光电、德清华莹（信维通信参股）等；【薄膜铌酸锂晶圆】济南晶正、上海新硅聚合、美国 Partow；【薄膜铌酸锂调制器（芯片）】江苏铌奥光电、Hyperlight、易缆微半导体（安孚科技参股）等。 风险提示：云厂商资本开支投入不及预期；行业竞争加剧；本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对公开信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。 (2)4593140187Apr-25Aug-25Dec-25Apr-26(%)通信通信设备制造沪深300 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 科技 正文目录 关注光模块上游核心材料发展机遇：InP、薄膜铌酸锂 ................................................................................................ 3 InP 衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒 ............................................................................................... 5 光芯片核心上游原材料，衬底行业迎广阔发展机遇 .............................................................................................. 5 AI 算力需求推动衬底需求持续扩张，行业具备高门槛 .......................................................................................... 6 InP 衬底产业链梳理 .............................................................................................................................................. 8 高纯铟制备 .................................................................................................................................................... 8 InP 多晶合成 .....................