电子行业SK海力士25Q3跟踪报告：营收及净利率创历史新高，指引明年DRAM、NAND需求加速增长

敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告 | 行业简评报告 2025 年 10 月 30 日 SK 海力士 25Q3 跟踪报告 TMT 及中小盘/电子 SK 海力士（000660.KS）于 10 月 29 日发布 25Q3 财报，25Q3 收入 24.45 万亿韩元，同比+39%/环比+10%；毛利率 57%，同比+5pcts/环比+3pcts；净利率 52%，同比+6pcts/环比+21pcts。综合财报及交流会议信息，总结要点如下： 评论： 1、营收及净利率创历史新高，DRAM 增长超指引预期。 25Q3 收入 24.45 万亿韩元，同比+39%/环比+10%，系 DRAM 和 NAND 价格走强以及 DRAM 需求拉动；25Q3 毛利率为 57%，同比+5pcts/环比+3pcts，净利率为 52%，同比+6pcts/环比+21pcts。1）DRAM：25Q3 收入 19.07 万亿韩元，同比+57.3%/环比+11.4%，出货量环比高个位数增长且超指引预期，ASP增长中个位数百分比，主要系高性能计算 DRAM 需求强劲；2）NAND：25Q3收入 4.89 万亿韩元，同比-0.6%/环比+4.7%，出货量环比下降中个位数百分比，ASP 上涨低十位数百分比，系 NAND 市场价格回升及高溢价企业级 SSD 产品占比提升。 2、AI 带动全品类存储需求持续增长，预计 2026 年服务器出货量增长 10%。 1）存储：AI 推理存储用量指数级上升，拉动 HBM、DDR5 及企业级 SSD 需求，头部 AI 企业投资合作同时推动全品类存储需求增长；2）服务器：预计明年服务器整体出货量增长 10%以上；3）PC 及手机：智能手机与 PC 市场预计将实现温和增长，AI 功能正逐步渗透至中低端手机，AIPC 预计占 PC 市场一半份额。 3、2026 年 DRAM、NAND 需求加速增长，指引 2027 年 HBM 供不应求。 1）需求：预计 DRAM 需求增速将从今年的高十位数百分比提升至明年 20%以上，NAND 需求增速将从今年的中十位数百分比提升至明年高十位数百分比；公司已锁定 2026 年 HBM、DRAM 与 NAND 客户需求，明年产能基本售罄。2）位元出货量：计划继续扩大 HBM、服务器 DRAM 及企业级 SSD 销售，但考虑库存回归正常水平，预计 DRAM与NAND 位元出货量环比均实现低个位数增长。3）HBM 及 DRAM：已完成 2026 年主要客户 HBM 供应谈判，9 月完成 HBM4研发与量产准备，2025Q4 启动出货，2026 年扩大产能以巩固市场领导地位，指引 2027 年公司 HBM 仍供不应求；未来五年 HBM 市场复合增速超 30%以上；DRAM 计划在服务器、移动、图形等领域构建基于 1C 制程完整产品线；1C 制程量产顺利，2026 年加速制程迁移以维持技术与成本竞争力。4）NAND：明年持续扩大 TLC、QLC 供应，加速 321 层 NAND 产能爬坡，预计 321 层占据NAND 位元产量一半。5）资本支出：公司提前启用 M15X 工厂洁净室并启动设备安装以新增产能，加速传统 DRAM 与 NAND 现有产能向先进制程迁移，预计2026 年资本支出预计高于 2025 年。 风险提示：宏观经济下滑，需求复苏不及预期，新品研发不及预期，行业竞争加剧的风险，贸易摩擦风险。 行业规模 占比% 股票家数（只） 512 9.9 总市值（十亿元） 14171.8 13.2 流通市值（十亿元） 12659.2 12.9 行业指数 % 1m 6m 12m 绝对表现 1.7 51.3 51.8 相对表现 -1.1 25.6 30.9 资料来源：公司数据、招商证券 相关报告 1、《英特尔（INTC.O）25Q3 跟踪报告—Q3EPS 超指引预期，指引Q4DCAI收 入 环 比 强 劲 增 长 》2025-10-26 2、《德州仪器（TXN.O）25Q3 跟踪报告—预计 25Q4 营收环比-7%，指引 半 导 体 复 苏 节 奏 有 所 放 缓 》2025-10-22 3、《台积电 25Q3 跟踪报告—25Q3毛利率和利润超预期，上修资本支出区间指引》2025-10-17 鄢凡 S1090511060002 yanfan@cmschina.com.cn 谌薇 S1090524070008 shenwei3@cmschina.com.cn 王虹宇 S1090525070013 wanghongyu@cmschina.com.cn 王焱仟 研究助理 wangyanqian@cmschina.com.cn -200204060Oct/24Feb/25Jun/25Sep/25(%)电子沪深300营收及净利率创历史新高，指引明年 DRAM、NAND 需求加速增长 敬请阅读末页的重要说明 2 行业简评报告 图 1：SK HYNIX 分季度收入情况 图 2：SK HYNIX 分季度净利润情况 资料来源：SK Hynix，招商证券 资料来源：SK Hynix，招商证券 图 3：SK HYNIX 25Q3 营收拆分（按产品） 图 4：SK HYNIX 25Q3 营收拆分（按应用） 资料来源：SK Hynix，招商证券 资料来源：SK Hynix，招商证券 （后附 2025Q3 业绩说明会纪要全文） -100%-50%0%50%100%150%200%05101520253021Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3营业收入（万亿韩元）-6-4-20246810121421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3净利润（万亿韩元） 敬请阅读末页的重要说明 3 行业简评报告 附录：SK 海力士 2025Q3 业绩说明会纪要 时间：2025 年 10 月 29 日 出席：Seong-Hwan Park 投资者关系负责人 Woo-Hyun Kim 财务副总裁兼财务负责人 Kim Kyu-Hyun DRAM 营销负责人： Kim Seok NAND 营销负责人： Kim Ki-tae HBM 销售与营销负责人： 会议纪要根据公开信息整理如下： 25Q3 业绩回顾 宏观环境：市场环境远超预期，大型科技公司人工智能基础设施投资激增，带动包括 HBM 在内的服务器用内存产品需求大幅增长。 产品动态：1）DRAM：12-high HBM3E、服务器 DDR5 出货量增长，叠加 LPDDR5 产品季节性需求回升，DRAM 位元出货量环比实现高个位数增长且超指引；128GB 及以上高密度 DDR5 模组出货量连续两季度环比翻倍，高性能计算相关 DRAM 需求强劲；ASP 环比增长中个位数。2）NAND：NAND 位元出货量环比下降中个位数，企业级 SSD