科技行业深度研究SiC：把握碳中和背景下的投资机会

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 科技 SiC：把握碳中和背景下的投资机会 华泰研究 电子 增持 (维持) 半导体 增持 (维持) 研究员 黄乐平，PhD SAC No. S0570521050001 SFC No. AUZ066 leping.huang@htsc.com 联系人 姚逊宇 SAC No. S0570121060040 yaoxunyu@htsc.com 联系人 廖健雄 SAC No. S0570122020002 liaojianxiong@htsc.com 行业走势图 资料来源：Wind，华泰研究 重点推荐 股票名称 股票代码 目标价 (当地币种) 投资评级 闻泰科技 600745 CH 165.00 买入 华润微 688396 CH 70.00 买入 斯达半导 603290 CH 458.65 买入 北方华创 002371 CH 443.08 买入 华峰测控 688200 CH 625.00 买入 资料来源：华泰研究预测 2022 年 3 月 27 日│中国内地 深度研究 碳化硅行业：碳中和趋势的主要受益者，5 年市场规模有望翻 5 倍 碳化硅（SiC）作为第三代化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，SiC 器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。由于技术迁移成本高、价格高企、产能紧张等因素，我们认为碳化硅仍处于渗透早期，当前主要应用于中高端新能源车、充电桩及基站射频等领域，我们预计全球 SiC 器件市场规模 2025 年将达 59.79 亿美元，较 2020 年翻 5 倍。建议投资人关注：1）具备较强产业链及客户基础的 SiC 功率器件厂商；2）“跑马圈地”下具备稀缺有效产能的材料公司；3）产业链相关设备公司。 碳化硅器件：成本下滑带动渗透率迅速提升，800V 架构成为重要催化剂 我们预测 2025 年全球新能源车 SiC 功率器件市场规模将达 30.05 亿美元，目前主要应用于特斯拉、比亚迪中高端车型，主要场景为主逆变器/OBC，我们预计至 2025 年 SiC 渗透率有望达 38/43%，我们认为其主要驱动力为 1）特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等头部新能源车厂的“示范效应”；2）碳化硅器件价格下降后带来系统经济效益；3）800V 架构有望成为重要催化剂，1200V SiC 在高压下较 IGBT 性能优势更为明显。我们测算 2025 年全球新能源车消耗 SiC 衬底数量将达 199.6 万片/年，考虑到当前有效导电型衬底产能仍然稀缺，我们预计 SiC 功率器件供需偏紧格局将保持相当长时间。 碳化硅材料：全球加速扩产“跑马圈地”，关注稀缺的有效产能 SiC 衬底和外延技术壁垒较高，存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面，Wolfspeed 占据全球 SiC 材料超过 60%市场份额（根据 Yole）。我们测算 2020 年 SiC 材料市场规模 5.92亿美元，2025 年将达 29.90 亿美元，CAGR 为 38.2%。我们认为 1）目前全球 SiC 材料处于跑马圈地阶段，海内外加速扩产，国内远期规划年产能超400 万片/年，建议关注重复建设问题；2）虽然国内产能规划量很大，但是由于良率及衬底质量原因，国内有效产能仍然稀缺，尤其是导电型衬底，我们认为中长期行业能达到 45%-50%毛利率，建议关注具备优质产能的龙头。 关注国内碳化硅器件及产业链厂商的投资机会 根据我们测算，在碳中和大趋势的推动下，全球碳化硅器件/材料市场规模到 2025 年分别有望达到 59.79/29.90 亿美元，2021-2025 年 CAGR 为38.2/38.2%，呈现高速发展态势。我们建议投资人关注：1）具备较强产业链及客户基础的 SiC 功率器件厂商：斯达半导、闻泰科技、华润微等；2）“跑马圈地”模式下具备稀缺有效产能的材料公司；3）相关设备公司：北方华创、华峰测控等。 风险提示：新能源汽车渗透率不及预期的风险，SiC 渗透率不及预期的风险，SiC 成本下降速度不及预期的风险。 (18)2234363Mar-21Jul-21Nov-21Mar-22(%)电子半导体沪深300股票报告网 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 科技 正文目录 报告核心观点 ................................................................................................................................................................ 4 与市场不同的观点 ................................................................................................................................................. 5 碳化硅为第三代半导体材料，引领功率及射频领域革新 .............................................................................................. 6 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛 ..................................................................... 6 SiC 较 IGBT 具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势 ....................................................................................... 8 全球 SiC 市场处于高速成长阶段，国内厂商存广阔替代空间 ..................................................................................... 11 乘碳中和之东风，2025 年市场规模有望较 2020 年翻 5 倍 ................................................................................ 11 海外厂商普遍看好 SiC 市场空间，相关业务业绩展望乐观 ................................................................................. 12 竞争格局：衬底及外延市场集中度高，器件领域海外厂商占绝对主导 .........................................