半导体存储行业深度研究报告：供需双振驱动价格持续上扬，企业级存储国产化加速推进

证 券 研 究 报 告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 电子 2025 年 7 月 1 日 半导体存储行业深度研究报告 推荐 （维持） 供需双振驱动价格持续上扬，企业级存储国 产化加速推进 ❑ 供给收缩催化短周期价格走强，AI 高景气推动中长期需求向上。（1）DRAM：原厂停产 D4 世代供给收缩，PC/server 类价格持续上扬。DDR4 内存已商用15 年，因 DDR5 在性能、功耗、容量上限及可靠性等维度的综合优势，市场需求逐步转向 DDR5 世代。与此同时，HBM、DDR5 和 LPDDR5(X)等新世代产品利润率显著高于旧制程，推动内存市场全面向 DDR5 转型。基于此趋势，三星和 SK 海力士已将资源重心转向 DDR5/LPDDR5 高端产品线，逐步缩减旧制程 DDR4 产能。自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至今已逾半年，带动 DDR4 颗粒价格率先触底反弹。受原厂停产催化，内存模组成品市场交易活跃度显著提升，内存模组现货报价持续上扬。合约价方面，除原厂退产 DDR4世代产品以外，云厂需求支撑叠加国际形势变化增加备货，Trendforce 对于25Q2-25Q3 DDR4 模组价格涨幅预期乐观。（2）NAND Flash：MLC/低容 TLC停产推升 eMMC 价格，原厂减产叠加 CSP 需求高景气驱动主流 NAND 模组逐步反弹。与 DRAM 产业 DDR4 世代逐步停产类似，存储原厂在 NAND Flash领域亦在逐渐推进制程迭代和产品升级，MLC NAND/256Gb TLC 原厂退产在即，wafer 价格持续拉升。在消费国补及上述低容 NAND wafer 停产影响下，低容 eMMC 产品现货价格水涨船高。合约价方面，除低容 eMMC 等原厂规划停产料号引发价格上涨外，由于云厂需求增长叠加原厂控产，主流 NAND Flash亦有望逐步反弹。 ❑ 企业级存储国产化大势所趋，国产厂商加速突围。全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进阶，近年服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。（1）闪存模组：作为核心数据载体，企业级闪存模组除需满足高性能与大容量需求外，还需符合客户对使用寿命、运行稳定性、功耗控制等维度的严苛要求。竞争格局上，Solidigm 和三星凭借技术生态与供应链整合能力占据主导地位；忆联、忆恒创源领跑国产品牌阵营，而大普微、浪潮、江波龙等本土厂商正持续提升研发能力与品牌溢价，凭借强劲发展势头加速突破市场壁垒。（2）内存模组：内存模组是计算机架构的核心组成部分之一，主要作为 CPU与硬盘的数据中转站，用于临时存储数据，其存储和读取速度远高于硬盘。相比于企业级闪存模组，企业级内存模组市场原厂高度垄断，独立品牌的模组厂市场份额仍较小，目前江波龙、海普存储（香农芯创子公司）已有企业级内存条相关产品，并实现量产销售，正在实现国产 0-1 突破。 ❑ 投资建议：近期存储供给收缩催化短周期价格走强，长期来看 AI 高景气有望推动中长期需求向上。国产替代方面，企业级存储国产化大势所趋，国内厂商针对企业级闪存模组&内存模组国产化均有一定进展，建议关注：香农芯创、兆易创新、江波龙、德明利、佰维存储、聚辰股份、联芸科技、北京君正、普冉股份、东芯股份。 ❑ 风险提示：存储产品价格波动影响、下游需求不及预期 证券分析师：耿琛 电话：0755-82755859 邮箱：gengchen@hcyjs.com 执业编号：S0360517100004 证券分析师：岳阳 邮箱：yueyang@hcyjs.com 执业编号：S0360521120002 证券分析师：吴鑫 邮箱：wuxin@hcyjs.com 执业编号：S0360523060001 联系人：卢依雯 邮箱：luyiwen@hcyjs.com 行业基本数据 占比% 股票家数(只) 481 0.06 总市值(亿元) 90,743.82 8.74 流通市值(亿元) 71,038.13 8.72 相对指数表现 % 1M 6M 12M 绝对表现 6.6% 0.1% 37.0% 相对表现 4.6% 0.7% 22.5% 相关研究报告 《磁传感器行业深度研究报告：智能感知层核心赛道，机器人&汽车打开增量空间》 2025-06-01 《电子行业深度研究报告：国内算力需求爆发，供应链扬帆起航》 2025-03-23 《消费电子行业深度研究报告：AI 眼镜快速迭代，行业或有望迎来爆发》 2025-03-07 -12%8%28%49%24/0624/0924/1125/0125/0425/062024-06-27~2025-06-27电子沪深300华创证券研究所 半导体存储行业深度研究报告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 投资主题 报告亮点 供给收缩催化 DRAM 和 NAND Flash 短周期价格走强。DDR4 世代停产推升现货和合约价上扬，Trendforce 预测 25Q2-25Q3 涨幅乐观；NAND 方面，MLC/低容 TLC 停产拉升 eMMC 价格，原厂减产叠加云需求驱动主流 NAND模组反弹。AI 高景气拉动中长期需求向上，为市场增长提供动力。 企业级存储国产化加速推进，本土厂商迎发展机遇。全球数据中心扩容及大模型迭代驱动高性能存储需求激增：（1）闪存模组领域，Solidigm、三星主导，忆联/忆恒创源领衔国产阵营，大普微/浪潮/江波龙等持续突破；（2）内存模组由原厂垄断，江波龙、海普存储已实现企业级产品量产销售，正推动国产替代从 0 到 1 突破。 投资逻辑 供给收缩驱动短周期价格走强与国产替代加速推进双主线共振。在价格周期层面， DRAM 领域因三星、SK 海力士等原厂将资源重心转向高利润的DDR5/HBM/LPDDR5 产品，DDR4 世代产能持续缩减，自 24Q4 减产/转产已逾半年，推动 DDR4 颗粒及模组现货价触底反弹，叠加云厂需求支撑与国际形势变化带来的备货增量，Trendforce 对 25Q2-25Q3 DDR4 合约价涨幅预期乐观。NAND Flash 领域原厂逐步停产 MLC NAND/256Gb TLC 等低容 wafer，推动低容 eMMC 现货价格上涨，同时云服务商高景气需求与原厂控产共同驱动主流 NAND Flash 合约价止跌反弹。在国产替代主线层面，全球数据中心扩建与大模型迭代驱动高性能企业级存储需求激增。目前闪存模组市场由Solidigm、三星主导，但忆联、忆恒创源领衔国产品牌，大普微、浪潮、江波龙等厂商持续提升研发与品牌力加速破局；而内存模组市场原厂高度垄断，目前江波龙、海普存储已实现企业级产品量产销售，正推动国产替代从 0 到1 突破。建议关注：香农芯创、兆易创新、江波龙、德明利、佰维存储、聚辰股份、联芸科技、北京君正、普冉股份、东芯股份。 半导体存储行业深度研究报告 证监会审核