电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或建10nm第七代DRAM测试线，存储现货市场横盘为主

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 三星电子或建 10nm 第七代 DRAM 测试线，存储现货市场横盘为主 ——存储芯片周度跟踪（2024.12.16-2024.12.20） ◼ 核心观点 NAND：群联电子财报指出市场对高容量 NAND 存储模组产品的需求持续稳健增长。根据 DRAMexchange，上周（1216-1220）NAND颗粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至 5.00%，平均涨跌幅为 0.43%。其中 11 个料号价格持平，7 个料号价格上涨，4 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道，群联财报指出，截至 11 月为止，控制芯片累计总出货量同比增长 30%，整体 NAND Bit 累计出货量年成长率达 14%，创历史同期新高，反映出市场对高容量 NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。 DRAM: 三 星 电 子 抢 建 10nm 第 七 代 DRAM 测 试 线 。 根 据DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.04%至 2.12%，平均涨跌幅为-0.33%。上周 6 个料号呈上涨趋势，10 个料号呈下降趋势，2 个料号价格持平。根据 CFM闪存市场报道，三星准备同步推进第七代 DRAM 测试线的建设与第六代 DRAM 的量产准备，计划从 2025 年初开始在平泽第四工厂（P4）引进设备，生产 10 纳米级第六代 DRAM，并力争在 2025 年 5 月获得内部量产批准（PRA）。 HBM：南亚科技与 PieceMakers 合作开发定制化 HBM。根据 CFM闪存市场，南亚科技与 PieceMakers 达成战略合作伙伴关系，共同开发定制化超高带宽内存（HBM）解决方案。南亚科技将认购 6.6 亿新台币的现金增资，预计将收购 PieceMakers 最多约 38% 的股份。此次合作将结合南亚科技的 10 纳米级 DRAM 创新与 PieceMakers 在定制DRAM 设计方面的专业知识，开发高价值、高性能、低功耗的定制超高带宽内存解决方案，为人工智能和高性能计算市场开启新的机遇。 市场端：存储现货市场横盘为主。根据 CFM 闪存市场，近期存储现货市场仍以横盘为主。具体来看，渠道资源端受控货行为影响令部分资源价格涨跌不一；而行业市场部分特殊市场需求逐渐释出，行业厂商积极促成实单交易；嵌入式方面在 POS 等应用市场相对活跃带动下，部分低容量 eMMC 产品备货需求仍有较高热情，但客户开价普遍较低，存储厂商降价出货意愿不强，在无实际提货需求情况下买方多以观望为主。 ◼ 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 联系人： 林致 E-mail： linzhi@yongxingsec.com SAC编号： S1760123070001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《铠侠和三星预计减产NAND，美国升级对华出口管制》 ——2024 年 12 月 09 日 《3Q24 NAND Flash 营收季增4.8%，11 月存储现货市场普遍维持低位震荡筑底》 ——2024 年 12 月 03 日 《SK 海力士宣布量产 321 层NAND 闪存，行业 SSD/内存条价格趋稳》 ——2024 年 11 月 27 日 -30%-16%-2%12%26%40%12/2303/2405/2407/2410/2412/24电子沪深3002024年12月24日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（12.16-12.20） .................................................. 7 行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 3