电子行业美光FY26Q2跟踪报告：FY26Q2业绩超预期，上修FY26 Capex至超250亿美元

敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告 | 行业简评报告 2026 年 03 月 19 日 美光 FY26Q2 跟踪报告 TMT 及中小盘/电子 事件： 美光于3月19日公布FY26Q2财报，营收238.6亿美元，同比+196%/环比+75%；毛利率 74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts。 评论： 1、FY26Q2 收入与毛利率均超预期，DRAM 库存 DOI 仍处紧张水平。 FY26Q2 收入 238.6 亿美元，同比+196%/环比+75%，大超此前指引（183-191亿美元）；Non-GAAP 毛利率 74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts，大超此前指引（67-69%），毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为 69.0%，同比+44pcts/环比+22pcts，FY26Q2期末库存 83 亿美元，环比增加 6200 万美元，库存周转天数 123 天，DRAM 库存周转天数仍处于紧张水平，低于 120 天。 2、DRAM 与 NAND ASP 环比均大幅上涨，各部门营收同环比均上涨。 1）按产品划分：①DRAM 收入 188 亿美元，同比+207%/环比+74%，位元出货量环比中个位数增长，ASP 环比增长 mid-60%；②NAND 收入 50 亿美元，同比+169%/环比+82%，位元出货量环比低个位数增长，ASP 环比增长high-70%。2）按业务划分：①云存储部门（CMBU）收入 77.49 亿美元，同比+163%/环比+47%，环比增长受益于产品价格上涨与产品结构优化；②核心数据部门（CDBU）收入 56.87 亿美元，同比+211%/环比+139%，环比增长受益于产品价格上涨与位元出货量增长；③移动与客户端部门（MCBU）收入 77.11亿美元，同比+245%/环比+81%，主要由产品涨价驱动，部分被位元出货量下滑所抵消；④汽车与嵌入式部门（AEBU）收入 27.08 亿美元，同比+162%/环比+57%，主要由产品涨价驱动，部分被位元出货量下滑所抵消。 3、FY26Q3 指引再创新高，上调 FY26 资本开支将超 250 亿美元。 1）FY26Q3 指引：营收预计为 335±7.5 亿美元，中值同比+260%/环比+40%，毛利率预计为 81%，同比+42.05pcts/环比+6.1pcts，毛利率提升将由价格上涨、成本下降、产品结构优化共同驱动。2）市场展望：①DRAM：预计 2026 年 DRAM位元出货量将实现 low-20%增长，略高于此前预期。洁净室产能受限、建设周期长、HBM 占比提升，以及工艺迁移带来的单晶圆位元增量下滑，共同制约位元供应增长。②NAND：预计 2026 年 NAND 位元出货量增长约 20%。部分厂商将洁净室空间转向 DRAM，叠加整体洁净室空间有限，制约位元供应增长。3）资本开支：上调 FY26 全年资本开支将超 250 亿美元（此前为 200 亿美元），主要来自洁净室设施相关资本开支，其中最大投入为铜锣厂区，其次是美国晶圆厂项目建设支出增加。预计 FY27 资本开支将大幅上调，其中建筑相关资本开支同比将增加超 100 亿美元，设备支出预计也将同比增长。 4、公司成功签署首个五年 SCA，HBM4 已于 26Q1 顺利量产出货。 1）SCA：公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的 LTA，包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署首份五年期战略客户协议。2）数据中心产品：①数据中心 TAM：AI 需求推动数据中心 DRAM 与 NAND 的位元 TAM 将在 2026 年首次超过行业整体 TAM 的 50%。②HBM4：在英伟达 GTC 大会上，美光已于 26Q1 开始批量出货 HBM4 36GB 12H 产品，该产品为英伟达 Vera Rubin 平台量身定制。另外 HBM4E 的研发进展顺利，预计 2027 年实现批量量产。③SOCAMM2：已送样业界首款 256GB LP SOCAMM2 产品，该产品基于 1γ工艺打造，单 CPU 可支持高达 2TB 容量。④SSD：已基于 G9 NAND 批量生产 PCIe Gen6 高性能数据中心 SSD。⑤英伟 行业规模 占比% 股票家数（只） 522 10.1 总市值（十亿元） 14734.5 13.1 流通市值（十亿元） 12702.0 12.5 行业指数 % 1m 6m 12m 绝对表现 -1.9 13.6 43.1 相对表现 -1.9 10.0 26.9 资料来源：公司数据、招商证券 相关报告 1、《美光 FY26Q1 跟踪报告—业绩及指引大超预期，指引 25-28 年 HBM CAGR 达 40%》2025-12-19 2、《美光 FY25Q4 跟踪报告—收入及 EPS 均超预期，数据中心需求叠加涨价周期驱动增长》2025-09-24 3、《美光 FY25Q3 跟踪报告—收入和毛利率超指引，12Hi-HBM3E 预计FY25Q4 量产》2025-06-26 鄢凡 S1090511060002 yanfan@cmschina.com.cn 谌薇 S1090524070008 shenwei3@cmschina.com.cn 王焱仟 研究助理 wangyanqian@cmschina.com.cn -40-200204060Mar/25Jul/25Oct/25Feb/26(%)电子沪深300FY26Q2 业绩超预期，上修 FY26 Capex 至超 250 亿美元 敬请阅读末页的重要说明 2 行业简评报告 达 Groq 3 LPX：在机架级架构中可搭载最高 12TB DDR5。 风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM 和 NAND 景气度下滑风险；存储价格下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。 图 1：美光分季度营收及增速 图 2：美光分季度毛利率及净利率 资料来源：美光，招商证券 资料来源：美光，招商证券 图 3：分部门财务情况 资料来源：美光，招商证券 （后附 FY2026Q2 业绩说明会纪要全文） -100%-50%0%50%100%150%200%250%050100150200250300营业收入（亿美元）YoY-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%毛利率净利率 敬请阅读末页的重要说明 3 行业简评报告 附录：美光 FY2026Q2 业绩说明会纪要 时间：2026 年 3 月 19 日 出席：Mark Murphy–首席财务官 Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼 CEO Satya Kumar–公司副总裁、投资者关系与财务主管 会议纪要根据公开信息整理如下： 管理层介绍 美光科技 2026 财年第二季度业绩表现卓越，营收、毛利率、每股收益（EPS）及自由现金流均创下历史纪录。季度营收同比近乎翻三倍，动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND）、高带宽内存（HBM）及各业务部门营收均