存储芯片行业周度跟踪：群联称NAND原厂或将在12月减产，三星电子扩建HBM等半导体封装工厂

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 群联称 NAND 原厂或将在 12 月减产，三星电子扩建HBM 等半导体封装工厂 ——存储芯片周度跟踪（2024.11.11-2024.11.15） ◼ 核心观点 NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，群联称 NAND 原厂或将在12 月减产。根据 DRAMexchange，上周（1111-1115）NAND 颗粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.62%至 1.54%，平均涨跌幅为-0.08%。其中 11 个料号价格持平，3 个料号价格上涨，8 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道，群联电子潘健成指出，NAND 原厂很可能将在 12 月减产，推动 2025 年下半重回供应紧缺的局面。A 市场需求未来将会延伸到消费者及企业用市场，将是群联布局的强项，对于 2025 年的 NAND Flash 市场前景仍抱持正面看待。 DRAM：颗粒价格小幅下跌，ASML 称 2025-2030 年间高级逻辑和DRAM 的 EUV 光 刻 支 出 复 合 年 增 长 率 将 达 两 位 数 。 根 据DRAMexchange，上周（1111-1115）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.95%至 1.52%，平均涨跌幅为-0.92%。上周 2 个料号呈上涨趋势，16 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据 CFM闪存市场报道，ASML 认为，EUV 技术持续具有成本效益的可扩展性，预计将使客户能够将多图案层进一步转移到单图案 EUV 0.33 NA 和 EUV 0.55 NA，适用于高级逻辑和 DRAM。因此，ASML 预计，2025 年至 2030 年间，高级逻辑和 DRAM 的 EUV 光刻支出复合年增长率将达到两位数。 HBM：三星电子扩建 HBM 等半导体封装工厂。根据 CFM 闪存市场报道，三星电子与韩国忠清南道签署协议，将扩大其天安第 3 工业园区的半导体封装工厂，三星电子将从下个月到 2027 年 12 月的三年内，在天安第三综合工业园区三星显示器的 28 万平方米场地上安装半导体封装加工设施，以生产高带宽存储器（ HBM ），建设韩国先进、规模化的半导体封装工艺设施。三星电子将能够通过在天安半导体封装工艺工厂生产 HBM 来确保在全球尖端半导体市场的领导地位。 市场端：渠道及行业市场价格短暂持平。上周（1111-1115）eMMC价格环比下跌，UFS 价格环比下跌。根据 CFM 闪存市场报道，随着部分资源供应增加，主控 Turn-Key 方案加持，加之客户价格预期低、部分存储厂商为追逐业绩降价促销激进，本周大容量嵌入式产品价格再度延续跌势。渠道市场层面，近期个别存储厂商现杀价动作，但影响较为有限；整体市场无明显波动，本周渠道及行业市场价格短暂持平。 ◼ 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 联系人： 林致 E-mail： linzhi@yongxingsec.com SAC编号： S1760123070001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《SK 海力士 16 层 48GB HBM3E 将于 2025 年初送样，渠道市场价格小幅下修》 ——2024 年 11 月 13 日 《三星电子计划生产 400 层堆叠 NAND，渠道市场短暂止跌》 ——2024 年 11 月 10 日 《渠道仍处于下行通道，三星持续推进 HBM4》 ——2024 年 11 月 02 日 -40%-26%-12%2%16%30%11/2301/2404/2406/2409/2411/24电子沪深3002024年11月18日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中小容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（11.11-11.15） ......