北方华创2025年半年度报告

北方华创科技集团股份有限公司 2025 年半年度报告全文1北方华创科技集团股份有限公司2025 年半年度报告2025 年 8 月北方华创科技集团股份有限公司 2025 年半年度报告全文2第一节 重要提示、目录和释义公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。公司负责人赵晋荣、主管会计工作负责人李延辉及会计机构负责人（会计主管人员）崔卉淼声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。公司存在的风险详细内容见本报告“第三节 管理层讨论与分析”——“十、公司面临的风险和应对措施”，敬请广大投资者注意。公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。北方华创科技集团股份有限公司 2025 年半年度报告全文3目录第一节 重要提示、目录和释义........................................................................................................................2第二节 公司简介和主要财务指标...................................................................................................................7第三节 管理层讨论与分析.................................................................................................................................10第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................................26第五节 重要事项....................................................................................................................................................30第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................................ 41第七节 债券相关情况.......................................................................................................................................... 48第八节 财务报告....................................................................................................................................................49第九节 其他报送数据.......................................................................................................................................... 150北方华创科技集团股份有限公司 2025 年半年度报告全文4备查文件目录一、载有公司法定代表人签名的 2025 年半年度报告原件。二、载有公司法定代表人、总裁、主管会计工作负责人及会计机构负责人签名并盖章的财务报表。三、报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。四、其他相关资料。北方华创科技集团股份有限公司 2025 年半年度报告全文5释义释义项指释义内容公司、本公司、北方华创指北方华创科技集团股份有限公司北京电控指北京电子控股有限责任公司七星集团指北京七星华电科技集团有限责任公司硅元科电指北京硅元科电微电子技术有限责任公司中国证监会指中国证券监督管理委员会公司章程指北方华创科技集团股份有限公司章程ICP指Inductively Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体源CCP指Capacitively Coupled Plasma，电容性耦合的等离子体源TSV指Through Silicon Via 硅通孔技术，可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联Bevel指晶圆边缘刻蚀CMP指Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光PVD指Physical Vapor Deposition，物理气相沉积CVD指Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积ALD指Atomic Layer Deposition，原子层沉积EPI指Epitaxy，外延Scrubber指物理刷洗SiC指Silicon-carbide，碳化硅，一种化合物半导体GaN指Gallium Nitride，氮化镓，一种化合物半导体GaAs指Gallium Arsenide，砷化镓，一种化合物半导体MOCVD指Metal-organic Chemical Vapor Deposition，有机金属化学气相沉积ECP指Electro-chemical Polishing，电镀RTP指Rapid Thermal Processing，快速热处理CPU指Central Processing Unit，中央处理器GPU指Graphics Processing Unit，图形处理器DDR指Double Data Rate，即双倍数据速率，一种用于随机存取存储器（RAM）的技术FPGA指Field-Programmable Gate Array，一种集成电路，具有可编程性、灵活性和并行处理能力CZ指Continuous Czochralski，连续拉晶系统FZ指Floating Zone，浮区法，一种用于制备高质量单晶体的技术Wafer指半导体晶圆PECVD指Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强型化学气相沉积LPCVD指Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积PERC指Passivated Emitter and Rear Cell，一种高效的太阳能电池技术TOPCon指Tunnel Oxide Passivated Contact，一种高效的晶硅太阳