电子行业半导体设备板块专题：近期荷兰、日本半导体出口管制清单措施分析

证券研究报告 请务必阅读正文之后第 20 页起的免责条款和声明 近期荷兰、日本半导体出口管制清单措施分析 电子行业半导体设备板块专题｜2023.7.17 中信证券研究部 核心观点 徐涛 科技产业联席首席分析师 S1010517080003 王子源 半导体分析师 S1010521090002 我们认为荷兰、日本的半导体出口管制核心目标为限制先进制程，与美国 2022年 10 月 7 日的出口管制目的相似，主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级（走向 7nm 及以下）的进程，而对于国内主流的成熟制程产线（28nm 及以上）扩产影响有限。我们预计“小院高墙”式管制策略未来还将延续。国内科技突围有赖于国内全产业链的配合协同，聚焦上游的设备、零部件、材料等环节。建议关注国内头部设备企业在“卡脖子”领域的潜在布局。 ▍日本政府、荷兰政府相继于 2023 年 5 月 23 日、6 月 30 日发布半导体相关出口管制措施。受此影响，列入管制清单内的物项（日本为 6 大类 23 种半导体设备或物项，荷兰为 6 种半导体设备或物项以及相关的软件和技术）在对华出口时需要申请许可，日本、荷兰政策将分别于 7 月 23 日、9 月 1 日正式实施。 ▍我们认为荷兰 6.30 出口管制措施主要以限制先进制程为目的，主要针对 16nm及以下制程。荷兰具体限制范围涉及光刻机、ALD 原子层沉积、EPI 外延、等离子增强沉积等，主要受影响荷兰企业为 ASML 和 ASM International。管制涉及到的技术指标与对应设备型号有较为明确的指向性，例如（1）光刻机方面限制 NXT:2000i、2050i 及后续型号，不影响 1980Di，主要限制通过多重图案化实现先进制程的能力；（2）限制 TiAlC 和功函数金属的 ALD 设备，影响 16nm HKMG 及更先进节点；（3）限制用于硅、硅锗的低温（≤685℃）高真空外延设备，可能影响部分先进制程节点；（4）限制金属间隙≤25nm 的低介电常数（Low k）电介质材料的 PECVD，影响 3nm 及以下先进逻辑节点，而目前国内尚无相关量产产线。因此整体短期增量影响有限，但长期制约我国半导体节点迭代能力。 ▍我们认为日本 5.23 出口管制措施也针对先进制程，具体指标具有较强指向性。例如，（1）限制硅锗（SiGe）与硅（Si）的刻蚀选择性之比为 100 倍以上的各向同性干法刻蚀设备，是形成 3nm 以下 GAA 晶体管所必需的设备；（2）限制深宽度比超过 30:1 的干法刻蚀设备，主要为了限制 3D NAND Flash。（3）限制钴/钨等金属接触层的沉积设备，我们认为主要针对 10nm 以下先进制程。而光刻胶等日本优势的半导体材料则未在限制行列之中。东京电子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）三家设备公司 2022 年报（财年截至当年 3.31），来自中国大陆客户的营收占比分别为 28.3%、26.2%、28.4%，均为其最大收入来源地区。我们预计在成熟制程相关设备后续仍有较大合作空间。 ▍荷兰 6.30 出口管制清单可看作日本 5.23 出口管制清单的子集，重合部分的物项说明存在极大相似度。荷兰的 6 种产品均在日本清单中可找到对应表述。部分环节如浸没式 ArF 光刻机，荷兰进行了更加细致的指标说明，除分辨率≤45nm外，增加了 DCO 值≤1.5nm 的条件，将限制范围设定在 NXT:2000i 及以上的光刻机型。日本方面则是所有分辨率≤45nm 的机型均需要申请许可。但我们预期在光刻机许可的实际判定尺度上，日本有望与荷兰保持一致。 ▍荷兰、日本出口管制主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级（走向 7nm 及以下）的进程，而对于国内主流的成熟制程产线（28nm 及以上）扩产几乎无影响。这与美国 2022 年 10 月 7 日的出口管制目的相似。我们认为限制先进制程技术提供，同时保持成熟制程商业合作的“小院高墙”式管制策略将延续，保持技术代差或成为美国及盟友在相当一段时间内的高科技竞争策略。对于国内而言，科技突围有赖于国内全产业链的配合协同，时下短板和竞争焦点越来越聚焦上游的设备、零部件、材料等环节，此领域具有极大的内生替代动力。同时上游创新必须紧密配套头部下游客户，建议关注中芯产业链、长存产业链、 电子行业 评级 强于大市（维持） 电子行业半导体设备板块专题｜2023.7.17 请务必阅读正文之后的免责条款和声明 2 华为产业链等国内领先但受到实体清单影响的 Fab 厂和终端企业的积极变化。 ▍从管制清单可以归纳出日本及荷兰厂商当前占有领先地位的、受管制措施影响的相关领域，是国内未来有待突破的方向，如：ArF 浸没式光刻机、EUV 光刻机以及配套涂胶显影/掩膜制造，SiGe 刻蚀、高深宽比刻蚀等高端刻蚀，金属及有机金属化合物 ALD、Si 和 SiGe 外延、低 k 介质 PECVD、钨/钴/钼/钌等金属CVD/PVD 等高端薄膜沉积，晶圆表面改性后单片清洗等高端清洗等。（1）光刻领域，上海微电子（非上市）攻关国产光刻机，涂胶显影机领域芯源微领先，盛美上海亦有相关布局；（2）刻蚀设备领域，中微公司、北方华创各有所长；（3）薄膜沉积领域，拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海在细分品类中积极开拓；（4）清洗设备领域，盛美上海领先，至纯科技、北方华创、芯源微均有布局。此外，量测、离子注入设备也是国产化率尚低、有待突破的领域，相关厂商包括精测电子、中科飞测，华海清科等。 ▍风险因素：后续对华半导体技术限制超预期风险；国内先进技术创新不及预期；国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险；先进制程技术变革风险；下游需求波动风险。 ▍投资策略：持续关注国内设备企业在“卡脖子”领域的新品布局和订单增量，建议关注国内头部设备企业如中微公司、拓荆科技、北方华创、盛美上海、芯源微、微导纳米、至纯科技、华海清科、精测电子、中科飞测等。此外，考虑到设备配套零部件环节的国产化趋势，同时建议关注半导体设备零部件公司：富创精密、新莱应材、江丰电子、英杰电气等。 重点公司盈利预测及投资评级 简称 代码 收盘价 EPS PE 评级 22 23E 24E 25E 22 23E 24E 25E 北方华创 002371.SZ 284.76 4.44 6.11 8.28 10.64 64 47 34 27 买入 中微公司 688012.SH 142.68 1.90 2.25 2.98 3.40 75 63 48 42 买入 富创精密 688409.SH 101.12 1.45 1.63 2.48 3.38 70 62 41 30 买入 盛美上海 688082.SH 103.20 1.54 1.83 2.17 2.65 67 56 48 39 买入 芯源微 688037.SH 151.80 0.92 2.96 4.26 6.10 165 51 36 25 买入 资料来源：Wind，中信证券研究部预测 注：股价为 2023 年 7 月 12 日收盘价（货币单位：人民币）