能源电子月报：功率半导体走向改善区间，碳化硅加速上车

请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2024年04月07日能源电子月报功率半导体走向改善区间，碳化硅加速上车行业研究 · 行业月报 电子投资评级：超配（维持评级）证券分析师：胡剑证券分析师：胡慧证券分析师：叶子证券分析师：周靖翔联系人：连欣然021-60893306021-608713210755-81982153021-60375402010-88005482hujian1@guosen.com.cnhuhui2@guosen.com.cnyezi3@guosen.com.cnzhoujingxiang@guosen.com.cnlianxinran@guosen.com.cnS0980521080001S0980521080002S0980522100003S0980522100001证券研究报告 | 请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容功率半导体走向改善区间，碳化硅加速上车l 新能源汽车：2024年2月我国乘用车SiC模块渗透率约为11.9%，主驱功率模块国产占比约71%。整车情况：根据中汽协数据，我国2月新能源汽车单月销量47.7万辆(YoY-9.2%,MoM-34.6%)，插电式混动车型销量同比增加22.8%。主驱功率模块情况：根据NE时代数据，2月国内上险乘用车主驱功率模块国产占比约71%。碳化硅渗透情况：根据NE时代数据，2月国内上险乘用车主驱碳化硅模块渗透率约为11.9%，23年6-12月800V车型中碳化硅车型占比分别为15%/18%/29%/35%/39%/45%，2024年1-2月占比53%/58%，问界M9、理想MEGA等多个碳化硅车型陆续上市带来800V车型碳化硅应用的渗透率提升。l 充电桩：2024年2月我国充电桩增量为16.27万台（YoY-7.9%%），其中公共充电桩增量为4.40万台（YoY+42.17%，QoQ-21.62%），随车配建私人充电桩增量为11.87万台(YoY-18.50%，QoQ-43.04%)。l 光伏逆变器：3月20kW、50kW、110kW光伏逆变器价格保持稳定，订单仍然以工商业生产为主，工商业用组串式逆变器功率需求往大功率提升。l 功率器件交期：根据TTI与富昌电子数据，除部分IGBT产品，大部分功率器件产品交期与价格基本趋稳。l 台股功率半导体跟踪：供给端库存水位降低，工业、PC需求逐步回暖，月度营收同比逐步进入正增长阶段。投资建议：当前行业库存水位好转，触底后开始逐步走向改善区间。供给端，二三极管等传统器件经历多季度调整产品价格降幅收窄，产线稼动率随需求增加逐步改善；MOSFET价格降幅逐步收窄，设计公司代工成本逐步优化，24年同比有望逐步改善；碳化硅逐步向中低价位段车型渗透并覆盖部分混动与400V车型，随着应用市场逐步下沉，碳化硅用量提升有助于产业链成本进一步下探。中短期维度下，受益于降价与扩产增速收敛细分领域头部公司份额与盈利能力有望得到阶段性修复；从长期维度看，国产化进入深水区，多品类突破、垂直产业链布局或横向全球化布局打开竞争空间的公司有望阶体现竞争优势，建议关注扬杰科技、新洁能、斯达半导、时代电气、华润微、士兰微、东微半导、宏微科技、捷捷微电及碳化硅产业链上游的天岳先进、晶升股份等公司。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容能源电子框架资料来源：英飞凌，国信证券经济研究所整理电网光伏/风电储能充电桩/电源/逆变器新能源汽车功率半导体变革逆变：直流-交流整流：交流-直流电流变频直流电压变换交流电压变换Si/SiC/GaN电力电子架构变革请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容数据中心与通信应用AC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETDC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFET驱动力1：数据及计算电源大幅增加驱动力2：基站数量增加驱动力3：MIMO antenna升级，功率半导体用量x4倍驱动力4：雾计算（fog computing）数据中心为全新市场p 数据中心电源、基站与通信电源资料来源：英飞凌、国信证券经济研究所整理BoM及用量均增加单位功率提升倍数服务器增速功率增速 x1.3ü 用电功率指数级增长催生器件和封装的技术创新以解决电源效率和功率密度提升带来的挑战ü 功率半导体等器件增速为服务器增速约 1.3 倍AI Training & Networking功率半导体增量场景2021增量1：新能源：光储车桩增量2：数据中心及通信202420272030增量3：工业自动化功率半导体用量联系人：叶子19842617551IG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LYSISIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / discretesWafersIG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / dWafers核心功率器件为GaN器件、中低压SGT MOS及Dr MOS等资料来源：英飞凌，国信证券经济研究所整理等多家功率器件及PMIC厂商请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容新能源汽车应用车载充电器DC/DC 转换器座舱域电池逆变器交流输入高压直流输入低压充电桩电网（交流）（直流）驾驶域车载充电器（OBC）高压电池辅助电机（º）电机48 V低压电池逆变器转换器充电桩交流 直流新能源汽车-能量流整车类型•轻混动 MHEV•混动 HEV•插电混动 PHEV•纯电动 BEV•燃料电池汽车 FCEV系统封 装功率器件•主逆变器•升压变流器•DC-DC转换器•车载充电器•电池管理系统•模块•分立器件•Si MOSFET•Si IGBT•Si BJT•SiC MOSFET•GaN HEMT•PMICIG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LYSISIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / discretesSyWaferssIGBT diesWafersIG BT SU PPLY C H A IN FO R EV/H EVIGBT diesInvN on-exhaustive listIGBT discretes / modulesFor a detailed technology and m arket analysis of EV/H EV, please refer to Yole’s“Power eleN D PLAYER A N A LYSISs m odelsModules / discretesSystems/converters(K rem ny)(Energom odul)(Z avod Iskra)主驱IGBT模块/IGBT单管超结MOS（OBC\DC-DC\充电桩）IG BT SU PPL