功率半导体行业专题报告：行至功率周期底部，静待下游复苏云起

功率半导体行业专题报告行至功率周期底部，静待下游复苏云起证 券 研 究 报 告投资评级： （ ）报告日期：行业推荐维持2024年03月15日◼分析师：毛正◼SAC编号：S1050521120001专题报告投 资 要 点MOSFET和IGBT为功率半导体市场增长主动力，第三代半导体成功率发展新方向功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电子电路中有广泛的应用。从细分市场来看，二极管长期市场规模比较稳定；BJT市场空间正逐步被MOSFET取代；MOSFET行业市场规模保持稳定扩张；在新能源汽车、风光储市场带动下，IGBT市场呈现结构性快速增长态势。随着技术迭代，第三代半导体也逐步进入功率半导体发展的主战场。晶圆产能供过于求，国产替代加速，下游市场逐步复苏从产业链各环节来看，上游晶圆产线的产能利用率呈现下降趋势，市场硅基总体产能过剩，海外功率巨头纷纷转向SiC赛道，国内SiC产能仍在追赶阶段。中游生产制造保持Fabless+IDM模式并存，在功率市场日渐成熟的趋势下，国内厂商未来转型IDM实现降本增利或成为路径之一，同时为摆脱中低端内卷，国内厂商聚焦出海机会，积极寻求替代空间。下游以消费电子、工控为代表的传统市场需求较为稳定，以新能源汽车、光伏、储能为代表的新能源市场需求较为旺盛，仍为功率半导体的主要增长动力。随着光伏储能已于2024年Q1完成加速库存去化，需求呈现复苏态势，预计2024年Q2将迎来集体拉货的需求，有望带动对上游IGBT等高压大功率器件的需求率先修复。行业处于周期底部，上行空间广阔，给予功率半导体行业投资评级：推荐功率半导体应用广阔，尽管目前处于行业周期底部，但随着交期、库存逐步改善，和下游需求逐步复苏的节奏，我们再次看到功率半导体行业景气度回升的信号。随着国内功率产品可靠性、稳定性、性能参数等不断追赶海外标准，未来国产替代空间广阔，我们给予功率半导体行业“推荐”评级。建议关注扬杰科技、捷捷微电、士兰微、斯达半导、新洁能、时代电气、东微半导、华润微、宏微科技。诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 2重 点 关 注 公 司 及 盈 利 预 测重 点 关 注 公 司 及 盈 利 预 测资料来源：Wind，华鑫证券研究（注：未评级公司盈利预测取自Wind一致预期）公司代码名称2024-03-14股价EPSPE投资评级20222023E2024E20222023E2024E300373.SZ扬杰科技41.422.071.622.0925.4425.6219.86未评级300623.SZ捷捷微电14.990.490.310.4130.5948.3536.56买入600460.SH士兰微20.790.740.450.7128.0946.2029.28买入603290.SH斯达半导160.474.795.476.8768.7729.3523.37未评级605111.SH新洁能38.992.041.071.4119.1136.4427.65买入688187.SH时代电气41.801.802.192.4030.2416.5717.40未评级688261.SH东微半导66.604.225.767.6715.7811.568.68买入688396.SH华润微41.071.981.121.4226.5639.8628.89未评级688711.SH宏微科技32.450.570.991.7056.9332.7819.09买入诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 3风 险 提 示宏观经济增长不及预期的风险；海外科技管制进一步加强的风险；本土科技创新突破不及预期的风险；下游需求恢复不及预期的风险；行业景气度复苏不及预期的风险；推荐标的业绩不及预期的风险。诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 4目 录CONTENTS1. 功率半导体作为电子核心器件，技术不断迭代2. MOSFET和IGBT跃升细分市场增长主力3. 产能供过于求，中低端内卷聚焦出海4. 行至周期底部，库存出清迎来曙光5. 相关标的诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 50 1 功率半导体作为电子核心器件，技术不断迭代功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，其本质是利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能，具体用途包括变压、逆变、整流、斩波、变频、变相等，可以提高能量转换效率，减少功率损失。1.1 功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心导体是电子装置电能转换与电路控制的核心诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 7图表：功率半导体的作用资料来源：Fuji Electric，宏微科技招股说明书，功率半导体生态圈，东芝，华鑫证券研究功率半导体可分为功率器件和功率 IC 两大类，其中功率器件主要包括二极管、晶闸管和晶体管，晶体管根据应用领域和制程不同又可分为BJT、MOSFET 和IGBT等；功率 IC 属于模拟 IC，包含电源管理 IC、驱动IC、AC/DC 和 DC/DC 等。图表：功率半导体的分类功率半导体功率器件二极管整流二极管开关二极管（SW）肖特基二极管（SBD）齐纳二极管（ZD）TVS二极管（TVS）高频二极管晶闸管晶体管双极结型晶体管（BJT）场效应晶体管（FET）结型场效应管（JFET）绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）绝缘栅双极结型晶体管（IGBT）功率IC电源管理IC驱动ICAC/DCDC/DC二极管1.2 功率半导体产品不断迭代导体产品不断迭代诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 8资料来源：电子爱好者，江苏威斯特，壹芯微，英飞凌，华鑫证券研究•具有单向导电性能。•制造工艺较为简单，应用广泛。•不能用控制信号来控制其通断，不可控器件。晶闸管•只有导通和关断两种状态，具有开关特性。•通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断，半控型器件。•GTO（门级可关断晶闸管）可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。晶体管BJT（三极管）MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）•有放大功能，可以将小信号转换成大信号。•以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）。•具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好； 制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。1.2 功率半导体产品不断迭代导体产品不断迭代诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE 9资料来源：英飞凌，新洁能招股说明书，罗姆，汽车半导体情报局，前瞻产业研究院，华鑫证券研究MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）平面栅（Planar）•中高压领域传统结构沟槽栅（Trench）•低压领域100V内超级结（SJ）•高压领域 600-800V屏蔽栅（SGT）•中低压领域200V内IGBT（绝缘栅双极结型晶体管）屏蔽栅（SGT）•输入部分为MOSFET结构、输出部分为双极结构的复合型器件，同时具备MOSFET和BJT两者的优点。•输入阻抗高，可以用小功率驱动，并且可以将电流放大为大电流。此外，即使在高耐压条件下，导通电阻也可保持在较低水平。开关速度不如MOSFET快，但比双极晶体管要快。穿通