电子行业存储芯片周度跟踪:Lam Research推出低温蚀刻新技术,美光第九代NAND闪存技术宣布量产
证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 A Lam Research 推出低温蚀刻新技术,美光第九代NAND 闪存技术宣布量产 ——存储芯片周度跟踪(2024.07.29-2024.08.02) ◼ 核心观点 NAND:NAND 颗粒市场价格小幅波动,美光第九代 NAND 闪存技术宣布量产。根据 DRAMexchange,上周(0729-0802)NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.53%至 0.29%,平均涨跌幅为-0.22%。其中 12 个料号价格持平,1 个料号价格上涨,9 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道,美光宣布其 276 层 TLC G9 NAND已量产,可提供比目前可用的竞争性 NAND 解决方案高出 99% 的单芯片写入带宽和高出 88%的单芯片读取带宽。 DRAM:颗粒价格小幅波动,三星电子转换平泽四厂为"DRAM 专用"。根据 DRAMexchange,上周(0729-0802)DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.68%至 1.24%,平均涨跌幅为-0.22%。上周6 个料号呈上涨趋势,12 个料号呈下降趋势,0 个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道,为补充因 HBM 供应而导致的通用 DRAM 供应不足,三星电子决定将平泽四厂(P4)转换为 DRAM 专用生产线。原本计划将 P4 工厂的一楼分为 NAND 和代工生产线,但现在计划将其改为专用的 DRAM 生产线。预计从 2025 年上半年开始,向 P4引进专用的 DRAM 设备。 HBM:三星电子将 HBM 组装检测工艺外包给子公司 STeco,Techwing 下半年将推出 HBM 综合检测设备。根据 CFM 闪存市场报道,三星电子正在调整其高带宽存储器(HBM)的生产策略,计划将 HBM 的组装检测工艺外包给其子公司 STeco。韩国半导体测试设备宣布,已完成 HBM 检测设备“Cube Prober”的开发,正在进行质量改进。三星电子第五代 8 层 HBM3E 产品目前正接受客户评估,计划第三季度实现量产。我们认为,受益于 AI 不断发展,算力卡需求攀升,HBM 产业链有望持续受益。 市场端:渠道和行业 SSD 价格保持稳定。上周(0729-0802)eMMC价格持平,UFS 价格持平。根据 CFM 闪存市场报道,本周渠道 SSD/内存条价格基本维持稳定。行业市场方面,本周行业 SSD 和内存条价格基本稳定。本周嵌入式价格维持不变。部分渠道终端客户因监管风向趋紧供应链出现断裂,为寻找新的货源,将目光转向嵌入式市场,带动嵌入式市场询单量攀升。 ◼ 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM:受益于算力芯片提振 HBM需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等; 存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业: 电子 日期: yxzqdatemark 分析师: 陈宇哲 E-mail: chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号: S1760523050001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源:Wind,甬兴证券研究所 相关报告: 《三星重启 NAND 设备投资,三星 1b DRAM 正顺利量产》 ——2024 年 07 月 23 日 《企业级需求支撑 NAND 价格,三星电子开发定制 HBM》 ——2024 年 07 月 15 日 《HBM 产能售罄至 2025 年,美光 1γ DRAM 试产顺利》 ——2024 年 07 月 09 日 -40%-30%-20%-10%0%10%08/2310/2312/2303/2405/2408/24电子沪深3002024年08月08日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 7 4. 公司公告 .................................................................................................... 8 5. 风险提示 .................................................................................................... 9 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格(美元) ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格(美元) ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格(美元) ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中大容量现货价格(美元) ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格(美元)........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格(美元)........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告(7.29-8.02)...................................................... 8 行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 3 1. 存储芯片周度价格跟踪 图1:NAND 中大容量现货价格(美元) 图2:NAND 中小容量现货价格(美元) 资料来源:iFind,甬兴证券研
[甬兴证券]:电子行业存储芯片周度跟踪:Lam Research推出低温蚀刻新技术,美光第九代NAND闪存技术宣布量产,点击即可下载。报告格式为PDF,大小0.7M,页数11页,欢迎下载。
