电子行业：存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进

有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 电子行业 ⚫ 事件：2026 年 4 月 22 日，安克创新展示了其首款神经网络存算一体 AI 音频芯片Thus。 ⚫ 存内计算从底层架构层面解决内存墙瓶颈，优化计算功耗。部分投资者并未了解存内计算创新架构在 AI 计算中的应用潜力。传统的存算分离架构由冯·诺依曼在 1945年提出，其核心特征是将计算单元与存储单元分离，数据在处理器与内存之间频繁搬运。但大模型技术的迅猛发展下对存储容量和带宽的需求呈指数级上升，显著放大了存算分离架构的弊端。基于此，学术界及产业界目前正在持续推动存算一体架构的应用。目前，存算一体技术包括近存计算（计算单元通过先进封装技术与存储器紧密集成）、存内处理（在存储芯片的外围电路中增加计算功能）、存内计算等不同路径。其中，存内计算是融合度最高的方案，其直接利用存储介质的物理特性在存储阵列内部执行计算操作，实现高度并行和超低功耗的计算。与传统方案相比，存内计算在功耗、计算效率等方面具有明显优势，在相同制程工艺下，存内计算芯片有望在单位面积下提供更高的算力，更低的功耗。以知存科技发布的WTM2101 芯片为例，其专注端侧低功耗语音交互场景，功耗仅 5mW，相对于NPU、DSP、MCU 计算平台在同等功耗水平下可将算力提高 10 至 200 倍。 ⚫ 存内计算多条技术路线并行，技术迈向成熟。存储介质上，存内计算主流技术路线包括 SRAM、DRAM、Flash 和新型忆阻器（ReRAM、MRAM、PCM 等）方向。其中，SRAM 存算一体方案基于 CMOS 工艺，可采用先进工艺节点，读写速度快；DRAM方案存储密度高于 SRAM，适合处理大容量模型场景；Flash 方案具有非易失性和低功耗优势。目前，以 SRAM、NOR Flash 及 DRAM 作为存内计算介质的方案均已有产品落地。RRAM（阻变存储器）、MRAM（磁性存储器）、PCM（相变存储器）等新型存储介质具备良好的工艺可扩展性和超低功耗特性，被认为具备极大的应用潜力。ISSCC 2026 上，清华大学、华为与字节跳动联合团队发布关于存内计算芯片的论文，论文中首次提出基于 28nm 工艺的混合存内计算芯片，这款芯片以RRAM 为存储介质，通过创新架构设计大幅推荐系统核心运算的效率和能效。 ⚫ 存内计算产业化落地逐步推进。在端侧 AI 及低功耗等方向，国内玩家正在推进商业化落地。炬芯科技率先在业内实现存内计算技术商业化应用，正式推出面向端侧场景的 AI 音频芯片，2025 年基于自研模数混合 SRAM 存内计算架构的端侧 AI 音频芯片产品 ATS323X、ATS362X 出货量持续攀升，ATS323X 芯片已快速落地品牌客户旗舰无线麦克风并实现上市发售，切入多家专业音频头部品牌供应链。知存科技发布的全球首款基于 NOR Flash 的存算一体语音芯片 WTM2101 芯片已实现超过 1000万颗的出货量，应用于华为、小米等品牌的智能可穿戴设备中。安克创新推出的Thus 芯片基于 NOR Flash 技术打造，原生支持 4 兆参数模型，搭载在安克即将发布的旗舰耳机上。微纳核芯凭借 3D-CIM技术架构已与国内头部存储器厂商和多家终端龙头企业深入合作，作为 RISC-V 存算一体应用组组长单位在杭州萧山牵头启动全球首个 RISC-V 存算一体标准研制工作；公司于 2026 年 3 月获得兆易创新入股。 ⚫ 存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进。相关标的：兆易创新、炬芯科技、恒烁股份、安克创新等。 风险提示 AI 落地不及预期，技术迭代速度不及预期，国产化进展不及预期 投资建议与投资标的 核心观点 国家/地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2026 年 04 月 27 日 薛宏伟 执业证书编号：S0860524110001 xuehongwei@orientsec.com.cn 021-63326320 蒯剑 执业证书编号：S0860514050005 香港证监会牌照：BPT856 kuaijian@orientsec.com.cn 021-63326320 李晋杰 执业证书编号：S0860125070012 lijinjie@orientsec.com.cn 021-63326320 AI 存储需求强劲，关注 CXL 内存池方案进展 2026-04-14 CXL 方案优化 AI 存储架构，头部厂商有望加速应用 2026-03-17 SRAM 在 AI 推理中拓展应用，堆叠方案可助力容量扩充 2026-03-07 存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进 看好（维持） 电子行业动态跟踪 —— 存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 2 投资建议：存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进 存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进。相关标的：兆易创新(603986，买入)、炬芯科技(688049，未评级)、恒烁股份(688416，未评级)、安克创新(300866，未评级)等。 风险提示 AI 落地不及预期：若 AI 落地不及预期，可能导致下游需求增长不及预期。 技术迭代速度不及预期：若存内计算等技术迭代速度不及预期，可能影响下游需求。 国产化进展不及预期：若国产厂商在技术突破等方面进展不及预期，可能导致国产化进程不及预期。 依据《 发 布证 券 研究 报 告暂 行 规定 》 以下条款： 发 布 对具 体 股票 作 出明 确 估值 和 投资 评 级的 证 券研 究 报告 时 ，公 司 持有 该 股票 达 到相 关 上市 公 司 电子行业动态跟踪 —— 存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 3 Tabl e_Disclai mer 分析师申明 每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明： 分析师在本报告中对所提及的证券或发行人发表的任何建议和观点均准确地反映了其个人对该证券或发行人的看法和判断；分析师薪酬的任何组成部分无论是在过去、现在及将来，均与其在本研究报告中所表述的具体建议或观点无任何直接或间接的关系。 投资评级和相关定义 报告发布日后的 12 个月内行业或公司的涨跌幅相对同期相关证券市场代表性指数的涨跌幅为基准（A 股市场基准为沪深 300 指数，香港市场基准为恒生指数，美国市场基准为标普 500 指数）； 公司投资评级的量化标准 买入：相对强于市场基准指数收益率 15%以上； 增持：相对强于市场基准指数收益率 5%～15%； 中性：相对于市场基准指数收益率在-5%～+5%之间波动； 减持：相对弱于市场基准指数收益率在-5%以下。 未评级