旗下快速热处理设备中标上海积塔招标，半导体设备产品矩阵再扩展

请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告 | 2022年07月20日买 入1万业企业（600641.SH）旗下快速热处理设备中标上海积塔招标，半导体设备产品矩阵再扩展 公司研究·公司快评 电子·半导体 投资评级：买入（维持评级）证券分析师：胡剑021-60893306hujian1@guosen.com.cn执证编码：S0980521080001证券分析师：胡慧021-60871321huhui2@guosen.com.cn执证编码：S0980521080002联系人：周靖翔021-60375402zhoujingxiang@guosen.com.cn联系人：李梓澎0755-81981181lizipeng@guosen.com.cn事项：事件：根据必联网电子招标投标平台信息，7 月 19 日，在上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目国际招标中，万业企业旗下孙公司嘉芯闳扬半导体设备科技（浙江）有限公司中标 4 台快速热处理设备。国信电子观点：快速热处理设备是晶圆前道制造关键热处理技术，根据 Gartner 数据，2021 年全球市场规模达到 11.6 亿美元，应用材料占据 74%份额主导市场，本土厂商屹唐半导体旗下 Mattson 占据 11%排名第二。本次嘉芯闳扬的快速热处理设备中标上海积塔特色工艺生产线国际招标，行业维度上，标志着国产半导体设备在快速热处理这一关键设备领域进一步壮大。嘉芯闳扬为万业企业控股子公司嘉芯半导体下辖两大半导体设备子公司之一，主要研发和生产半导体刻蚀机和快速热处理设备。嘉芯半导体系 2021 年 12 月公司与张汝京博士携手成立，与公司旗下全资子公司凯世通的离子注入机形成“1+N”半导体设备产品重要平台。本次中标，标志万业企业的“1+N”半导体设备产品平台矩阵进一步扩充，有望在本土晶圆扩产周期持续受益。我们预计 2022-2024 年公司营业收入 14.6、21.6、28.8 亿元，归母净利润 4.8、6.2、7.4 亿元，公司多种半导体设备商业量产导入，有望驱动未来三年业绩快速增长，“1+N”产品平台有望打开长期市值空间，维持“买入”评级。风险提示：下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，公司产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期的风险等。评论： 嘉芯闳扬中标积塔快速热处理设备招标，“1+N”半导体设备产品平台商业量产产品矩阵扩展根据必联网电子招标投标平台信息，7 月 19 日，在上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目国际招标中，万业企业控股孙公司嘉芯闳扬半导体设备科技（浙江）有限公司中标 4 台快速热处理设备。根据本次招标信息，该批 4 台快速热处理设备要求设备结构设计合理，采用先进成熟技术，保证系统具有良好的动态品质，在操作过程中操作者的视线要好。所选控制系统执行组件精度高，可靠性好，响应速度快。设备使用、操作、维修方便，造型美观，结构紧凑，整机运行稳定可靠，售后服务优良。嘉芯闳扬为万业企业控股子公司嘉芯半导体两大半导体设备子公司之一，主要研发和生产半导体刻蚀机和快速热处理设备。嘉芯半导体系 2021 年 12 月公司与张汝京博士携手成立，项目总投资 20 亿元，从事刻蚀机、快速热处理、薄膜沉积、清洗机、尾气处理、机械手臂等 8 寸和 12 寸半导体设备开发生产及设备翻新，与公司旗下全资子公司凯世通的离子注入机形成“1+N”半导体设备产品重要平台，本次嘉芯闳扬的快速热处理设备中标上海积塔特色工艺生产线国际招标，标志着继离子注入机导入国内晶圆大厂之后，又一主要半导体设备获得本土晶圆厂认可，公司“1+N”半导体设备产品平台矩阵进一步扩充，有望在本土晶圆扩产周期进一步受益。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告2图1：万业企业半导体设备、材料领域布局资料来源：Wind、公司公告、国信证券经济研究所整理 快速热处理设备为晶圆制造关键设备，超 11 亿美元市场迎本土新军加入前道制造工艺通过物理、化学工艺步骤在晶圆表面形成器件，并生成金属导线将器件相互连接形成集成电路。前道工艺共有七大工艺步骤，分别为氧化/扩散（Thermal Process）、光刻（Photo-lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric and Metal Deposition）、清洗与抛光（Clean & CMP）、金属化（Metalization），通过循环重复上述工艺，最终在晶圆表面形成立体的多层结构，实现整个集成电路的制造。由于制程提升，晶圆上集成的器件和电路复杂度和密度随之提升，先进逻辑芯片和存储芯片需要上千道工序去完成芯片的制造。热处理设备主要应用包含：氧化（Oxidation）、扩散(Diffusion)、退火(Anneal)、合金（Alloy）等工艺，广泛使用在半导体集成电路、先进封装、电力电子（IGBT）、微机械（MEMS）、光伏电池（Photovoltaic）制造：氧化：将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等。扩散：是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。在硅集成电路工艺中，扩散工艺用于制作 PN 结或构成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等器件。退火：也称热退火，集成电路工艺中所有在氮气等不活泼气氛中进行热处理的过程都可称为退火，其作用主要是消除晶格缺陷和消除硅结构的晶格损伤。合金：把硅片放置在惰性气体或氩气的环境中进行低温热处理，使金属（Al 和 Cu）和硅基行成良好的基础，以及稳定 Cu 配线的结晶结构并去除杂质，从而提高配线的可靠性。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告3图2：前道晶圆制造主要工艺资料来源：TEL、国信证券经济研究所整理快速热处理技术（Rapid Thermal Processing）随先进制程关键尺寸不断缩小，小结构的图形化所需的工序数量增加日渐成为关键热处理技术。先进尖峰退火、激光/闪光毫秒退火等 RTP 技术通过高强度灯直射晶圆表面，迅速加热至 1200 摄氏度及以上高温，将传统炉管退火几小时的加工时长缩短至几秒甚至几毫秒，从而在克服图形负载、降低热预算、漏电、界面层质量优化和高生产率灯众多加工难点具备更强竞争力，成为先进制程的关键热处理技术。图3：应用材料 VANTAGE RADIANCE™ PLUS RTP图4：应用材料 VANTAGE VULCAN® RTP资料来源： Applied Materials，国信证券经济研究所整理资料来源：Applied Materials，国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告4美日企业各具优势，国产厂商异军突起崭露头角。根据 Gartner 数据，2021 年全球前道半导体制造快速热处理设备市场规模