存储芯片行业周度跟踪：SK海力士宣布量产321层NAND闪存，行业SSD／内存条价格趋稳

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 SK 海力士宣布量产 321 层 NAND 闪存，行业 SSD/内存条价格趋稳 ——存储芯片周度跟踪（2024.11.18-2024.11.22） ◼ 核心观点 NAND：SK 海力士宣布量产 321 层 NAND 闪存，2025 年上半年开始供应。根据 DRAMexchange，上周（1118-1122）NAND 颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.35%至 3.33%，平均涨跌幅为-0.10%。其中 17 个料号价格持平，1 个料号价格上涨，4 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道，SK 海力士宣布，开始量产全球最高的 321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。此次 321 层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了 12%、13%，并且数据读取能效也提高 10%以上。 DRAM: 2024 年三季度 DRAM 市场规模环比增加 10.4%至 258.5 亿美元。根据 DRAMexchange，上周（1118-1122）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.61%至 0.00%，平均涨跌幅为-0.63%。上周0 个料号呈上涨趋势，17 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，2024 年三季度 DRAM 市场规模环比增加10.4%至 258.5 亿美元。因 AI 及服务器需求仍保持一定热度，三星、SK 海力士和美光的 DRAM 收入在三季度依然保持环比增长，而其他包括手机、PC 和消费电子产品的需求相对疲软，令南亚科技和华邦电子的 DRAM 收入出现减少。 HBM：第六代 HBM（HBM4）中或引入无助焊剂键合技术。根据CFM 闪存市场报道，随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂 DRAM 键合技术，旨在将 DRAM 堆叠时的间距最小化。目前 HBM 制造商正积极推动在第六代 HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。除无助焊剂键合技术外，业界也正在研发混合键合技术，预计最快将应用于 HBM4E 产品，2026 年导入量产。在此之前，无助焊剂键合技术预计将先实现商用化。 市场端：行业 SSD/内存条价格趋稳。根据 CFM 闪存市场报道，本周渠道 SSD/内存条价格小幅下跌;近期部分 PC 客户追加订单，行业SSD/内存条价格趋稳；继连跌近一个月之后，嵌入式产品报价也暂时维持不变。渠道端内存条持续受低端资源冗余影响，自 2024 年 4月初以来，价格便一路走跌，部分低容量内存条近半年多跌幅已逾40%，也因此前跌幅过大，相对于 SSD，渠道内存条价格降幅空间相对有限，但受制于需求仍然未见明显起色，整体来看渠道行情向下难有改观。 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 联系人： 林致 E-mail： linzhi@yongxingsec.com SAC编号： S1760123070001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《群联称 NAND 原厂或将在 12月减产，三星电子扩建 HBM等半导体封装工厂》 ——2024 年 11 月 18 日 《SK 海力士 16 层 48GB HBM3E 将于 2025 年初送样，渠道市场价格小幅下修》 ——2024 年 11 月 13 日 《三星电子计划生产 400 层堆叠 NAND，渠道市场短暂止跌》 ——2024 年 11 月 10 日 -30%-18%-6%6%18%30%11/2302/2404/2406/2409/2411/24电子沪深3002024年11月27日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 7 4. 公司公告 .................................................................................................... 8 5. 风险提示 .................................................................................................... 9 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（1