锦州神工半导体股份有限公司2025年半年度报告

锦州神工半导体股份有限公司2025 年半年度报告1 / 185公司代码：688233公司简称：神工股份锦州神工半导体股份有限公司2025 年半年度报告锦州神工半导体股份有限公司2025 年半年度报告2 / 185重要提示一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、 重大风险提示公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素” 。敬请投资者注意投资风险。三、 公司全体董事出席董事会会议。四、 本半年度报告未经审计。五、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人常亮及会计机构负责人（会计主管人员）陈琪声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用八、 前瞻性陈述的风险声明√适用 □不适用本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否十二、 其他□适用 √不适用锦州神工半导体股份有限公司2025 年半年度报告3 / 185目录第一节释义.......................................................................................................................................... 4第二节公司简介和主要财务指标......................................................................................................5第三节管理层讨论与分析..................................................................................................................8第四节公司治理、环境和社会........................................................................................................26第五节重要事项................................................................................................................................ 28第六节股份变动及股东情况............................................................................................................38第七节债券相关情况........................................................................................................................42第八节财务报告................................................................................................................................ 43备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责（会计主管人员）签名并盖章的财务报表报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿锦州神工半导体股份有限公司2025 年半年度报告4 / 185第一节释义在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义神工股份、公司、本公司指锦州神工半导体股份有限公司更多亮指更多亮照明有限公司，系公司股东矽康指矽康半导体科技（上海）有限公司，系公司股东北京创投基金指北京航天科工军民融合科技成果转化创业投资基金（有限合伙），系公司股东晶励投资指温州晶励企业管理合伙企业（有限合伙），系公司股东旭捷投资指宁波梅山保税港区旭捷投资管理合伙企业（有限合伙），系公司股东中晶芯指北京中晶芯科技有限公司，系公司全资子公司日本神工指日本神工半导体株式会社，系公司全资子公司上海泓芯指上海泓芯企业管理有限责任公司，系公司全资子公司福建精工指福建精工半导体有限公司，系北京中晶芯科技有限公司控股子公司锦州精合指锦州精合半导体有限公司，系福建精工半导体有限公司全资子公司锦州精辰指锦州精辰半导体有限公司，系北京中晶芯科技有限公司控股子公司锦州芯菱指锦州芯菱电子材料有限公司，系公司控股子公司氩气退火工艺指在氩气气氛下进行高温退火的工艺，能够有效地消除硅片近表面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部形成 BMD（Bulk Micro Defect，硅氧化合物类的析出物）氧沉淀来提高硅片的内吸杂能力,进而提高硅片质量SK 化学指SKCSolmics Co., Ltd.Hana指HANAMaterials Inc.三菱材料指Mitsubishi Materials CorporationSEMI指SemiconductorEquipment and Materials International，国际半导体设备和材料协会WSTS指WorldSemiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计协会STIR指SiteTotal Indicator Reading，局部平整度，硅片的每个局部区域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值TTV指TotalThickness Variation，总厚度偏差，指硅片的最大与最小厚度之差值单晶硅（硅晶体）指硅（Si）的单晶体，也称硅单晶，是以高纯度多晶硅为原料，在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的，原子按一定规律排列的，具有基本完整点阵结构的半导体材料多晶硅指由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体，各个硅晶粒的晶体取向不同，是生产单晶硅棒的直接原料等离子刻蚀机指晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备，主要分成 ICP 与CCP 两大类。其原理是利用 RF 射频电源，由腔体内的硅上电极将混合后的刻蚀气体进行电离，形成高密度的等离子体，从而对腔体内的晶圆进行刻蚀，形成集成电路所需要的沟槽直拉法指切克劳斯基（Czochralski）方法，由波兰人切克劳斯基在1917 年建立的一种晶体生长方法。后经多次改进，现已成为制备单晶硅的一种主要方法锦州神工半导体股份有限公司20