电子行业深度分析：乘AI东风，碳化硅行业迎新催化

本报告版权属于国投证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。 1 2026 年 04 月 26 日 电子 行业深度分析 乘 AI 东风，碳化硅行业迎新催化 证券研究报告 投资评级 领先大市-A 维持评级 首选股票 目标价（元） 评级 行业表现 资料来源：Wind 资讯 升幅% 1M 3M 12M 相对收益 -6.5 4.0 24.7 绝对收益 -10.9 0.7 39.2 马良 分析师 SAC 执业证书编号：S1450518060001 maliang2@essence.com.cn 朱思 分析师 SAC 执业证书编号：S1450523090002 zhusi1@essence.com.cn 相关报告 OFC 光通信大会新品齐发，MLCC/高阶铜箔涨价持续 2026-03-21 英伟达 GTC 大会即将举行，应用材料联手 SK 海力士与美光 2026-03-14 Micro LED CPO 方案持续推进，英伟达加码光互联 2026-03-07 国产算力崛起：内外双轮驱动下的自主生态突围 2026-03-04 载板涨价趋势持续，英伟达FY26Q4 业绩超预期 2026-02-28 AIDC 供电走向 800V HVDC 技术架构，SiC 功率器件迎来新增量： AI 机柜功率密度持续飙升，传统低压供电已达物理极限，800V HVDC 高压直流架构是下一代 AI 数据中心的必然选择。英伟达 2025 年 5月官方宣布，数据中心正从当前的 54V 机架供电向 800V HVDC 高压直流架构过渡，目标是 2027 年实现该架构的规模化商用，以支撑 1MW 及以上超高功率密度 IT 机架的电力需求。随着 AI 服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC 功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望随 800V HVDC 方案推进而扩大。 SiC 的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势： CoWoS 等先进封装已成为 GPU+HBM 高带宽互连的重要路径，但更高TDP 与更大互连跨度使热点温升、CTE 失配与可靠性问题凸显。SiC 的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在 COWOS 中介层应用中，SiC 热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC 可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功率器件协同路径中，SiC 器件的高耐压、高效率与高温可靠性可用于近封装电源管理场景，以提升供电效率。随着 AI 芯片功率密度越来越高，SiC 从散热基座到中介层的应用有望在高端芯片封装领域中开始渗透。 SiC+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主流方案： 终端形态向“眼镜化”演进，光学系统对折射率、厚度、杂散光控制与环境稳定性要求显著提升；显示侧对高亮度与散热提出更严苛的要求。传统玻璃与树脂基材已逼近物理性能极限，难以满足下一代智能眼镜的核心体验要求。相比之下，碳化硅（SiC）凭借其超高折射率、高热导率与高硬度的独特材料特性，在衍射光波导技术路线上实现了代际突破，有望成为 AI 智能眼镜光学系统升级的主流方向。Meta 在其 Orion AI 眼镜旗舰原型机中，正式采用碳化硅基光波导架构。 投资建议：建议关注天岳先进、蓝特光学、芯联集成、中瓷电子、龙旗科技、晶盛机电、晶升股份等 风险提示：AI 落地进展不及预期；产品研发不及预期；市场开拓不及预期。 -16%-6%4%14%24%34%44%54%2025-032025-072025-112026-03电子沪深300998948020行业深度分析/电子 本报告版权属于国投证券股份有限公司，各项声明请参见报告尾页。 2 内容目录 1. 碳化硅材料具备卓越的物理特性，是高温、高频、高压场景下的理想选择 ........... 4 2. AI 数据中心电源方案往 800V HVDC 架升级，碳化硅器件迎新需求 .................. 5 2.1. 800V HVDC 规模化验证提速，2027 年成放量拐点 .......................... 5 2.2. 碳化硅以其卓越的物理特性，在 800V HVDC 中获得应用...................... 6 3. 碳化硅的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势 .................... 10 4. 碳化硅+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主要方案之一 ................... 13 5. 相关企业 .................................................................. 17 5.1. 天岳先进 ............................................................ 17 5.2. 蓝特光学 ............................................................ 18 5.3. 芯联集成 ............................................................ 19 5.4. 中瓷电子 ............................................................ 20 5.5. 龙旗科技 ............................................................ 21 5.6. 晶盛机电 ............................................................ 22 5.7. 晶升股份 ............................................................ 22 6. 风险提示 .................................................................. 23 图表目录 图 1. 从 415 伏交流过渡到 800 伏直流配电 ........................................ 5 图 2. NVIDIA 800 V HVDC 架构可更大限度地减少能源转换 .......................... 6 图 3. 2021—2026 年欧盟电力变化的预估驱动因素 .................................. 6 图 4. Sic MOSFET 的平面结构（左）和沟槽结构（右） ..