超高深宽比刻蚀助力3D NAND扩产

证券研究报告：电子| 公司点评报告市场有风险，投资需谨慎请务必阅读正文之后的免责条款部分股票投资评级买入 |维持个股表现2024-122025-022025-052025-072025-092025-12-13%-6%1%8%15%22%29%36%43%50%57%北方华创电子资料来源：聚源，中邮证券研究所公司基本情况最新收盘价（元）457.46总股本/流通股本（亿股）7.24 / 7.24总市值/流通市值（亿元）3,314 / 3,31252 周内最高/最低价468.00 / 318.60资产负债率(%)51.0%市盈率43.27第一大股东北京七星华电科技集团有限责任公司研究所分析师:吴文吉SAC 登记编号:S1340523050004Email:wuwenji@cnpsec.com分析师:翟一梦SAC 登记编号:S1340525040003Email:zhaiyimeng@cnpsec.com北方华创(002371)超高深宽比刻蚀助力 3D NAND 扩产l投资要点预计中国大陆 2026 至 2028 年间设备支出将达 940 亿美元。受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中 AI 芯片需求激增，SEMI 预计 2025 年全球 300mm 晶圆厂设备支出将首次超过1,000 亿美元，增长 7%至 1,070 亿美元；2026 年将增长 9%，达到1,160 亿美元；2027 年增长 4%，达到 1,200 亿美元；2028 年将增长 15%，达到 1,380 亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球300mm 设备支出，2026 至 2028 年间投资总额将达 940 亿美元。全球分领域看，Logic 和 Micro 领域预计将在 2026 至 2028 年间以1,750 亿美元的设备投资总额领先；Memory 领域预计将在三年间以 1,360 亿美元的支出位居第二；Analog 相关领域预计将在未来三年内投资超过 410 亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关领域预计将在未来三年间投资 270 亿美元。晶体管从平面结构转向 3D 立体结构，以及背面供电的发展，推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，已经成为 20nm 以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到 5nm 及以下，FinFET 的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决 FinFET 技术瓶颈的关键，预计从 2nm 节点开始，所有先进芯片设计将全面采用 GAA 技术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据 IMM 信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统 FinFET 时代的 20%上升至 GAA 架构下的 35%，单台设备价值量同比增长 12%。薄膜沉积设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着芯片工艺的不断缩小，互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电阻问题，极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问题，背面供电网络（BSPDN）被提出，背面供电实际应用面临晶圆减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战，这些挑战不仅涉及新设备的开发，还需要对现有制造流程和设计工具进行彻底改造。全球内存技术多赛道并行迭代，刻蚀、薄膜设备等需求大涨。当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段，AI 算力需求与终端设备升级为核心驱动力。从 HBM 以 3D 堆叠技术突破带宽瓶颈、成为 AI 芯片标配，到 CXL 通过架构重构破解“内存发布时间：2025-12-10请务必阅读正文之后的免责条款部分2墙”、推动数据中心内存池化；从 HBF 以 NAND 闪存特性填补性能鸿沟、聚焦 AI 推理场景，到 LPDDR 与 GDDR 分别针对移动/车载、图形/AI 推理优化——技术创新已呈现“场景化细分”特征。头部厂商的战略布局也在进一步加剧竞争，未来，随着 JEDEC 标准持续完善（如 HBM4、LPDDR6）与生态协同深化，内存技术将更紧密贴合 AI、数据中心、智能终端的需求，同时推动全球存储产业格局向“技术驱动型”加速演进。随着 3D 堆叠存储的发展，3D NAND目前主流产品已超过 200 层，未来将向 1000 层迈进，DRAM 未来亦向 3DDRAM 发展，对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如 NAND 从 32 层提高到 128 层时，刻蚀设备用量占比从 35%提升至 48%。随着 3D NAND 堆叠层数的增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流。根据 SEMI，Memory 预计将在三年间以 1,360 亿美元的支出位居第二，其中，DRAM 相关设备投资预计将超过 790 亿美元，3D NAND 投资将达到 560 亿美元。平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程，股权激励彰显信心。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据 Yole，中国大陆有望在 2030 年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由2024 年的 21%提升至 30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。11 月 22 日，公司披露2025 年股票期权激励计划（草案），有助于促进公司中长期激励机制的健全与完善，提升人才吸引力与团队稳定性。公司拟向激励对象授予 10,465,975 份股票期权，约占本激励计划草案公告时公司股本总额的 1.4446%，激励对象共计 2,306 人，其中，公司董事、高级管理人员 7 人，核心技术人才及管理骨干 2,299 人，假设公司 2025 年 11 月末授予股票期权，2025 年-2030 年期权成本需摊销的总费用约 21 亿。l投资建议我们预计公司 2025/2026/2027 年分别实现收入 398/503/613 亿元，归母净利润 61/84/111 亿元，维持“买入”评级。l风险提示人力资源风险，供应链风险,技术更新风险，市场需求波动风险，并购整合风险。n盈利预测和财务指标请务必阅读正文之后的免责条款部分3[table_FinchinaSimple]项目\年度2024A2025E2026E2027E营业收入（百万元）29838398265025961330增长率(%)35.1433.4826.2022.03EBITDA（百万元）7653.228861.0411870.5415173.10归属母公司净利润（百