充分受益于存储扩产

证券研究报告：电子| 公司点评报告市场有风险，投资需谨慎请务必阅读正文之后的免责条款部分股票投资评级买入 |维持个股表现2024-112025-012025-042025-062025-092025-11-14%-4%6%16%26%36%46%56%66%76%86%盛美上海电子资料来源：聚源，中邮证券研究所公司基本情况最新收盘价（元）166.06总股本/流通股本（亿股）4.80 / 4.36总市值/流通市值（亿元）797 / 72552 周内最高/最低价202.88 / 92.60资产负债率(%)36.8%市盈率62.90第一大股东ACMRESEARCH,INC.研究所分析师:翟一梦SAC 登记编号:S1340525040003Email:zhaiyimeng@cnpsec.com分析师:吴文吉SAC 登记编号:S1340523050004Email:wuwenji@cnpsec.com盛美上海(688082)充分受益于存储扩产l投资要点全球首创 SAPS/TEBO 兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术，先进制程清洗设备持续推进。在半导体清洗设备领域，据Gartner 统计，公司全球市场占有率达 8.0%（位居全球第四）。根据部分中国厂商统计，公司单片清洗设备中国市场占有率超 30%，在国内外全部清洗设备供应商中，中国市场占比位列第二；2025年 3 月，公司自主研发的单晶圆高温 SPM 设备已成功通过关键客户验证，该工艺对下一代半导体器件制造具备重要价值。除此之外，公司 SAPS 兆声波单片清洗设备目前已应用于逻辑 28nm 技术节点及 DRAM 19nm 技术节点，并可拓展至逻辑芯片 28nm、DRAM18/19nm 技术节点、32/64 层 3D NAND 工艺、高深宽比的功率器件及 TSV 深孔清洗应用，在 DRAM 上有 70 多步应用，而在逻辑电路FinFET 结构清洗中有近 20 步应用；TEBO 兆声波单片清洗设备主要针对 45nm 及以下图形晶圆的无损伤清洗，目前已应用于逻辑芯片 28nm 技术节点，已进行 18-19nm DRAM 工艺图形晶圆的清洗工艺评估，并可拓展至28nm 逻辑芯片及 nm 级 3D结构、高深宽比 DRAM产品及多层堆叠 3D NAND 等产品中，在 DRAM 上有 70 多步应用，而在逻辑电路 FinFET 结构清洗中有 10 多步应用；单片槽式组合清洗设备应用于包括前段干法蚀刻后聚合物及残胶去除，抛光后研磨液残留物去除，离子注入后光刻胶残留物去除，通孔前有机残留物去除等工艺，目前已完成逻辑芯片 40nm 及 28nm 技术节点产线验证，并可拓展至 28nm 逻辑芯片、20nm DRAM 及以上技术节点及 64 层及以上 3D NAND，可用于 20 步及以上的高温硫酸及高温磷酸的清洗步骤。综上所述，公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的 SAPS/TEBO 兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于 12 英寸的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。立式炉管：首先集中在 LPCVD，再向氧化炉和扩散炉发展，逐步进入到 ALD 设备应用。公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，目前公司立式炉管设备技术储备丰富，炉管平台相关专利在 20 项以上，在成熟炉管平台的基础上，向高低介质常数原子层和高深宽比沟道材料填充以及其他特殊应用炉管方向拓展。一方面，公司进一步迭代研发，另一方面拓展新的炉管设备类型，旨在研发出高介质常数发布时间：2025-11-17请务必阅读正文之后的免责条款部分2原子层沉积炉管（High K）、低介质常数原子层沉积炉管（Low K）、多晶硅深孔填充炉管设备、氧化硅低压化学气相沉积炉管、锗硅沉积炉管设备和超高温扩散炉，取得核心知识产权，通过客户端验证。当前，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产，其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国 2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。Track：首台高产能 Ultra Lith KrF 系统顺利交付中国头部逻辑晶圆厂客户。公司于 9 月 8 日宣布推出首款 KrF 工艺前道涂胶显影设备 Ultra Lith KrF，旨在支持半导体前端制造。首台设备系统已于 2025 年 9 月交付中国头部逻辑晶圆厂客户。公司的 UltraLith KrF工艺前道涂胶显影设备基于其 ArF 工艺前道涂胶显影设备平台成熟的架构和工艺成果打造，该平台已于 2024 年底在中国一家头部客户端完成工艺验证。此次推出的 KrF 系统可均匀涂布次埃级涂层，具备先进温控技术以及与 ASML 光刻机匹配的关键尺寸（CD）精度，为 KrF 型号的设计优化奠定坚实基础。公司的 UltraLith KrF工艺前道涂胶显影设备采用灵活工艺模块配置，配备 12 个旋涂腔和 12 个显影腔（12C12D），并搭载 54 块可精确控温的热板，支持低温、中温及高温工艺处理，具备优异的热均匀性。该设备产能超过 300 片晶圆/小时（WPH），并集成公司专利申请中的背面颗粒去除模块（BPRV），有效降低交叉污染风险。此外，集成的晶圆级异常检测（WSOI）模块可实现实时工艺偏差检测和良率异常监测，从而提高工艺稳定性和生产效率。PECVD：自主知识产权腔体、气体分配装置和卡盘设计，已交付首台设备验证。公司推出的 Ultra PmaxTM PECVD 设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。Ultra PmaxTMPECVD 设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。基于 Ultra PmaxTM PECVD 设备平台基础上进行了改进，更好地兼顾了薄膜沉积的均匀性及设备的多应用兼容性，全新设计大幅缩减设备占地面积，有效节省产线部署空间；在超薄薄膜沉积工艺中表现卓越。2024 年第三季度公司向中国的一家集成电路客户交付其首台 PECVD 设备，验证 TEOS 及 SiN 工艺。至此，公司形成“清洗+电镀+先进封装湿法+立式炉管+涂胶显影+PECVD”的六大类业务版图，支撑公司 SAM 可服务市场翻倍。l投资建议我们预计公司 2025/2026/2027 年分别实现收入 70/84/100 亿元，实现归母净利润分别为 17/20/25 亿元，维持“买入”评级。l风险提示技术更新风险，关键技术人才流失风险，市场竞争风险，市场开拓失败风险，下游资本开支不及预期的风险，应收账款回收的风险，存货跌价风险，宏观环境风险。请务必阅读正文之后的免责条款部分3n盈利预测和财务指标[table_FinchinaSimple]项目\年度2024A2025E2026E2027E营业收入（百万元）56187047842310042增长率