电子行业存储芯片周度跟踪：HBM产能售罄至2025年，美光1γDRAM试产顺利

证券研究报告 行业研究 行业周报 电子 行业研究/行业周报 A HBM 产能售罄至 2025 年，美光 1γ DRAM 试产顺利 ——存储芯片周度跟踪（2024.07.01-2024.07.05） ◼ 核心观点 NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，三星首次将钼应用于第 9 代V-NAND 工艺。根据 DRAMexchange，上周（0701-0705）NAND 颗粒 22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.95%至 1.33%，平均涨跌幅为-0.06%。其中 12 个料号价格持平，2 个料号价格上涨，8 个料号价格下跌。根据 CFM 闪存市场报道，目前三星已引进了 5 台 Lam Research 钼沉积设备，明年还将引进约 20 台设备。三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率，NAND 可以堆叠得更高。此外，在 NAND 金属布线工艺中使用钼，可将延时减少30%-40%。据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到 NAND Flash。 DRAM：颗粒价格小幅波动，美光 1γ DRAM 试产进展顺利。根据DRAMexchange，上周（0701-0705）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.54%至 4.51%，平均涨跌幅为 0.92%。上周 11 个料号呈上涨趋势，7 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，美光目前所有量产 DRAM 芯片均采用 DUV 光刻机制造，但已于今年开始 1γ 工艺的 EUV 技术试生产，并计划于 2025 年实现量产。美光 CEO Sanjay Mehrotra 近日在电话会议上确认，1γ DRAM 试产进展顺利，符合量产计划。 HBM： HBM 产能售罄至 2025 年，HBM4 技术迭代加速。根据 CFM闪存市场报道，随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心的快速发展，HBM 芯片市场需求激增。HBM 芯片在通用内存市场的占比已从 8%增长至 15%，成为许多高性能应用的首选。美光科技（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）作为 HBM 市场的主要玩家，近期均宣布其 HBM 生产产能已全部售罄直至 2025 年。HBM4 技术预计将带来重大变革，包括接口宽度的增加、堆叠层数的提升、功耗的降低以及工艺的改进。 市场端：价格处于底部盘整阶段。上周（0701-0705）eMMC 和 UFS价格持平。根据 CFM 闪存市场报道，目前市场买气消沉，部分产品线市场流速减缓处于持续库存去化阶段。现货渠道 SSD 和内存条市场价格全面小幅下探，整体需求惨淡且抢单厮杀激烈。存储行业 SSD和内存条价格相对持平，未出现明显杀价情况。嵌入式价格趋于平稳。虽嵌入式现货市场有少量询单，但市场成交依然寡淡，整体市场观望情绪浓重。 投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 HBM：受益于算力芯片提振 HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等； 存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。 ◼ 风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。 增持 (维持) 行业： 电子 日期： yxzqdatemark 分析师： 陈宇哲 E-mail： chenyuzhe@yongxingsec.com SAC编号： S1760523050001 近一年行业与沪深 300 比较 资料来源：Wind，甬兴证券研究所 相关报告： 《大厂 NAND 开工率升至70%，SK 海力士 3D DRAM 良率尚佳》 ——2024 年 07 月 02 日 《大厂或提高 NAND 产量，美光 HBM 产能持续扩张》 ——2024 年 06 月 24 日 《三星电子或提高 1b DRAM 良率，NAND/DRAM 市场价小幅波动》 ——2024 年 06 月 17 日 -40%-30%-20%-10%0%10%07/2309/2311/2302/2404/2407/24电子沪深3002024年07月07日行业周报 请务必阅读报告正文后各项声明 2 正文目录 1. 存储芯片周度价格跟踪 ............................................................................ 3 2. 行业新闻 .................................................................................................... 4 3. 公司动态 .................................................................................................... 6 4. 公司公告 .................................................................................................... 7 5. 风险提示 .................................................................................................... 8 图目录 图 1: NAND 中大容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 2: NAND 中小容量现货价格（美元） ........................................................ 3 图 3: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 4: NAND Wafer 中大容量现货价格（美元） ............................................ 3 图 5: DRAM 中大容量现货价格（美元）........................................................ 3 图 6: DRAM 中小容量现货价格（美元）........................................................ 3 表目录 表 1: 存储行业本周重点公告（7.01-7.05）...................................................... 7 行业周报