2025年年度报告摘要

东芯半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要公司代码：688110公司简称：东芯股份东芯半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要东芯半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要第一节 重要提示1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。2、 重大风险提示公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析” 之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。4、 公司全体董事出席董事会会议。5、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利□是 √否7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2025年度合并报表实现归属于上市公司股东的净利润-194,793,661.23元，母公司报表2025年度实现净利润-180,275,591.87元。截止2025年12月31日，母公司年末可供股东分配的利润为-136,170,406.50元。鉴于公司2025年度实现的归属于母公司股东的净利润为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2025年度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。以上利润分配预案已经公司第三届董事会第九次会议审议通过，尚需经公司2025年年度股东会审议通过。母公司存在未弥补亏损√适用 □不适用根据立信会计师事务所（特殊普通合伙）出具的审计报告，截至 2025 年 12 月 31 日，母公司财 务 报 表 累 计 未 分 配 利 润 为 -136,170,406.50 元 ， 盈 余 公 积 43,374,950.95 元 ， 资 本 公 积3,587,337,765.29 元。根据《公司法》、财政部《关于公司法、外商投资法施行后有关财务处理问题的通知》等相关规定，公司拟使用母公司盈余公积 43,374,950.95 元和资本公积 92,795,455.55 元，两项合计 136,170,406.50 元用于弥补母公司截至 2025 年 12 月 31 日的累计亏损。公司母公司未分配利润为负的原因主要为以前年度累计的亏损。本次拟用于弥补亏损的资本公积全部来源于股东以货币方式出资形成的资本（股本）溢价，不属于特定股东专享或限定用途的资本公积金。以上公积金弥补亏损方案已经公司第三届董事会第九次会议审议通过，尚需经公司 2025 年年度股东会审议通过。东芯半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用第二节 公司基本情况1、 公司简介1.1 公司股票简况√适用 □不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所科创板东芯股份688110不适用1.2 公司存托凭证简况□适用 √不适用1.3 联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名蒋雨舟黄沈幪联系地址上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5电话021-61369022021-61369022传真021-61369024021-61369024电子信箱contact@dosilicon.comcontact@dosilicon.com2、 报告期公司主要业务简介2.1 主要业务、主要产品或服务情况1、主要业务公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。东芯半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要图：公司产品应用示例2、主要产品及服务存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据的存储与读取，根据断电后数据是否留存，可分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司主要产品涵盖非易失性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片 DRAM 及衍生产品 MCP。（1）NAND FlashNAND Flash 即数据型闪存芯片，主要分为两大类：一类是大容量 NAND Flash，包括 MLC、TLC 及 3D NAND Flash 等，可擦写次数在数百次至数千次，主要应用于大容量数据存储场景；另一类是小容量 NAND Flash，以 SLC NAND Flash 为主，具备高可靠性，可擦写次数高达到数万次以上。公司 NAND Flash 产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如 5G 模块、光猫）、企业级网关、智能监控、数字录像机、录音笔、词典笔、智能穿戴（手表、手环、AI 眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至 1xnm 先进水平。产品存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb，支持 SPI 或 PPI 类型接口，并可选配 3.3V/1.8V 电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。在核心技术方面，公司 SPINAND Flash 采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在功能及性能表现上，公司产品支持更高的时钟频率与 DTR 访问模式，具备高数据吞吐率，深睡眠模式的引入则降低了待机功耗，充分契合移动互联与人工智能领域的新需求。在可靠性方面公司产品表现稳定，单颗芯片可擦写次数超过 10 万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达 10年，产品可靠性标准已从工业级跨越至车规级。图：公司 NAND Flash 产品东芯半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要（2）NOR FlashNOR Flash 即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列采用并联结构，支持按位随机读取与芯片内执行，具备读取速度快、启动时间短等特点，能够满足应用系统对快速启动与及时响应的需求。公司专注大容量、低功耗 SPI NOR Flash 的设计与研发，采用成熟的 ETOX 工艺架构。产品存储容量覆盖 64Mb 至 2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达 166Mhz，支持 DTR 访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗