电子行业AI系列专题报告(九)-存储：主流存储迎来全面涨价，企业级产品需求持续向好

AI系列专题报告（九）存储：主流存储迎来全面涨价，企业级产品需求持续向好证券研究报告2025年11月6日请务必阅读正文后免责条款电子行业 强于大市（维持）电子信息团队投资要点 AI高景气叠加终端更新迭代，存储市场规模有望稳步增长。当前AI发展如火如荼，尤其是基础设施/服务器端，推动企业级存储等高端产品需求持续向好。其中，除HBM需求延续高景气之外，DDR5等高端产品渗透率也在逐步提升，另外，eSSD产品也得益于HDD供应紧缺以及QLC颗粒推广带来成本优化而迎来渗透率加速。从终端来看，传统电子产品如手机、PC等随着更新迭代，DRAM和NAND Flash单机容量持续增加，产品规格也在同步提升，考虑到未来AI推理带来的巨大数据存储需求以及AI终端产品逐步成熟和放量，存储市场规模有望保持稳定提升态势。 需求回暖叠加产能重心偏移，存储产品迎来全面涨价。一方面，当前AI延续高景气，企业级存储产品需求向好，另一方面，传统存储市场库存逐步去化叠加原厂控产，推动行业供需格局改善，自25Q2起主流存储产品合约价开始回暖，根据TrendForce预测，在25Q3合约价环比上涨基础上，25Q4 DRAM/NAND Flash合约价有望分别环比+13%-18%/+5%-10%。展望后续，DRAM除去HBM需求高景气外，其他类型产品的市场供需有望在存储原厂产能向高端产品倾斜而持续改善，涨价态势有望进一步延续，而NAND方面，由于NAND未有HBM等高盈利性产品，因此NAND原厂盈利压力相对更大，对于涨价需求更为迫切，考虑到当前市场供需情况良好，产品涨价有望持续。 投资建议：当前存储全面涨价已成为行业和市场共识，考虑到当前存储原厂业绩盈利需求，我们认为主流存储产品涨价有望持续，另外，近几年国内相关存储厂商不论是在产品技术亦或是市场客户方面均取得有效突破，有望逐步弥补国内中高端市场供应缺口，相关存储厂商经营业绩有望迎来持续改善，建议关注江波龙、兆易创新、澜起科技、德明利、香农芯创、佰维存储、开普云。 风险提示：下游需求恢复不及预期风险；国内厂商对先进技术的研发进程不及预期风险；新品研发进度受到阻碍风险。2存储芯片产业链资料来源：江波龙招股书，平安证券研究所34目录C O N T E N T SDRAM：HBM延续高景气，DDR5逐步成为主流存储行业：主流存储迎来全面涨价，高端产品需求持续向好NAND Flash：QLC迎来推广，eSSD渗透加速投资建议和风险提示1.1 DRAM和NAND Flash共同主导存储芯片市场5资料来源：中商产业研究院《2023年中国存储芯片行业市场前景及投资研究报告，2023年6月20日》，平安证券研究所存储芯片常见分类 半导体存储也称为存储芯片，根据数据存储原理的不同，半导体存储器可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM是与CPU直接交换数据的内部存储器，可随时进行数据读写且速度较快，断电后保存数据会丢失，是易失性存储器，通常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存储介质；ROM是一种只能读取事先所存数据的存储器，断电后也能保存数据，是非易失性存储器，常用于存储各种固定程序和数据。根据中商产业研究院数据，当前存储芯片市场主要以DRAM和NAND Flash两大类产品为主。全球存储芯片产品细分市场占比情况1.2 AI驱动HBM需求高增，DRAM市场表现更优6资料来源：CFM闪存市场，平安证券研究所全球DRAM/NAND Flash市场收入季度变化（亿美元） 受益于HBM强劲需求，DRAM市场表现相较NAND Flash更优。根据CFM闪存市场数据，2024年全球DRAM市场规模达973.7亿美元，同比+91%，主要得益于AI持续拉动HBM等高价值产品的需求增长，2024年NAND Flash全球市场规模则同比+75%至696亿美元。分季度来看，DRAM自23Q1起实现了连续八个季度的环比增长，24Q4 DRAM市场规模达293.5亿美元，NANDFlash整体市场表现逐步回暖。1.3 CSP加码AI基础设施投入，服务器存储需求增幅领先7资料来源：《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》CFM闪存市场，平安证券研究所DRAM应用分布（按位元需求） 服务器位元需求增幅领先其他应用领域。根据CFM闪存市场数据，整体来看，由于大型CSP将投资重心转移至AI基础设施，存储原厂相继将产能及资本开支向高端产品倾斜，推动近几年服务器存储位元需求稳定增长，需求增幅领先于其他应用领域。其中，DRAM方面，2024年占比最大的应用下游由手机转向服务器，预计到2025年服务器在DRAM占比将由2023年的32%增加至36%，而HBM占比将增加至9%。NAND Flash方面，预计2025年手机依旧是NAND Flash最大应用占比，但服务器需求占比由2023年的16%提升至2025年的30%。NAND Flash应用分布（按位元需求）1.4 SK海力士稳居DRAM首位，NAND Flash市占率同步提升8资料来源：TrendForce，平安证券研究所25Q2全球DRAM厂自有品牌内存营收排名 根据TrendForce数据，在HBM和一般型DRAM合约价上涨及出货量增长共同推动下，25Q2 DRAM整体营收环比+17.1%至316.3亿美元，其中，SK海力士以38.7%位列全球市场首位，对应营收达122.29亿美元，其次是三星和美光，市场份额分别达32.7%和22%。NAND Flash方面，预计25Q2产业营收将环比+22%至146.7亿美元，其中，三星以32.9%市场份额位列全球首位，其次是SK集团（SK海力士+Solidigm），市占率达21.1%，而铠侠得益于AI服务器需求旺盛以及PC、智能手机客户库存去化顺利，市场份额超越美光提升至全球第三。25Q2全球NAND Flash厂商营收排名1.5 主流存储价格逐季上涨，HBM持续支撑DRAM价格9资料来源：TrendForce，平安证券研究所24Q2-25Q4存储产品合约价环比涨跌幅 主流存储价格逐季上涨，DRAM涨幅更为突出。根据TrendForce数据，整体来看，主流存储产品价格自25Q2起开始迎来全面涨价，且呈现逐季环比增加的态势。具体而言，由于HBM需求强劲且价值量较高，持续支撑DRAM整体价格，预计25Q4 DRAM整体合约价将环比上涨13%-18%。而NAND Flash价格在原厂控产及库存去化背景下迎来回暖，且eSSD需求向好，共同推动合约价格上涨。24Q224Q324Q425Q125Q225Q3E25Q4EDRAM（包含HBM）上涨13-18%上涨10-15%上涨0-8%下降0-5%上涨3-8%上涨15-20%上涨13-18%NAND Flash上涨15-20%上涨5-10%下降3-8%下降15-20%上涨3-8%上涨3-8%上涨5-10%1.6 原厂产能转向高端，旧世代DRAM供应偏紧持续涨价10资料来源：TrendForce，平安证券研究所2025年三季度DDR4/LPDDR4X合约价涨幅预测 三大DRAM原厂产能向高端倾斜，旧时代DRAM产品供不应求推动价格持续上涨。根据TrendForce数