电子行业存储芯片周度跟踪：CFM称大容量NAND供应或增加，DDR4高位横盘

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 CFM 称大容量 NAND 供应或增加，DDR4 高位横盘 ——存储芯片周度跟踪（2025.06.23-2025.06.27） ◼ 核心观点 NAND：CFM 称部分原厂 NAND 产能转向先进制程，预计 2025 年下半年 1Tb NAND 供应增加。根据 DRAMexchange，上周（20250623-0627）NAND 颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为 0.00%至3.82%，平均涨跌幅为 1.56%。其中 5 个料号价格持平，17 个料号价格上涨，0 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道，2025 年下半年起，部分存储原厂产能将陆续切换新制程，推动单 die 1Tb NAND供应增长，并积极在手机、PC、服务器等应用领域加速客户认证工作。未来，随着原厂产能向大容量 NAND 逐渐倾斜，加上国内厂商产能快速爬坡，市场竞争将进一步加剧。 DRAM：美光在 1-gamma DRAM 技术节点已取得显著进展。根据DRAMexchange，上周（20250623-0627）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为 0.14%至 24.70%，平均涨跌幅为 9.19%。上周 18个料号呈上涨趋势，0 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，美光在 1-gamma DRAM 技术节点已取得显著进展，其良率提升速度甚至超过了此前 1-beta 节点创下的纪录。该季度美光完成了多项关键产品里程碑，包括基于 1-gamma 的 LPDDR5 DRAM 首批认证样品的出货。 HBM：AMD 发布新 AI 芯片 MI350 系列，MI355X HBM3E 内存容量是英伟达 GB200/B200 的 1.6 倍。根据 CFM 闪存市场报道， AMD发布了专为 AI 工作负载打造的全新 MI350 系列 GPU--MI350X 和 MI355X。其中，MI350X 和 MI355X 采用相同的底层设计，配备高达288GB 的 HBM3E 内存、8TB/s 的内存带宽，并新增对 FP4 和 FP6 数据类型的支持。在与 NVIDIA B200 和 GB200 的对比中，MI355X 的HBM3E 内存容量是英伟达 GB200/B200 的 1.6 倍，内存带宽则基本持平。在峰值 FP64/FP32 性能上，MI355X 拥有 2 倍优势。 市场端：LPDDR4X 供应趋紧再度上调现货价格，渠道市场回归理性下 DDR4 内存条高位横盘。根据 CFM 闪存市场报道，随着原厂减产效果显现，LPDDR4X 供应整体满足率偏低，其现货行情仍以资源导向为主，多数存储厂商坚定涨价态度，上周 LPDDR4X 产品价格普遍小幅攀升，个别行业 DDR4 内存条跟随部分资源涨价也顺势抬高报价；而渠道端因已持续一个多月的上涨行情，近期市场有所降温并渐趋理性，渠道 DDR4 价格上涨难度大而普遍高位横盘。 ◼ 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 分析师： 刘奕司 E-mail： liuyisi@yongxingsec.com SAC编号： S1760525030002 联系人： 林致 E-mail： linzhi@yongxingsec.com SAC编号： S1760123070001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《威刚称 DDR4 或续涨，AMD发布新 AI 芯片 MI350》 ——2025 年 06 月 23 日 《DRAM 成品现货续涨，美光12 层 36GB HBM4 送样》 ——2025 年 06 月 17 日 《现货市场高价或影响需求，铠侠计划扩展产能》 ——2025 年 06 月 10 日 -20%-6%8%22%36%50%07/2409/2411/2402/2504/2506/25电子沪深3002025年06月30日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRA