半导体行业报告：射频前端，从产业变革到价值增长

行业报告 | 行业深度研究 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 1 半导体证券研究报告 2019 年 06 月 29 日 投资评级 行业评级 强于大市(维持评级) 上次评级 强于大市 作者 潘暕 分析师 SAC 执业证书编号：S1110517070005 panjian@tfzq.com 陈俊杰 分析师 SAC 执业证书编号：S1110517070009 chenjunjie@tfzq.com 资料来源：贝格数据 相关报告 1 《半导体-行业研究周报:贸易摩擦不确定下 紧抓确定性的 “国产替代 ”自主可控主线》 2019-06-23 2 《半导体-行业研究周报:博通指引下修，行业迎逆风/国内半导体投资主线逻辑》 2019-06-17 3 《半导体-行业研究周报:需求修正逐步消化/科创板临近板块积聚向上动能》 2019-06-09 行业走势图 射频前端：从产业变革到价值增长 射频前端：无线连接的核心，市场空间广阔 射频前端是无线连接的核心，是在天线和射频收发模块间实现信号发送和接收的基础器件。根据 QYR Electronics Research Center 的统计，2018 年全球射频前端市场达 149.1 亿美元，目前正是 4G 网络向 5G 网络转型升级的阶段，未来全球射频前端市场规模将迎来大规模扩张。预计 2023 年全球射频前端市场规模将增长至 313.10 亿美元。 射频前端产业链：IDM 主导，Fabless 兴起 射频前端产业是 IDM 模式最成功的领域。目前 IDM 模式主导整个射频前端行业。同时射频前端主要产品的市场均被几大国际巨头垄断：Broadcom（Avago）、Skyworks、Qorvo、Murate 四大厂商合计占据全球 85%的市场。以高通为代表的 Fabless 厂商试图凭借基带技术切入射频前端领域；同时以华为为代表的设备商对于上游供应链的把控和“国产替代”需求也将重塑产业链格局，国内设计厂商有望迎来替代机遇，我们看好未来射频前端的国产替代逻辑 氮化镓：未来 5G 射频前端新秀 氮化镓是性能优异的第三代半导体材料。氮化镓同时可以满足高功率和高频率的特点，相比硅器件，氮化镓拥有全面的优势。 氮化镓主要有三种类型的衬底，我们预计硅基氮化镓（GaN-on-Si）将可以以价格为竞争优势替代现有硅和砷化镓技术，前景广阔。YOLE 预计，随着5G 的不断发展，氮化镓射频器件的全球市场规模将在 2022 年达 7.55 亿美元，年复合增长率 CAGR 为 14%。 SiP+Antenna 封装：未来 5G 新趋势 5G 毫米波射频模组将迈向高度整合的时代。其中射频元件将由离散型转向FEMiD 和 PAMiD 形式（均为 SiP封装技术）；而天线模组将由 Antenna on PCB转向“SiP+Antenna”的封装天线（AIP）形式。 射频前端市场空间测算 根据我们的测算，我们得出 2019 年智能手机射频前端市场将达到 184.7 亿美元，2020 年将达到 242.6 亿美元，相比 2018 年 CAGR 达 18.79%。2021年全球 5G 宏基站 PA 和滤波器市场将达到 243.1 亿元人民币，相比 2019 年CAGR 为 162.31%，2021 年全球 4G 和 5G 小基站射频器件市场将达到 21.54亿元人民币，相比 2019 年 CAGR 为 140.61%。 风险提示：未来 5G 技术推进不及预期；SiP 和 AiP 等封装技术推广进度不及预期；采用 GaN 等新材料射频器件推广进度不及预期；整个半导体行业不景气导致需求下降；中美贸易摩擦 重点标的推荐 股票 股票 收盘价 投资 EPS(元) P/E 代码 名称 2019-06-28 评级 2018A/E 2019E 2020E 2021E 2018A/E 2019E 2020E 2021E 300782.SZ 卓胜微 108.92 买入 1.62 2.92 4.19 6.76 67.23 37.30 26.00 16.11 600584.SH 长电科技 12.85 买入 -0.59 0.13 0.45 0.68 -21.78 98.85 28.56 18.90 601231.SH 环旭电子 12.05 买入 0.54 0.71 0.98 1.36 22.31 16.97 12.30 8.86 600703.SH 三安光电 11.28 增持 0.80 1.03 1.25 14.10 10.95 9.02 资料来源：天风证券研究所，注：PE=收盘价/EPS -31%-24%-17%-10%-3%4%11%2018-062018-102019-02半导体 沪深300 行业报告 | 行业深度研究 请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 2 投资要点 核心观点 科技进步永不停止，基于满足人类交互沟通需求的通信技术迭代在迎来 5G 之际，基础通信设施的建设无疑是未来几年拉动相关半导体行业成长的动能之一。射频前端是无线连接的核心，随着 5G 支持的频段数量的增多，单个移动终端射频前端的数量和价值量也会迎来显著增长，未来射频前端市场增长空间广阔。 本文试图阐述射频前端半导体相关产业链的投资机遇，从逻辑和数据上阐述清楚以下几个重要问题： 1 射频前端半导体产业链生态将迎来新的变化，推动产业链公司迎新机遇。目前射频前端半导体产业由 IDM 模式主导。射频前端主要产品的市场均被几大国际巨头垄断。随着 5G到来，以高通为代表的 Fabless 厂商试图凭借基带技术切入射频前端领域；同时以华为为代表的设备商对于上游供应链的把控和“国产替代”需求也将重塑产业链格局，国内设计厂商有望迎来替代机遇，我们看好未来射频前端的国产替代逻辑。 2 制造技术是射频前端半导体的关键，涉及到的工艺和材料都不同于以往硅基半导体的制造。射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合。从手机端的 GaAs 二代化合物制造技术到基站端 GaN 三代化合物技术的演进，是我们关注的产业方向重点；同时，在封装端的高度整合以 SiP 形式展现，值得重点关注微缩化诉求下的产业机遇。 3 我们详细拆解手机端和基站端射频前端器件的价值量增长。根据我们的测算，我们得出2019 年智能手机射频前端市场将达到 184.7 亿美元，2020 年将达到 242.6 亿美元，相比2018 年 CAGR 达 18.79%。2021 年全球 5G 宏基站 PA 和滤波器市场将达到 243.1 亿元人民币，相比 2019 年 CAGR 为 162.31%，2021 年全球 4G 和 5G 小基站射频器件市场将达到 21.54 亿元人民币，相比 2019 年 CAGR 为 140.61%。 我们推荐重点关注国内射频前端芯片的龙头企业卓胜微和积极布局化合物射频前端芯片三安光电以及拥有 SiP 等先进封装技术龙头公司长电科技和环旭电子。 此外，我们建议关注海外的射频半导体技术领先的厂商：CREE、高通、Sumitomo、NXP、Macom，国内的公司我们建议关注在射频器件研发和生产方面具有潜力的 13 所、55 所、能讯半导体、远创达、