电子行业存储芯片周度跟踪：美光或下调10%NAND闪存产能利用率，铠侠宣布已开发出OCTRAM技术

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 美光或下调 10% NAND 闪存产能利用率，铠侠宣布已开发出 OCTRAM 技术 ——存储芯片周度跟踪（2024.12.23-2024.12.27） ◼ 核心观点 NAND：美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓。根据 DRAMexchange，上周（1223-1227）NAND 颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至 3.17%，平均涨跌幅为 0.41%。其中 11 个料号价格持平，9 个料号价格上涨，2 个料号价格下跌。根据 IT 之家报道，美光高管确认该企业在闪存市场需求放缓的背景下将其 NAND 晶圆启动率较此前水平下调 10% 并减慢制程节点转移。美光预计在结束于 2025 年 2 月末的第二财季中，该企业的 NAND 比特出货量将出现显著的环比下降；同时 NAND 负载不足也将影响本财年第二财季的毛利率。 DRAM: 铠侠宣布已开发出 OCTRAM 技术。根据 DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.45%至 3.12%，平均涨跌幅为-0.10%。上周7个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，铠侠宣布已开发出 OCTRAM 技术，这是一种新型 4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低 DRAM 功耗。该技术有望降低各种应用的功耗，例如人工智能、后 5G 通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储（SCM）技术，以及适配高密度和高性能的新型 3D NAND FLASH。 HBM：Marvell 推出定制 HBM 计算架构，提高 XPU 性能、效率和总拥有成本。根据 CFM 闪存市场报道，Marvell 宣布推出一种新的定制 HBM 计算架构，使 XPU 能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制 XPU 的性能、效率和 TCO。Marvell 正与云客户和领先的 HBM制造商美光、三星电子和 SK 海力士合作，为下一代 XPU 定义和开发定制 HBM 解决方案。 市场端：行业市场整体表现平稳。根据 CFM 闪存市场，渠道市场部分低价资源缺货不断发酵下，带动部分囤货需求逐渐释放，短期出现小部分试涨行情；嵌入式产品也受原厂部分低容量旧制程 NAND 资源停产影响导致货源供应紧张，本周低容量 eMMC 产品价格继续小幅上扬；而行业市场在 PC 大客户订单相对稳定下整体表现平稳。 ◼ 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 联系人： 林致 E-mail： linzhi@yongxingsec.com SAC编号： S1760123070001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《三星电子或建 10nm 第七代 DRAM 测试线，存储现货市场横盘为主》 ——2024 年 12 月 24 日 《Marvell 推出定制 HBM 计算架构，现货市场价格保持稳定》 ——2024 年 12 月 23 日 《铠侠和三星预计减产NAND，美国升级对华出口管制》 ——2024 年 12 月 09 日 -30%-16%-2%12%26%40%12/2303/2405/2408/2410/2412/24电子沪深3002024年12月31日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（12.23-12.27） .................................................. 7 行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 3 1. 存储芯片周度