存储行业专题研究报告：“供给出清+国产替代加速”，国内存储厂商迎来历史性机遇

“供给出清+国产替代加速”，国内存储厂商迎来历史性机遇——存储行业专题研究报告西部证券研发中心2025年05月21日证券研究报告分析师 | 郑宏达 S0800524020001 邮箱地址 zhenghongda@research.xbmail.com.cn联系人 | 王修远邮箱地址 wangxiuyuan@research.xbmail.com.cn请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明核心结论核心结论2【核心结论】消费类存储产品迎来涨价，有望引领存储市场开启新一轮景气周期•供给：海外厂商2024年底宣布减产10%~15%中低端产能，2025年以来渠道库存正逐步恢复正常；国内厂商积极进行产品技术迭代以承接海外大厂退出份额，整体市场竞争环境Q2起有望逐步改善。•需求：高端应用领域仍供不应求，互联网厂商持续扩产维持需求景气；消费类市场终端需求复苏力度有限，但在上游减产影响下渠道库存持续回落，客户补货意愿增强。•价格：随着供给端减产效应凸显，存储芯片25Q1以来价格降幅环比持续收窄，部分中低端品类已现涨价迹象；结合近期各模组厂陆续涨价约10%，预计从消费类市场开始将进入涨价区间，有望开启新一轮景气周期。服务器市场率先享受AI产业红利，端侧AI应用一旦落地也有望带动供应链厂商需求量价齐升•AI服务器2024年出货量占全球服务器比重超14%，带来整体服务器市场价值量增长近70%，2025年预计维持这一增长趋势。AI服务器存储单机价值量是通用服务器的2~4倍，其渗透率的提升将显著拉升服务器存储需求景气度；AI产业趋势下，预计DDR5渗透率2024年达70%以上，内存接口芯片及配套芯片需求显著受益，率先享受AI产业红利。•端侧产品目前基本维持存量竞争状态，端侧AI应用如AI手机、AI PC在硬件层面已经成熟，期待爆款应用场景落地引爆端侧产品换机周期。AI手机和AI PC单机存储模块价值量和用量均有明显提升，端侧需求爆发将为上游存储厂商带来增量空间。【区别于市场的观点】供需方面，市场通常更加关注下游需求变化和公司业绩释放情况，我们认为存储行业作为周期敏感型板块，股票层面具有典型的早周期特征，故应更多关注渠道库存和价格的边际变化。其次，市场通常担心国内公司产能释放带来竞争格局恶化问题，我们认为，国内公司总体份额小，具备提供中高端产品技术能力的公司，更多将通过产品升级抢占海外头部厂商份额，而非内部互相竞争。请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明投资建议投资建议3【主要逻辑】“供给收缩+技术升级”驱动国产替代加速，国内存储厂商迎来历史性机遇•海外大厂退出中低端市场叠加贸易壁垒影响，国内终端客户供应链国产化述求越发强烈，各大云服务厂商和数据中心纷纷开始导入国产品牌，为国内存储厂商向高端化发展打开了通道。•在供需关系不断改善下国产替代进程有望加速，国内存储厂商或将迎来历史性机遇，有望在下一轮产业上行周期中实现“周期+成长”的超越行业贝塔的反弹。【投资建议】存储模组：建议关注德明利、江波龙在企业级存储方面的布局；推荐天山电子，关注其在模组业务方面的进展。存储芯片：建议关注国内芯片龙头兆易创新、北京君正；以及普冉股份终端产品高端化趋势。内存接口等配套芯片：建议关注澜起科技、聚辰股份在存储产业技术变革（DDR5升级）中的机会，包括澜起科技在PCIe Retimer、CXL等“运力”芯片方面的进展。风险提示：1）贸易摩擦及政策变动风险；2）市场竞争加剧风险；3）技术迭代风险。CONTENTS目录CONTENTS目 录云服务厂商资本支出加码，企业级存储率先放量AI+推动端侧存储产品量价齐升国产替代加速或为国内存储厂商带来新一轮成长机遇010203存储产业周期或见底，AI应用驱动需求持续向上04请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明资料来源：CSDN，启明智显，芯查查，与非网，闪德资讯，半导体行业观察，西部证券研发中心5存储市场主要产品分类存储市场主要产品分类半导体存储器易失性存储器（数据断电消失）非易失性存储器（数据断电不消失）DRAM（密度更高、单位成本更低）SRAM（速度更快、成本更高）ROM（擦除效率低、可擦除次数少）Flash（擦除效率高、可擦除次数多）HBM（3D堆叠DDR，性能最高）新型存储器NAND Flash（大容量、写入快、成本低）同步DRAMNOR Flash（读取快、成本高、支持芯片内执行）按保存数据时间长短UFSeMMCSSDCFI NORSPI NOR（体积小、成本低，主流）DDR1~5SDR（速度慢，淘汰）按代际、性能更高、速度更快按是否需要刷新电路按数据擦除效率掩膜ROM（不可擦除）可编程ROM（偶尔擦除）LPDDR（低功率）GDDR（GPU专用）SLCMLCTLC速度更快、容量更大、成本更高密度更高、寿命更低、成本更低按模组性能按存储单元类型QLCPLCUVPROMEEPROM擦除更容易异步SRAM（速度相对慢）同步SRAM（速度快、成本高）异步DRAM（少见）OTPROM（只能被编程一次）普通DDRPCM（相变存储器）ReRAM（阻变存储器）FRAM（铁电存储器）按是否支持芯片内执行eMCPuMCP与LPDDR合封2D/3D NAND按物理架构速度更快、功耗更高、成本更高MRAM（磁性存储器）根据不同材质、原理当前主流产品请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明资料来源：贝哲斯咨询，中商产业研究院，Market.us，HDIN Research，GMI，Business Research，straits，QYResearch，Research Nester，中金企信，西部证券研发中心6DRAMDRAM和NANDNAND FlashFlash是存储市场的两大核心产品是存储市场的两大核心产品•根据贝哲斯咨询2025年发布的最新产业资讯，2024年全球存储市场规模接近1720亿美元，预计2032年可增长至3549亿美元，CAGR约9.5%；另根据中商产业研究院统计，中国2024年存储市场规模接近770亿美元，占比约45%。存储芯片类别产品特点主要应用全球龙头中国大陆及台湾厂商市场规模（2024，亿美元）占比易失性存储DRAM高密度、价格低，速度相对慢、功耗高，适合大容量应用PC、服务器、手机等内存模块 三星、美光、海力士长鑫存储、兆易创新、南亚969（包含模组、HBM）56%SRAM速度快、功耗低，低密度、价格贵，适合小容量高速应用CPU缓存、高速缓存赛普拉斯、英飞凌、瑞萨兆易创新、华邦7＜1%HBM3D封装DRAM，带宽高、功耗低、成本高，适用于高性能计算HPC、GPU、数据中心三星、美光、海力士南亚、长鑫存储（初步布局）18010%非易失性存储NAND Flash读取慢、写入快，高密度、低成本，适合频繁读写和大容量应用SSD、U盘、存储卡、手机、嵌入式三星、美光、海力士、铠侠、西部数据长江存储、兆易创新、华邦848（包含模组）49%NOR Flash读取快、写入慢、可靠性高、低密度，适合快速读取应用主板固件、网通设备、物联网系统赛普拉斯、美光、华邦 兆易创新、华邦、旺宏272%EEPROM非易失性、寿命长、容量小、速度慢、成本低，适合不需要高频写入的小容量应用存储不需要经常更