电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或提高1b DRAM良率，NAND/DRAM市场价小幅波动

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 A 三星电子或提高 1b DRAM 良率，NAND/DRAM 市场价小幅波动 ——存储芯片周度跟踪（2024.06.10-2024.06.14） ◼ 核心观点 NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动， 西部数据预览 2Tb QLC NAND 闪存芯片。根据 DRAMexchange，上周（0610-0614）NAND颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.62%至 3.11%，平均涨跌幅为 0.20%。其中 9 个料号价格持平，7 个料号价格上涨，6 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道，西部数据预览了其创新的 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片，这款芯片以其 218 层的堆叠技术，成为目前业界最高密度的闪存产品。BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片的单芯片容量达 2Tb，西数有望通过 16 层堆叠技术提供 4TB 的存储容量颗粒。 DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子或将提高 1b DRAM 良率及产能。根据 DRAMexchange，上周（0610-0614）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.69%至 0.04%，平均涨跌幅为-0.89%。上周1 个料号呈上涨趋势，15 个料号呈下降趋势，2 个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，三星电子存储部门已于上个月成立专门工作小组，以提高 1b DRAM 良率及产能，将从 2024 年上半年的每月 4 万张扩大到第三季度的 7 万张、然后第四季度达到 10 万张的规模，并计划 2025 年将产能扩大到 20 万张/月。 HBM：SK 海力士称其 HBM 产品比竞争对手产品更坚固。根据科创板日报报道，SK海力士声称，其 HBM采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造，比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固 60%。SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM安装的DRAM 顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用TC-NCF 生产的芯片少。 市场端：渠道和行业 SSD 价格保持稳定。上周（0610-0614）eMMC价格持平，UFS 价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，存储现货渠道市场需求寡淡，竞价出货以达降低库存水位。本周渠道内存条价格全面下调，渠道 SSD 整体价格暂时持平不变，部分渠道品牌 SSD 价格有一定的下滑，短期渠道行情仍不明朗。存储行业市场方面，因终端厂商原本就拥有一定的库存，上游资源价格仍居高位，采购端还是遵循按需拿货策略，本周行业 SSD 和内存价格维持不变。现货嵌入式市场方面，本周嵌入式产品整体价格维持不变，现货市场观望气氛依然浓厚。 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《美光扩充 HBM 产能，戴尔称 DRAM 成本或将上涨》 ——2024 年 06 月 11 日 《24Q1 全球 DRAM 环比+8.7%，预期 2025HBM 生产量翻倍》 ——2024 年 06 月 03 日 《NAND/DRAM 价格小幅波动，美光 HBM 产能维持高增速》 ——2024 年 05 月 27 日 -40%-30%-20%-10%0%10%06/2308/2311/2301/2404/2406/24电子沪深3002024年06月16日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（6.03-6.07）...................................................... 7 行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 3 1. 存储芯片周度价格跟踪 图1:NAND 中大容量现货价格（美元）