爱建电子专题报告：存储芯片涨价将延续至2026年

证券研究报告行业研究 / 行业深度2025 年 12 月 22 日行业及产业电子存储芯片涨价将延续至 2026 年——爱建电子专题报告强于大市投资要点：2025Q4 存储芯片进入新一轮涨价周期。Micron、Samsung、SK Hynix 三大存储巨头陆续上调 DRAM 及 NAND Flash 产品合约价，相关现货价格同步持续上扬。复盘历史周期，2016-2018 年的存储芯片涨价由智能手机配置升级直接驱动；2020-2023 年受益于线上经济、居家办公场景拉动 PC 等终端出货量提升，叠加疫情下产业链囤货需求，推动存储市场阶段性上行。与前两轮周期不同，本轮涨价周期来自于智能手机和服务器的双重需求共振。iPhone 在 2025 年完成存储容量升级后，我们判断其内存容量有望在 2026 迎来再次升级。如此密集的持续升级，有望助推全球存储芯片市场涨价周期在 2026 年延续。DRAM 可直接与核心处理器芯片交互，快速存储计算临时信息。DRAMeXchange，TrendForce 数据显示，2024 年全球 DRAM 市场规模达 958.63 亿美元，同比增长 84.83%。全球 DRAM 市场呈现寡头垄断格局：2024 年 Samsung、SK Hynix、Micron 的 DRAM产品市场份额分别达到 41.54%、34.44%和 21.51%，三者合计拥有 97.5%的市场份额；国内企业方面，长江存储、江波龙、佰维存储等凭借架构创新与场景深耕，正加速在该领域实现突破。NAND Flash 是一类非易失性存储器技术，核心应用于数据长期存储场景。相较 DRAM，其具备存储容量大、单位成本相对较低等核心优势。据 TrendForce 统计，2023 年全球NAND Flash 市场规模为 387.3 亿美元，2024 年增加至 656.4 亿美元。2024 年全球市场NAND Flash 份额排名前五的企业依次为 Samsung（35.7%）、SK Group（21.3%）、Kioxia（14.4%）、Micron（12.9%）、SanDisk（11.0%）。按存储单元位数划分，NANDFlash 可分为 SLC（单层式储存）、MLC（双层式储存）、TLC（三层式储存）及 QLC（四层式储存）四种类型，不同类型产品的场景定位存在显著差异。全球存储芯片产业呈现“美国-日本-韩国-中国”的区域转移脉络。美国作为存储技术发源地，英特尔等企业率先引领早期存储芯片的技术迭代与市场拓展；1970 年代日本凭借举国体制集中突破半导体核心技术，1986 年存储器全球市占率攀升至 65%，一度主导全球市场，后因日美贸易摩擦加剧，其存储芯片市场份额逐步下滑；韩国 Samsung、SK Hynix 等企业顺势崛起，1996 年 Samsung 推出全球首款 1GB DRAM，正式跻身行业领跑者行列。当前，Micron、SK Hynix、铠侠等国际存储厂商凭借持续的技术迭代，仍占据全球市场龙头地位：Micron 聚焦 HBM3E、高端 NAND Flash 等高附加值产品，深度绑定 NVIDIA 等AI 巨头构建定制化供应链；铠侠以 BiCS FLASH™3D 闪存技术为核心竞争力，巩固细分领域优势；SK Hynix2024 年实现营收 454.71 亿美元（同比+102.02%），积极加码高端赛道布局；中国企业中，长江存储、长鑫存储、江波龙等厂商加速技术突破与产能扩张，正推动全球存储芯片产业重心逐步向中国转移。投资建议：受益于 AI 服务器持续高景气叠加 iPhone 等智能手机存储芯片参数升级周期，存储行业将开启新一轮发展周期，建议关注国产存储产业链上市公司投资机会。风险提示：1）行业周期性波动风险；2）市场竞争加剧风险；3）技术迭代不及预期一年内行业指数与沪深 300 指数对比走势：资料来源：聚源数据，爱建证券研究所相关研究《电子行业周报：TPU 需求上涨带动 Google产业链发展》2025-12-21《人工智能月度跟踪：摩尔线程、沐曦股份 IPO首发成功》2025-12-19《电子行业周报：NVIDIA H200 芯片放松出口限制》2025-12-16《爱建电子专题报告：iPhone 折叠屏有望带来产业发展拐点》2025-12-15《电子行业周报：字节跳动发布豆包手机助手》2025-12-08证券分析师许亮S08205250100020755-83562506xuliang@ajzq.com联系人朱俊宇S0820125040021021-32229888-25520zhujunyu@ajzq.com请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明2行业研究2025 年 12 月 22 日目录1. 存储芯片进入新一轮涨价周期.............................................................51.1 三大存储巨头纷纷上调产品价格........................................................................................... 51.2 存储周期历史复盘................................................................................................................... 61.3 新一轮存储周期的驱动因素分析........................................................................................... 82. 内存：DRAM...................................................................................... 112.1 DRAM 概述...............................................................................................................................112.2 DRAM 技术路线分化...............................................................................................................132.3 DRAM 核心发展方向：HBM...................................................................................................153. 存储：NAND Flash..............................................................................183.1 NAND Fla