电子行业专题报告：看好国产存储供应链机遇-设备篇

行 业 研 究 2024.07.07 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 子 行 业 专 题 报 告 看好国产存储供应链机遇——设备篇 分析师 郑震湘 登记编号：S1220523080004 佘凌星 登记编号：S1220523070005 刘嘉元 登记编号：S1220523080001 行 业 评 级 : 推 荐 公 司 信 息 上市公司总家数 511 总股本(亿股) 5,495.89 销售收入(亿元) 13,148.90 利润总额(亿元) 693.81 行业平均 PE 134.81 平均股价(元) 24.62 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来源：wind 方正证券研究所 相 关 研 究 《模拟芯片库存拐点已至，AI 拉动电源相关需求》2024.06.21 《中国科技企业新估值体系的探讨》2024.06.13 《CIS 专题三：索尼&三星脚步放缓，国产龙头豪威高歌猛进》2024.06.06 《云边端 AI 加速赋能，ARM 架构渐成新宠》2024.06.03 我们看好国产内存及供应链机遇： 本轮半导体周期低点已过，全球及国产存储厂商产品价格、稼动率已逐步修复。2024 年 DRAM 厂商资本开支同比重返增长，同时我们看到 ASML 等海外设备龙头来自存储下游的订单占比提升。AI 服务器加速渗透，我们测算 2024 年全球 HBM市场规模超过 110 亿美金，行业供不应求加速成长。AI PC、AI Phone 单机内存容量提升，有望引领开启下一轮存储大周期。 HBM 供不应求，先进封装带动封测供应链升级。HBM 及 3D 封装集成度进一步提升，从工艺角度我们认为 TSV、键合是 HBM 封装关键技术，相应的，对深硅刻蚀、PECVD、PVD、电镀、减薄、量检测、固晶、混合键合等设备带来升级需求。 中国大陆 DRAM 投片量占全球比重仅约 10%，显著低于中国大陆半导体销售额全球占比约 30%的水平，大基金三期落地，DRAM 自主化需求空间广阔。根据TrendForce，2022Q4 全球主要 DRAM 厂商月平均投片量合计 159.1 万片（12 英寸晶圆），其中中国厂商占比约 5%。2023 年下游需求收缩，海外三大厂减产，但国产存储厂逆势扩产，2023Q4 全球 DRAM 月均投片量合计 135.1 万片，国产厂商份额约 9.8%。2024 年随着下游需求逐步修复，海外三大厂产品价格提升，稼动率修复，预计到年底全球 DRAM 月均投片量提升至 180.2 万片，国产厂商持续扩产，2024 年中国厂商份额仍维持在约 10%。大基金三期成立，注册资本 3440亿元超前两期总和，2023 年底大基金二期入股长鑫，彰显内存国产化发展决心。 坚定不移推进集成电路产业链自主可控，半导体设备国产化加速渗透。国家层面多次强调打造自主可控、安全可靠、竞争力强的现代化产业体系重要性，并从政策和市场两方面推动行业发展。国产存储扩产为内资设备厂商带来广阔机遇。基于 Gartner 统计的过去五年各环节设备份额占比平均值，以及我们假设国产 DRAM 扩产每万片设备投资额约 8 亿美金，我们预计如果一年扩产 5 万片/月，带来的设备投资需求达到 40 亿美金。分环节来看光刻、刻蚀、沉积环节的需求分别约 60 亿人民币、量检测环节设备需求 35 亿人民币，清洗、涂胶显影等环节需求超过 10 亿人民币，CMP、热处理、离子注入环节需求在 8 亿元以上。我国拥有庞大的芯片消费市场和丰富的应用场景，这是市场经济下最宝贵的资源，我们认为半导体及存储供应链中长期必将充分受益国产化份额大幅提升。 投资建议：见第六章内容。 风险提示：国产替代进展不及预期，全球贸易纷争影响，行业竞争加剧。 -32%-25%-18%-11%-4%3%10%23/7/723/9/18 23/11/30 24/2/11 24/4/2424/7/6电子沪深300电子 行业专题报告 2 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s 正文目录 1 AI 或引领新一轮存储行业上升周期 ................................................................. 5 1.1 HBM：2024 年全球市场规模超 110 亿美金，行业供不应求加速成长 ................................ 6 1.2 AI PC、AI Phone 单机内存容量提升......................................................... 13 2 HBM 及 3D 封装集成度进一步提升，带动供应链升级需求 ............................................... 16 2.1 TSV：先进封装垂直互联关键工艺 ........................................................... 16 2.2 键合技术：Bump pitch 不断缩小，混合键合大势所趋 .......................................... 21 2.2.1 倒装键合 .......................................................................... 21 2.2.2 TCB ............................................................................... 22 2.2.3 混合键合 .......................................................................... 24 3 全球存储资本开支修复，半导体设备市场重返增长 ................................................... 30 4 中国大陆 DRAM 扩产高弹性，重视国产存储供应链机遇 ................................................ 35 5 苦练内功，初露锋芒，国产半导体设备加速渗透 ..................................................... 39 6 投资建议 ....................................................................................... 44 7 风险提示 ....................................................................................... 45 电子 行业专题报告 3 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 s