半导体行业2026年策略：聚焦算力、自主可控与存储周期

证 券 研 究 报 告聚焦算力、自主可控与存储周期半导体行业2026年策略证券分析师：杨海晏 A0230518070003 袁航 A0230521100002 杨紫璇 A0230524070005 联系人：袁航 A 2026.3.18www.swsresearch.com证券研究报告2投资要点◼国产算力芯片崛起，先进制造版图重塑。中国AI芯片市场爆发，先进制程扩张进度超预期，根据TrendForce预测2026年中国本土7nm/6nm工艺平台份额预计扩张至接近20%，工艺迭代下N+3及以下制程有望从消费级延展至算力领域。此外，高阶AI芯片也对后道的配套能力提出更高要求，2.5D/3D先进封装平台需求激增，尤其是CoWoS相关产能供不应求。◼全环节进入资本开支高峰期，国产半导体设备受益。SEMI预计至2026年中国大陆半导体设备市场依然将继续领跑所有地区，投资金额占全球比重约3成，本土设备厂商持续受益高强度资本开支。此外，设备国产化进入加速期，根据半导体行业协会公布数据，中国大陆使用本土半导体制造设备的占比已从2024年的25％提升至2025年的35％。◼存储进入超级周期，国产厂商崭露头角。AI驱动的存储需求横跨所有领域，2026年服务器成为存储占比第一的下游应用。年内新增产能有限，存储价格继续维持高位。在存储超级周期中，国产存储进军第一梯队，长鑫科技上市有望成为自主可控的里程碑。除大宗存储外，专用型存储领域因存储原厂淡出供应带来产业重组机会。◼建议重点关注标的：1）算力芯片：摩尔线程、沐曦股份、芯原股份、灿芯股份；1）先进制造/先进封装：中芯国际、华虹公司、燕东微、芯联集成、通富微电、盛合晶微、伟测科技、甬矽电子、晶方科技、华天科技；2）半导体设备/零部件：北方华创、中微公司、拓荆科技、长川科技、中科飞测、华海清科、芯源微、江丰电子；3）存储芯片及配套：长鑫科技、兆易创新、澜起科技、深科技、晶合集成、华润微、汇成股份；◼风险提示：产业政策变化风险；国际贸易摩擦风险；工艺平台技术迭代无法满足市场需求风险。主要内容1. 国产算力芯片崛起，先进制造版图重塑2. 存储进入超级周期，本土厂商崭露头角3. 相关标的和估值3www.swsresearch.com证券研究报告41.1 中国AI芯片市场进入爆发期◼中国AI芯片自2024H2进入爆发期，出货量高增，2025H1 AI芯片合计销售190.6万片，同比增长109.9%；本土份额从2022年不到15%提升至2025H1接近35%，借助政策支持与强劲的本地需求，核心企业凭借自主研发的产品矩阵，在海外产品出现真空期间逐步填补算力供给缺口。◼H200重新出口有望吸引CSP、OEM采购，但本土AI芯片仍会朝向自主化发展。根据TrendForce预测，第三方AI芯片设计公司有机会扩大市场占比至50%，互联网厂商自研ASIC占比约20%，NVIDIA H200或AMD MI325等其他同级的海外产品，在可输入市场的情况下，维持约近30%占比；预估2026年中国整体高阶AI芯片市场总量有望成长逾60%。图：本土AI芯片份额图：中国市场AI芯片出货量（单位：万颗）资料来源：IDC，申万宏源研究www.swsresearch.com证券研究报告51.2 华为Asecnd强势回归◼三年三代四款芯片涵盖Ascend 950PR/DT、960、970系列，算力将以每年翻倍速度演进。•26年即将推出的950系列含PR和DT两款型号，新增FP8/MXFP8等低精度格式，FP8算力达1P；互联带宽较前代910C提升2.5倍至2TB/s，还借助自研HiBL 1.0和HiZQ 2.0 HBM实现芯片级PD分离。◼超节点正成为AI基础设施建设新常态。•大会推出新一代Atlas 950 AI超节点及TaiShan 950通算超节点，在规模、性能及传统设备替代上展现显著领先性。图：Ascend资料来源：华为昇腾，申万宏源研究www.swsresearch.com证券研究报告61.3 下游高端需求强劲，2026年也是供给侧突破的一年◼根据TrendForce数据，2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期，其中7nm/6nm工艺平台份额预计扩张至接近20%。◼此外，AI时代高阶芯片的放量对后道先进封装的配套能力提出更高要求，未来随着前道良率提升则KGD（known good dies）数量也有一定提升，需要更多封装产能。6表：全球晶圆代工市场6/7nm及5/4nm节点份额变化（按K/M计算）7/6nm1Q232Q233Q234Q231Q242Q243Q244Q241Q25 2Q25 3Q25 4Q25 1Q26F 2Q26F 3Q26F 4Q26F 中国台湾95.5%95.5%89.8%89.8%92.6%92.6%92.6%92.6%89.8%89.8%89.8%89.3%87.2%84.7%80.2%80.2%韩国1.3%1.3%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.1%1.1%1.1%中国大陆3.2%3.2%9.0%9.0%6.2%6.2%6.2%6.2%9.0%9.0%9.0%9.5%11.6%14.1%18.7%18.7%5/4nm1Q232Q233Q234Q231Q242Q243Q244Q241Q25 2Q25 3Q25 4Q25 1Q26F 2Q26F 3Q26F 4Q26F 中国台湾70.3%71.1%71.1%71.1%67.5%67.5%65.8%63.9%69.4%71.8%73.2%75.6%73.9%73.9%73.9%73.9%韩国29.7%28.9%28.9%28.9%30.0%30.0%31.6%33.3%27.8%25.6%24.4%22.2%23.9%23.9%23.9%23.9%中国大陆.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%资料来源：集邦咨询，申万宏源研究www.swsresearch.com证券研究报告71.4 N+3及以下先进工艺有望从消费级延展至算力领域◼根据Counterpoint资料，2025年11月下旬华为推出了全新旗舰系列Mate 80系列及折叠屏机型Mate X7，除Mate 80外均搭载最新麒麟9030或9030 Pro芯片，使用了N+3制程。◼由于复杂性的增加，N+4开发可能需要比N+3更长的时间，改进主要集中在材料和工艺优化上，后续这些制程或使用在国产AI芯片上，AI芯片设计公司有望在未来几年继续培养中国本土供应链。产品Kirin 9020Kirin 9030系列Kirin 9040（Estimated）Kirin 9050（Estimated）制程N+2N+3N+3/N+4N+4晶体管密度100%（Base）115%115%/130%130%发布时间Q Q Q Q 表：海思麒麟旗舰智能手机SoC路线图资料来源：Counterpoint Research，申万宏源研究www.swsresearch.com证券研究报告81.5 高算力芯片中先进封装成本占比已高