电子行业存储芯片周度跟踪：2024Q2消费类NANDFlash环比大增，三星公布DDR发展路线图

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 2024Q2 消费类 NAND Flash 环比大增，三星公布DDR 发展路线图 ——存储芯片周度跟踪（2024.09.02-2024.09.06） ◼ 核心观点 NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，2024Q2消费类 NAND Flash市场规模环比增长 18.6%至 180.0 亿美元。根据 DRAMexchange，上周（0902-0906）NAND 颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.32%至 15.97%，平均涨跌幅为 1.72%。其中 4 个料号价格持平，12个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据经济观察网援引 CFM闪存市场数据，2024 年二季度全球 NANDFlash（非易失性存储器）市场规模环比增长 18.6%至 180.0 亿美元，DRAM（易失性存储器）市场规模环比增长 24.9%至 234.2 亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长 22.1%至 414.2 亿美元，同比大增 108.7%。 DRAM：颗粒价格小幅波动，三星公布 DDR 发展路线图。根据DRAMexchange，上周（0902-0906）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.02%至-0.04%，平均涨跌幅为-0.82%。上周 0 个料号呈上涨趋势，18 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据 CFM闪存市场报道，三星电子 DS部门存储器业务的总裁兼总经理 Jungbae Lee 展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。根据这一路线图，三星计划在 2024 年推出采用 1c nm 制程技术的 DDR 内存，该技术能够提供具有 32Gb 颗粒容量的产品。随后在 2026 年，三星将推出其最后一代 10nm 级工艺的 1d nm DDR 内存，同样提供最大 32Gb 的颗粒容量。展望 2027 年，三星电子将迈入 10nm 以下级 DRAM 制程节点，届时将发布采用 0a nm 工艺的 DDR 内存产品，并且内存单颗粒的容量将显著提升至 48Gb，即 6GB。 HBM：SK 海力士利川工厂 M10F 转型 HBM 生产线。根据 CFM 闪存市场报道，SK 海力士在其利川半导体工厂“M10F”生产第五代高带宽存储器（HBM）。SK 海力士目前正在建设基础设施，以应对 HBM 快速增长的需求。 市场端：渠道 SSD 和内存价格价格小幅下跌。上周（0902-0906）eMMC 价格环比持平，UFS 价格环比持平。根据 CFM 闪存市场报道，今年前两季度，全球 PC 市场出货量增长缓慢，国内市场尤为严峻，同比下滑明显。三季度国内需求持续低迷，PC 存储产品供需失衡，库存缓慢消化，SSD 和内存条价格小幅下调。嵌入式领域，合约价谈判进展不一，但市场谨慎观望。 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《NAND Flash 晶圆价格上涨，SK 海力士 1c nm 工艺开发成功》 ——2024 年 09 月 03 日 《行业市场需求平淡，威刚称DRAM 和 NAND 下半年或将持续涨价》 ——2024 年 08 月 26 日 《SK 海力士加入 4F2 DRAM研发阵营，为 Waymo 自动驾驶独家供应 HBM2E》 ——2024 年 08 月 22 日 -30%-22%-14%-6%2%10%09/2311/2301/2404/2406/2409/24电子沪深3002024年09月09日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 8 5. 风险提示 .................................................................................................... 9 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（09.02-09.06） .................................................. 8 行业周报 请务