能源电子月报：功率半导体持续回暖，光储与汽车迎结构性增量

请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2024年08月02日能源电子月报功率半导体持续回暖，光储与汽车迎结构性增量行业研究 · 行业月报 电子投资评级：优于大市（维持）证券分析师：胡剑证券分析师：胡慧证券分析师：叶子证券分析师：詹浏洋联系人：连欣然021-60893306021-608713210755-81982153010-88005307010-88005482hujian1@guosen.com.cnhuhui2@guosen.com.cnyezi3@guosen.com.cnzhanliuyang@guosen.com.cnlianxinran@guosen.com.cnS0980521080001S0980521080002S0980522100003S0980524060001证券研究报告 | 请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容出货量持续改善，行业盈利能力有望修复l 新能源汽车：6月我国新能源上险乘用车功率模块中SiC MOSFET占比为12%，IGBT模块国产供应商占主导。整车情况：根据中汽协数据，我国6月新能源汽车单月销量104.9万辆(YoY+30.1%,MoM+9.8%)，单月新能源车渗透率为41.1%；插电混动销量43.6万辆(YoY+87.9%,MoM+17.5%)，占比为41.6%。主驱功率模块情况：IGBT模块主力厂商时代电气6月新增东风eπ008、哪吒AYA车型；芯联集成新增享界S9车型；斯达半导新增启源E07、易至EV3车型；士兰微新增银河E5、沃尔沃EX30、零跑C16等车型。碳化硅渗透情况：我国新能源上险乘用车中800V车型渗透率约12%，其中800V碳化硅渗透率提升至63%，24年陆续新增极氪系列、小米、红旗、奇瑞星纪元、海马等多款车型。l 充电桩：2024年1-6月，我国充电桩增量为164.7万台（YoY+14.2%），其中公共充电桩增加39.6万台(YoY+12.7%)，随车配建私人充电桩增加125.2万台(YoY+14.7%)；新增桩车增量比为1:3。l 光伏逆变器：7月中旬至今价格保持稳定，6月出口量因亚非拉市场需求带动创新高，新兴市场需求可持续性较强。l 功率器件交期：根据TTI与富昌电子数据，除部分IGBT产品，大部分功率器件产品交期与价格基本趋稳。l 台股功率半导体跟踪：供给端库存水位降低，汽车供应链格局变化带来增量机会。投资建议：中低压产品持续修复，产线稼动率逐步改善基础上迎来部分产品价格端修复；中低压MOSFET价格企稳，设计公司代工成本逐步优化，毛利率进入改善区间，汽车领域智能化、国产化以及海外厂商退出带来二极管等品类的增量机遇；光伏逆变器新兴市场需求带来IGBT出货量的修复机会；碳化硅车型加速推出。中短期维度下，扩产增速收敛，细分领域头部公司盈利能力有望得到阶段性修复；建议关注扬杰科技、新洁能、斯达半导、时代电气、华润微、士兰微、东微半导、宏微科技、捷捷微电及碳化硅产业链上游的天岳先进、晶升股份等公司。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容能源电子框架资料来源：英飞凌，国信证券经济研究所整理电网光伏/风电储能充电桩/电源/逆变器新能源汽车功率半导体变革逆变：直流-交流整流：交流-直流电流变频直流电压变换交流电压变换Si/SiC/GaN电力电子架构变革请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容数据中心与通信应用AC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETDC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFET驱动力1：数据及计算电源大幅增加驱动力2：基站数量增加驱动力3：MIMO antenna升级，功率半导体用量x4倍驱动力4：雾计算（fog computing）数据中心为全新市场p 数据中心电源、基站与通信电源资料来源：英飞凌、国信证券经济研究所整理BoM及用量均增加单位功率提升倍数服务器增速功率增速 x1.3ü 用电功率指数级增长催生器件和封装的技术创新以解决电源效率和功率密度提升带来的挑战ü 功率半导体等器件增速为服务器增速约 1.3 倍AI Training & Networking功率半导体增量场景2021增量1：新能源：光储车桩增量2：数据中心及通信202420272030增量3：工业自动化功率半导体用量联系人：叶子19842617551IG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LYSISIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / discretesWafersIG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / dWafers核心功率器件为GaN器件、中低压SGT MOS及Dr MOS等资料来源：英飞凌，国信证券经济研究所整理等多家功率器件及PMIC厂商请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容新能源汽车应用车载充电器DC/DC 转换器座舱域电池逆变器交流输入高压直流输入低压充电桩电网（交流）（直流）驾驶域车载充电器（OBC）高压电池辅助电机（º）电机48 V低压电池逆变器转换器充电桩交流 直流新能源汽车-能量流整车类型•轻混动 MHEV•混动 HEV•插电混动 PHEV•纯电动 BEV•燃料电池汽车 FCEV系统封 装功率器件•主逆变器•升压变流器•DC-DC转换器•车载充电器•电池管理系统•模块•分立器件•Si MOSFET•Si IGBT•Si BJT•SiC MOSFET•GaN HEMT•PMICIG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LYSISIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / discretesSyWafersIG BT mIGBT diesWafersIG BT SU PPLY C H A IN FO R EV/H EVIGBT diesInvN on-exhaustive listIGBT discretes / modulesFor a detailed technology and m arket analysis of EV/H EV, please refer to Yole’s“Power eleN D PLAYER A N A LYSISs m odelsModules / discretesSystems/converters(K rem ny)(Energom odul)(Z avod Iskra)主驱IGBT模块/IGBT单管超结MOS（OBC\DC-DC\充电桩）IG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYIG BT m arket business m odelsIGBT diesWafersIG BT SU PPLY C H A IN A