计算机行业研究：SiC有望进入产业放量期

敬请参阅最后一页特别声明 1 行业观点  CoWoS 迈入大尺寸、高 HBM、高热流密度新阶段。 TSMC 于 2025 年 4 月北美技术论坛明确下一代 CoWoS 演进方向，确立大尺寸、高 HBM 堆叠、高热流密度为先进封装核心主轴。公司规划 2026 年推出 5.5 倍光罩尺寸过渡版本，2027 年实现 9.5 倍光罩尺寸 CoWoS 规模化量产，单封装有效面积接近 8,000mm²，可支持 4 颗 3D 堆叠芯片系统、12 层及以上 HBM 与多颗逻辑芯片高密度集成，精准匹配 AI 大模型对内存容量与互联带宽的指数级需求。同期推出的 SoW‑X 晶圆级系统集成方案，可实现 40 倍于当前 CoWoS 的计算能力，计划 2027 年同步量产。该路线与 NVIDIA 下一代 AI 芯片规划高度印证，RubinUltra 等产品采用 CoWoS‑L 封装与 N3P 工艺，印证大尺寸、高带宽、高功耗密度成为未来 2–3 年高端封装核心竞争维度，先进封装已从配套环节升级为决定 AI 算力上限的关键变量。  CoWoS 瓶颈转向热管理与翘曲控制，热‑机械耦合成量产核心制约。 伴随 CoWoS 向超大尺寸迭代，行业核心矛盾由产能约束转向热管理与翘曲控制。TSMC 研发的 110×110mm² CoWoS‑R 方案可集成 4 颗 SoC+12 颗 HBM，集成度与算力量级跃升，但 ECTC2025 明确指出翘曲控制已成为紧迫挑战。超大尺寸封装下，芯片、中介层与基板间热膨胀系数失配加剧，回流焊与高低温循环易引发剧烈翘曲、开路、锡球破裂、层间分层等可靠性问题。高端 AI 封装具备高集成特性，单颗 HBM 或逻辑芯片损坏即可导致整颗报废，良率波动带来显著成本损失，热阻控制、翘曲抑制、组装良率成为规模化量产的关键卡点。行业竞争逻辑随之切换，从性能指标比拼转向系统级解决方案竞争，具备低热阻材料、低翘曲基板、高精度组装装备与应力仿真能力的环节有望深度受益。  SiC 材料优势突出，以热管理非核心层切入破解先进封装瓶颈。 SiC 凭借高热导率、高刚性、CTE 与硅芯片高度匹配的特性，成为破解 CoWoS 热‑机械双重瓶颈的关键材料。4H‑SiC 热导率达 370‑490W/m・K，远高于传统硅中介层与有机 RDL 基板，同时具备高杨氏模量、低热膨胀系数与高温稳定性，可在芯片‑中介层‑基板之间构建低热阻、高刚性、应力适配的结构。在数千瓦级功耗、局部热点超 150℃的应用场景中，SiC 可快速均化热量、抑制翘曲形变、提升装配良率与长期可靠性。我们判断认为，SiC 有望以热扩散层、热承载层、结构支撑层渐进导入 CoWoS，充分发挥材料优势并降低工艺适配难度。 相关标的  SiC 衬底及设备标的：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、扬杰科技、华润微、三安光电等。 风险提示  SiC 导入先进封装进度不及预期的风险；SiC 材料成本偏高、规模化应用受限的风险；先进封装技术路线变更风险；SiC 在封装环节良率与可靠性验证不及预期的风险。 行业周报 敬请参阅最后一页特别声明 2 扫码获取更多服务 内容目录 一、CoWoS 热管理问题凸显，SiC 衬底或为下一阶段方案 ................................................................................. 3 1.1 CoWoS 正在进入大尺寸、高 HBM、高热流密度阶段 ............................................................................. 3 1.2 CoWoS 的瓶颈正在从产能转向热管理+翘曲控制 ................................................................................... 4 1.3 SiC 具备材料优势，有望从热管理层切入 ................................................................................................ 6 二、相关标的......................................................................................................................................................... 8 三、风险提示......................................................................................................................................................... 8 图表目录 图表 1： TSMC CoWoS 持续扩容，2027 年 9.5 倍光罩版将赋能下一代 AI 算力 ........................ 3 图表 2： TSMC 同步推出 SoW-X 晶圆级系统集成方案，进一步强化大尺寸、高 HBM、高热流密度技术主轴 4 图表 3： TSMC 路线与 NVIDIA 规划高度契合，锚定先进封装核心方向 ................................. 4 图表 4： CoWoS-R 封装面临翘曲挑战，热-机械耦合成量产核心瓶颈 .................................. 5 图表 5： 随着先进封装向更大尺寸持续迭代，热阻控制、翘曲抑制、组装良率与板级可靠性已成为新阶段关键“卡脖子”环节 ................................................................................. 6 图表 6： SiC 导热率高、刚性强，CTE 适配硅芯，能够有效抑制翘曲、降低热应力。 .................... 7 图表 7： 当前 TSMC CoWoS 系列已形成清晰的技术分层架构 ........................................ 7 行业周报 敬请参阅最后一页特别声明 3 扫码获取更多服务 一、CoWoS 热管理问题凸显，SiC 衬底或为下一阶段方案 1.1 CoWoS 正在进入大尺寸、高 HBM、高热流密度阶段 TSMC 在 2025 年 4 月北美技术论坛正式披露下一代 CoWoS 演进路线，确立大尺寸、高 HBM堆叠、高热流密度为先进封装核心演进方向。公司规划 2026 年率先推出 5.5 倍光罩尺寸过渡版本，2027 年实现 9.5 倍光罩尺寸 CoWoS 规模化量产，单封装有效面积接近 8,000mm² ，可容纳四个 3D 堆叠集成芯片系统、支持 12 层及以上 HBM 与多颗逻辑芯片的高密度异构集成，直