拓荆科技(688072)深度报告：薄膜沉积设备国内领军者，混合键合设备第二成长曲线

拓荆科技(688072)深度报告：薄膜沉积设备国内领军者，混合键合设备第二成长曲线评级：买入(维持)证券研究报告2025年01月17日半导体姚健(证券分析师)杜先康(证券分析师)S0350522030001S0350523080003yaoj@ghzq.com.cnduxk01@ghzq.com.cn请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明2相对沪深300表现表现1M3M12M拓荆科技-5.5%12.5%23.3%沪深300-2.8%0.6%18.1%最近一年走势-25%-4%16%36%56%76%2024/01/172024/05/172024/09/172025/01/17拓荆科技沪深300市场数据2025/01/17当前价格（元）154.9552周价格区间（元）101.40-222.22总市值（百万）43,125.81流通市值（百万）23,837.56总股本（万股）27,832.08流通股本（万股）15,384.03日均成交额（百万）629.02近一月换手（%）56.46相关报告《拓荆科技（688072）2024年半年报点评：2024Q2业绩高增长，产品种类持续丰富（买入）*半导体*姚健，杜先康》——2024-09-01请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明3核心提要u 投资逻辑Ø薄膜沉积设备国产替代龙头，受益于国内晶圆扩产及工艺升级。薄膜沉积设备是芯片制造三大核心设备之一，先进工艺对薄膜沉积不断提出新的要求，我们测算，2023/2024E/2025E全球薄膜沉积设备市场空间为210.3/216.3/248.1亿美元，中国大陆薄膜沉积设备市场空间为72.7/73.5/84.4亿美元。公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，核心产品PECVD快速放量，同时持续丰富设备品类，截至2024H1末，公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备可支持逻辑/存储芯片所需全部介质薄膜材料约100多种工艺应用，行业领先地位显著，有望优先受益于国内晶圆扩产和薄膜沉积设备国产替代。Ø前瞻布局混合键合设备，开启第二成长曲线。混合键合是无凸点永久键合的高密度互连技术，目前已在CIS、3D NAND等领域实现商业应用，根据Yole预测，HBM4有望开始应用混合键合。公司前瞻布局混合键合设备，晶圆对晶圆键合产品现已实现产业化应用，芯片对晶圆键合表面预处理产品现已通过客户验证。2024年12月2日美国BIS宣布新规，将HBM纳入严格管控，国内HBM有望加速扩产，叠加HBM产品持续迭代，公司混合键合设备成长前景广阔。u 投资建议：我们预计公司2024-2026年收入分别为38.36/51.78/67.75亿元，归母净利润分别为5.56/9.14/13.33亿元，对应EPS分别为2.00/3.29/4.79元，对应PE分别为78X/47X/32X。公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，近年积极布局混合键合，打开长期发展空间，维持“买入”评级。u 风险提示：新品研制不及预期；下游客户扩产进度不及预期；行业竞争加剧风险；地缘因素不确定性；市场空间测算偏差风险；研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时的风险。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明41、薄膜沉积设备国产替代龙头，产品矩阵持续丰富请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明5薄膜沉积设备国产替代龙头u 薄膜沉积设备国内领跑者，前瞻布局混合键合设备。2010年公司成立，2011年公司首台12英寸PECVD出厂到中芯国际验证，2013年通过中芯国际产品线测试，2016年公司首台12英寸ALD出厂到客户端，2019年公司SACVD研制成功并出厂到客户端，2022年公司Hybrid Bonding设备出厂，同年公司成功登陆科创板。公司成立至今聚焦薄膜沉积设备，现已形成PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜设备系列产品，近年积极发力混合键合设备，下游涉及集成电路晶圆制造、TSV封装、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED等领域。图表1：公司发展历程资料来源：公司官网，公司招股说明书，公司年报，国海证券研究所请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明6薄膜沉积设备国产替代龙头u PECVD是主打产品，产品矩阵持续完善。公司主要产品包括薄膜沉积设备（PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等），广泛应用于国内集成电路逻辑、存储芯片等制造产线，同时开发了混合键合设备，应用于晶圆级三维集成领域。ØPECVD系列：主要包括PECVD和UV Cure，其中，PECVD是公司主打产品，UV Cure主要用于薄膜紫外线固化处理，与PECVD成套使用。ØALD系列：包括PE-ALD和Thermal-ALD，其中，PE-ALD适用于沉积硅基介质薄膜材料，Thermal-ALD适用于沉积金属、金属氧化物、金属氮化物等材料。ØSACVD系列：主要用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺。ØHDPCVD系列：主要用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺。Ø混合键合系列：包括晶圆对晶圆键合、芯片对晶圆键合表面预处理产品。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明7薄膜沉积设备国产替代龙头图表2：公司主要产品资料来源：公司公告，国海证券研究所请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明8薄膜沉积设备国产替代龙头u 公司股权较为分散，并无控股股东和实际控制人，根据公司2024年三季报，公司前三大股东为国家集成电路产业投资基金、国投（上海）和中微公司，分别持股19.77%、13.61%、7.37%，沈阳信息产业创业投资管理有限公司和中科仪分别持股1.67%、1.54%。根据公司2024中报，公司全资子公司拓荆北京、拓荆上海、拓荆创益及参股子公司拓荆键科主要从事半导体专用设备的研发及生产，主要经营地址分别为北京、上海、沈阳及浙江，全资子公司岩泉科技主要从事对外投资活动。图表3：股权结构（2024三季报）图表4：公司主要子公司（2024中报）资料来源：公司公告，iFinD，国海证券研究所请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明9薄膜沉积设备国产替代龙头图表5：公司部分高管u 管理层产业经验丰富，长期发展核心竞争力。公司创始团队以海归专家为核心，多位高管产业经验丰富，保障核心竞争力。董事长吕光泉是美国加州大学圣地亚哥分校博士，曾先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部，历任副研究员、工程技术副总裁等职。核心技术人员姜谦是美国布兰迪斯大学博士，曾先后任职于麻省理工学院、英特尔、美国诺发、欣欣科技（沈阳）有限公司，历任研究员、研发副总裁、执行董事等职位。资料来源：公司公告，国海证券研究所请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明10PECVD快速放量，产品矩阵持续丰富u PECVD收入持续快速增长，多类新品加速放量。受益于近年国内晶圆厂扩产及设备国产替代，公司主打产品PECVD设备收入持续快速增长，同时持续丰富产品矩阵，2019-2023年公司营收CAGR达81.14%，2021年公司实现扭亏，2021-2023年公司归母净利润CAGR达211.03%。2024Q1-3公司营收22.78亿元，同比增长33.79%，主要系公