半导体存储行业跟踪：主流存储涨价持续，原厂提高先进制程投片

半导体存储行业跟踪： 主流存储涨价持续，原厂提高先进制程投片 证券研究报告 （优于大市，维持） 张晓飞（SAC号码：S0850523030002） 联系人：郦奕滢 2024年07月08日 2 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明  价格端：根据TrendForce集邦微信公众号，24年3月，观察到DRAM供应商库存虽已降低，但尚未回到健康水位，且在亏损状况逐渐改善的情况下，进一步提高产能利用率，整体一季度DRAM及NAND Flash价格涨幅分别达到20%及23~28%。第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者的补货动能较强，在预期DRAM及NAND Flash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大。  需求端：AI+半导体驱动存储需求提升。2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，Server DRAM单机平均容量预估年增17.3%；Enterprise SSD则预估年增13.2%。 3 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 HBM：根据TrendForce集邦微信公众号，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。 供给端：根据TrendForce集邦微信公众号，受到HBM产能排挤，若先进制程产能扩张不足，DRAM产品恐面临供不应求。若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。 投资建议：我们看好24年全球先进制程产能不足情况下全年主流存储维持涨价，建议长期关注主流存储模组企业中具备存储+先进封装逻辑的企业，以及利基存储IC设计企业中符合一定涨价逻辑或具备较大国产渗透空间且与晶圆厂绑定更为紧密的存储IC企业。 风险提示：存储芯片涨价不及预期；终端需求回暖不及预期；半导体国产替代进程不及预期。 4 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 图：24Q1 DRAM合约价涨幅 资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所 根据TrendForce集邦微信公众号，24年3月，观察到DRAM供应商库存虽已降低，但尚未回到健康水位，且在亏损状况逐渐改善的情况下，进一步提高产能利用率，整体一季度DRAM及NAND Flash价格涨幅分别达到20%及23~28%。 图： 24Q1 NAND Flash合约价涨幅 5 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 图：24Q2 DRAM及NAND Flash合约价涨幅预测 资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所 根据TrendForce集邦微信公众号，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。 6 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 根据TrendForce集邦微信公众号，第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者的补货动能较强，在预期DRAM及NAND Flash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动DRAM涨幅扩大。 第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%。DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5，仍可能出现季跌，意即24年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬，而是产品类别逐渐转移之故。NAND Flash合约价季涨幅则预估0~5%。 资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所 24Q3（F） 24Q4（F） Blended DRAM +8~13% +8~13% Blended NAND Flash +8~13% +0~5% 表：24H2 DRAM及NAND Flash合约价涨幅预测 7 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 根据TrendForce集邦微信公众号，2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，Server DRAM单机平均容量预估年增17.3%；Enterprise SSD则预估年增13.2%。 资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所 图：2023-2024年三大终端应用DRAM及NAND Flash单机平均搭载容量年成长率 8 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明  根据TrendForce集邦微信公众号，服务器整机出货趋势24年主要动能仍以美系CSP为大宗，但整体需求尚未恢复至疫情前成长幅度，预估2024年全球服务器整机出货量约1365.4万台，年增约2.05%。同时，市场仍聚焦部署AI服务器，AI服务器出货占比约12.1%。 资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所 图：2020-2024年全球服务器整机出货量同比增速（%） 9 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明  根据TrendForce集邦微信公众号，受到供应商减产影响，自2023年第四季起涌进的大容量订单需求尚未被完全满足，加上其它终端产品欲凭借建臵低价库存的采购策略而扩大订单，同时，AI服务器带动大容量存储需求明显成长，部分北美客户开始扩大采用QLC大容量SSD取代HDD，带动第一季Enterprise SSD采购位元季增逾两成，在量价齐涨的情况下，2024年第一季Enterprise SSD营收达37.58亿美元，季增62.9%。  TrendForce集邦咨询表示，第二季AI服务器对大容量SSD的需求持续看涨，除了推升第二季Enterprise SSD合约价格续涨超过两成，预估第二季Enterprise SSD营收成长幅度仍有机会续增20%。 资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所 10 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明  根据TrendForce集邦微信公众号，2025年随着AI应用完善、能处理复杂任务、提供更好的用户体验并提高生产力，将带动消费者对于更智能、更高效的终端设备需求迅速增长，AI NB渗透率将快速成长至20.4%的水位，预期AI NB浪潮亦将带动DRAM Content增长。  Tren