存储芯片行业周度跟踪:三星电子计划生产400层堆叠NAND,渠道市场短暂止跌
证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 三星电子计划生产 400 层堆叠 NAND,渠道市场短暂止跌 ——存储芯片周度跟踪(2024.10.28-2024.11.01) ◼ 核心观点 NAND:NAND 颗粒市场价格小幅波动,三星电子计划生产 400 层堆叠 NAND。根据 DRAMexchange,上周(1028-1101)NAND 颗粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.67%至 4.00%,平均涨跌幅为0.01%。其中 10 个料号价格持平,2 个料号价格上涨,10 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道,三星电子最新存储芯片发展路线图显示,该司计划最早在 2026 年生产至少 400 层单元垂直堆叠的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。 DRAM:颗粒价格小幅下跌,美光宣布推出 Crucial DDR5 Pro 超频 (OC) 游戏内存。根据 DRAMexchange,上周(1028-1101)DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.63%至 3.25%,平均涨跌幅为-0.79%。上周 3 个料号呈上涨趋势,15 个料号呈下降趋势,0 个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道,美光宣布推出 Crucial DDR5 Pro 超频 (OC) 游戏内存,速度达 6,400 MT/s,可提供更流畅、更快速的游戏体验。DDR5 Pro OC 游戏内存解决方案以美光尖端的 DRAM 创新为基础,采用美光先进的 1β(1-beta)节点技术构建,可提高性能、质量和可靠性。 HBM:SK 海力士称 2025 年 HBM 需求或超预期。根据 CFM 闪存市场报道,SK 海力士 DRAM 营销副总裁 Kim Gyu-hyeon 在第三季度业绩说明会上表示,“随着 AI 芯片的需求不断增加,以及客户扩大 AI投资的意愿得到证实,2025 年 HBM 的需求增长将超过目前的预期。” 市场端:渠道市场迎来了短暂止跌。上周(1028-1101)eMMC 价格环比下跌,UFS 价格环比下跌。根据 CFM 闪存市场报道,10 月以来,受益于季节性回温,渠道市场连续数周需求逐渐好转,本周渠道市场迎来了短暂止跌;而行业市场近期部分存储厂商迫于库存压力杀价较为激进,令行业 SSD 多数价格下跌;嵌入式市场近期出现少量存储厂商欲回笼资金低价抢单,加之客户对后市预期看跌,本周嵌入式产品全面调降。 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM:受益于算力芯片提振 HBM需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等; 存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业: 电子 日期: yxzqdatemark 分析师: 陈宇哲 E-mail: chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号: S1760523050001 联系人: 林致 E-mail: linzhi@yongxingsec.com SAC编号: S1760123070001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源:Wind,甬兴证券研究所 相关报告: 《渠道仍处于下行通道,三星持续推进 HBM4》 ——2024 年 11 月 02 日 《三星电子完成 24Gb GDDR7 DRAM 开发,DRAM 中 HBM比重逐渐提升》 ——2024 年 10 月 21 日 《群联称 NAND 模组需求持续上升,DRAM 结构性分化严重》 ——2024 年 10 月 15 日 -40%-28%-16%-4%8%20%11/2301/2403/2406/2408/2410/24电子沪深3002024年11月10日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格(美元) ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格(美元) ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格(美元) ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格(美元) ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格(美元)........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格(美元)........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告(10.28-11.01) .................................................. 7 行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 3 1. 存储芯片周度价格跟踪 图1:NAND 中大容量现货价格(美元) 图2:NAND 中小容量现货价格(美元) 资料来源:iFind,甬兴证券研究所 资料来源:iFind,甬兴证券研究所 图3:NAND
[甬兴证券]:存储芯片行业周度跟踪:三星电子计划生产400层堆叠NAND,渠道市场短暂止跌,点击即可下载。报告格式为PDF,大小0.68M,页数10页,欢迎下载。
