半导体设备行业研究系列：薄膜沉积设备，行业持续成长，国产替代持续，关注国内PVDCVD领先厂商

识别风险，发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 / 13 [Table_C ontacter] 本报告联系人： 蔡锐帆 cairuifan@gf.com.cn [Table_Page] 行业专题研究|半导体 2020 年 3 月 5 日 证券研究报告 [Table_Title] 半导体设备研究系列 薄膜沉积设备：行业持续成长，国产替代持续，关注国内 PVD/CVD 领先厂商 [Table_Author] 分析师： 许兴军 分析师： 罗立波 分析师： 王亮 SAC 执证号：S0260514050002 SAC 执证号：S0260513050002 SAC 执证号：S0260519060001 SFC CE.no: BFS478 021-60750532 021-60750636 021-60750632 xuxingjun@gf.com.cn luolibo@gf.com.cn gfwangliang@gf.com.cn 分析师： 王璐 SAC 执证号：S0260517080012 021-60750632 wanglu@gf.com.cn 请注意，许兴军,罗立波,王璐并非香港证券及期货事务监察委员会的注册持牌人，不可在香港从事受监管活动。 [Table_Summary] 核心观点：  薄膜沉积设备：半导体制造环节中的重要设备。半导体制造中的薄膜沉积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺，这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积有化学和物理工艺之分，具体而言可分为化学气相沉积（CVD，15%，Gartner 统计的 2018 年占半导体制造设备比重数据，下同）、物理气相沉积（PVD 或溅射，4%）、其他沉积（3%）三大类。按 2018 年 Gartner 的划分，CVD 中管式 CVD 占 18%、非管式低压CVD 占 16%、原子层沉积 ALD 占 16%、等离子体 CVD（包括 PECVD 和 HDPCVD）占 49%；其他沉积中，电镀占 27%、MOCVD 占 31%、外延占 37%、旋涂绝缘介质 SOD 占 2%。  下游需求与技术演进带来沉积设备市场增长。从行业空间来看，薄膜沉积设备一方面长期受益全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术的演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与 3D NAND存储技术。根据 SEMI 的统计，2018 年全球半导体设备达到 645.3 亿美元，其中晶圆处理设备为 502 亿美元，其中计算可得 2018 年 CVD 设备和其他沉积设备的全球市场规模分别达 85.1 亿美元和 42.7 亿美元。  壁垒高企，国外厂商占据沉积设备绝大部分市场。根据 Gartner 2018 年的数据，CVD 前三大厂商应用材料、Lam 和东京电子占据全球 74%的份额，PVD 仅应用材料一家就占据了 74%的份额，其他沉积设备前三大厂商应用材料、Lam 和 Aixtron 占据 67%的份额。国内设备厂商中占有一定份额的是北方华创（PVD 占比 1.4%）和中微公司（其他沉积占 7%，主要为 MOCVD 设备）。  国内沉积设备迎来技术与订单突破，持续受益国产替代机遇。国内集成电路沉积设备主要厂商为北方华创和沈阳拓荆，近年来两家公司分别在技术储备以及客户认证方面取得良好进展。北方华创官网与年报显示，公司 PVD设备应用跨越 90 纳米至 14 纳米的多个技术代， 12 寸 PVD、ALD 以及 LPCVD 设备进入集成电路主流代工厂。沈阳拓荆官网显示其 PECVD、ALD 上具有一定进展，其中 12 英寸 PECVD 设备，可用于 40-28 纳米集成电路的生产，并具有 14-5 纳米技术的延伸性。根据中国招标网，2018 年中标长江存储 PVD 订单一共 2 台，均来自北方华创，2019 年 12 台 PVD 中也有 1 台来自北方华创。同时 2019 年 17 台 PECVD 中有 4 台来自沈阳拓荆。  投资建议。建议关注北方华创（PVD）、沈阳拓荆（CVD，未上市）和中微公司（MOCVD，参股沈阳拓荆）。  风险提示。技术更新换代风险；下游投资不及预期风险；专利风险等。 [Table_Report] 相关研究： 半导体行业国产替代六:供需共振，国产半导体设备再启航 2019-04-04 识别风险，发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2 / 13 [Table_PageText] 行业专题研究|半导体 [Table_impcom] 重点公司估值和财务分析表 股票简称 股票代码 货币 最新 最近 评级 合理价值 EPS(元) PE(x) EV/EBITDA(x) ROE(%) 收盘价 报告日期 （元/股） 2019E 2020E 2019E 2020E 2019E 2020E 2019E 2020E 北方华创 002371 CNY 131.72 2020/02/04 买入 136.20 0.66 1.26 199.58 104.54 94.91 64.66 5.5 9.5 中微公司 688012 CNY 154.3 2019/11/26 买入 74.70 0.37 0.51 432.43 313.73 491.83 257.76 5.1 6.7 数据来源：Wind、广发证券发展研究中心 备注：表中估值指标按照最新收盘价计算 pOsRrPvMoPnNqPsRqPmQmN8O8QaQpNrRoMmMiNoOoNfQpPqN8OpNpMxNmPsMNZqMqP 识别风险，发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3 / 13 [Table_PageText] 行业专题研究|半导体 半导体制造中的薄膜沉积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅（具有多晶结构的硅）以及金属，比如钢和难熔金属（如钨）。薄膜沉积设备在半导体的前道基板工序FEOL（制作晶体管等部件）和后道布线工序BEOL（将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路）均有多处应用。 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是晶核形成，成束的稳定小晶核形成，这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来，形成附着在硅片表面的分离的小膜层的时候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜进一步生长的基础。第二步聚集成束，也称为岛生长。这些随机方向的岛束依照表面的迁移率和束密度来生长。岛束不断生长，直到第三步即形成连续的膜，这些岛束汇集合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。 图1：薄膜沉积示意图 图2：薄膜生长的步骤 数据来源：《半导体制造技术》（Michael Quirk、Julian Serda著，电子工业出版社出版），广发证券发展研究中心 数据来源：《