电子行业专题：AI填料，看好材料升级机遇

证券研究报告2025年8月8日行业：电子增持（维持）AI填料，看好材料升级机遇分析师：方晨SAC编号：S0870523060001——电子行业专题2主要观点： AI填料，看好材料升级机遇AI填料：下游AI快速发展，驱动功能填料电子级高端应用• 球形硅微粉、球形氧化铝依托优异性能，是半导体电子粉体核心材料。硅微粉，广泛运用于覆铜板、芯片封装等领域；球形硅微粉由于其高填充性，能够显著降低覆铜板和环氧塑封料的线性膨胀系数，提升电子产品可靠性。高导热球形氧化铝，EMC等热界面关键填料，凭借较高导热性等，成为电子封装、导热散热领域主流导热粉体。• AI大模型迅猛发展，对新一代高频高速、芯片封装用的上游填料性能提出更高要求。新一代高频高速覆铜板方面，为保证更低介质损耗，超纯球形二氧化硅正成为行业主流选择；芯片封装方面，Low-α球硅及low-α球铝，HBM封装用环氧塑封料的主要填料。高速覆铜板：高阶CCL加速渗透，高性能球硅量价齐升。• 性能提升——AI服务器更高性能，驱动PCB/CCL及填料升级。更高的服务器技术标准对PCB有着更高的性能要求。高频高速需要PCB板采用Very Low Loss或Ultra Low Loss等级覆铜板材料制作，通常要求更低的低介常数（Dk）和低介质损耗因子（Df）。随着升级至M7及以上新一代高速覆铜板，对功能填料指标要求也更为严格。• 用量增加——PCB板层数增加，CCL功能填料比例逐年增大。随着PCIe协议升级，所需PCB板层数明显增加。从PCIe3.0对应8~12层，逐步增加至PCIe5.0对应16-22层，高性能服务器对高速覆铜板的需求不断扩大。下游终端设备性能升级，CCL中高性能球形硅微粉填充比例逐年扩大至40%以上，带动无机功能填料需求快速上升。• 价值量增长——高阶CCL加速渗透，高性能球硅占比逐年扩大。高阶CCL对应更高单价的高端球形硅微粉，日本同行业企业销售的高端球形硅微粉售价普遍每吨在几万至十几万元以上。同时，全球Super Ultra Low Loss等级高速覆铜板正在加速渗透。根据前瞻产业研究院数据显示，2021年在覆铜板用硅微粉市场中，高性能球形硅微粉市场规模占比超过44%，并预计逐年扩大。未来随着ASIC服务器+GPU拉动，会进一步促进PCB价值量的增长，并推升CCL以及高端填料的产值。HBM：Low-α球铝，HBM封装关键材料。• AI时代，Low-α球铝是HBM封装中的关键填料。半导体器件制造和封装材料中存在的铀 (U)、钍 (Th) 等杂质具有天然放射性，其释放的α例子是造成芯片发生软失效的主要来源，尤其是HBM这种高度集成芯片，更容易受到α例子的干扰。Low-α射线球形氧化铝，能够预防由α射线引发的操作故障，通常用做HBM的封装填料。• HBM市场快速增长， 推动Low-α球铝需求提升。Low-α球铝和球硅占GMC重量的80%以上，随散热要求越高，Low-α球铝占比越高。根据Yole的预测，HBM的总市场规模将从2022年的27亿美元增长至2029年的377亿美元，年复合增速将达到38%，2030年有望突破1000亿美元，将带动Low-α球铝需求提升。投资建议：建议关注：联瑞新材（国内领先的电子级硅微粉企业，产品包括Low-α球形二氧化硅、Low Df 超细球形二氧化硅、Low-α球形氧化铝等）。风险提示：行业竞争加剧风险；下游终端需求不及预期，行业扩产速度大于需求。SECTION一、AI填料：下游AI驱动电子级高端应用二、高速覆铜板：高阶CCL加速渗透，高性能球硅量价齐升三、HBM：Low-α球铝，HBM封装关键材料四、建议关注：联瑞新材五、风险提示目录Content4AI填料：半导体粉体核心材料，电子级高端应用是重点方向图 球形硅微粉形态资料来源：联瑞新材官网，上海证券研究所图 球形氧化铝形态资料来源：雅安百图招股说明书（申报稿），上海证券研究所◆ 硅微粉、氧化铝是半导体电子粉体的核心材料，电子级高端应用是重点方向。半导体电子粉体材料是支撑集成电路等领域发展的“隐形冠军”，其性能决定了芯片的速度，核心成本包括二氧化硅、氧化铝等。◆ 球形硅微粉依托更优异性能，应用于高端电子产品材料。硅微粉作为先进的无机非金属材料，广泛运用于覆铜板、芯片封装用环氧塑封料等领域。◆ 高导热球形氧化铝是EMC等热界面关键填料。近年伴随AI升级驱动，以及新能源车三电系统和智能化升级带来的产业变革，球形氧化铝凭借较高的导热性等，成为电子封装、导热散热领域的主流导热粉体类别。球形氧化铝球形硅微粉亚微米级球形硅微粉5AI填料：高性能球硅产业化的三种技术路线图 VMC法（爆燃法）资料来源：日本雅都玛，上海证券研究所◆ 球形硅微粉有三种技术路径能达到量产条件。三种技术路径分别是：火焰熔融球形硅微粉、直燃/VMC法球形硅微粉、化学合成球形硅微粉，性能和单价依次上升。◆ 日系企业长期占据技术主导地位。日系厂商近年来收缩火焰熔融法球形硅微粉的产能和研发投入，将重心聚焦在VMC、化学合成法等球形硅微粉上。◆ 以高速覆铜板为例，火焰熔融法无法满足M6级以上性能要求。M8级别高速覆铜板，性能指标基本超出直燃/VMC法球形硅微粉稳定保证的范围内。图 覆铜板领域：不同制备原理的球形硅微粉迭代适配关系资料来源：锦艺新材招股说明书（申报稿），上海证券研究所项目覆铜板领域技术迭代路径高速覆铜板：Dk和Df要求逐级升高。e,g. 松下电工Megtron2-M4-M6-M8;高频覆铜板：天线、功率放大器等不同功能模块对频率、功率有不同升级要求；HDI基板：由低到高为一阶、二阶、三阶、Any layer类载板SLP及IC载板：半加成工艺、改良型半加成工艺；BT类到ABF类对硅微粉指标要求不同升级路径上，均要求硅微粉的粒径、电性能和表面处理能力能够更上技术升级、迭代的速度。不同类别硅微粉适配路径普通角形硅微粉-复合填料-熔融硅微粉-火焰法球形硅微粉-直燃/VMC法球形硅微粉-化学法球形硅微粉6AI填料：AI服务器快速发展，对上游填料性能提出更高要求图 电子通信功能填充材料下游应用资料来源：壹石通招股说明书，上海证券研究所图 2024-2025年服务器规模及AI服务器占比资料来源：雅安百图招股说明书（申报稿），上海证券研究所◆ 大模型迅猛发展，驱动AI服务器市场快速扩张。根据TrendForce数据，预计2024年服务器行业总价值将达到约3064亿美元，2025年预计达到4133亿美元。其中，AI服务器较标准服务器增长更为强劲，单机价值量也较高，预计2025年AI服务器将占服务器市场总价值的70%以上，规模升至2980亿美元。◆ 硬件性能不断提升，上游关键填料性能提出更高要求。新一代高频高速覆铜板方面，为保证更低介质损耗，超纯球形二氧化硅正成为行业主流选择；芯片封装方面，Low-α球硅及Low-α球铝是HBM封装用环氧塑封料的主要填料。3064413367%72%64%65%66%67%68%69%70%71%72%73%05001000150020002500300035004000450020242025E服务器行业规模（亿美元）AI服务器占比（右轴）7AI填料：功能填料市场规模持续扩大图