电子行业深度研究报告：AI浪潮汹涌，HBM全产业链迸发向上

证 券 研 究 报 告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 电子 2024 年 03 月 31 日 电子行业深度研究报告 推荐 （维持） AI 浪潮汹涌，HBM 全产业链迸发向上  AI 需求爆发驱动 HBM 快速增长，三大存储原厂引领市场。HBM 即高带宽存储器，是一种基于 3D 堆叠工艺的 DRAM 内存芯片，具有高内存带宽、低能耗、更多 I/O 数量、更小尺寸等优势。自 2013 年海力士首次制造问世以来，HBM 已迭代至第五代 HBM3E，该代际产品最大容量为 36GB，每引脚最大数据速率为 9.2Gbps，最大带宽超过每秒 1.18TB。ChatGPT 爆火 AI 大模型迎来快速发展，引爆算力需求，HBM 助力突破存储瓶颈，成为高速计算平台的最优解决方案。为应对 NVIDIA 和大型 CSP 厂商对高带宽存储订单的不断增加，各大存储供应商持续扩大 HBM 产量，有望推动 HBM 市场规模在 2024 年达到 169 亿美元，同比增长 288 %，占 DRAM 产业产值比重或提升至 20.1%，同比提升 11.7pct。SK 海力士独占 HBM 市场半壁江山，三星有望逐步缩小差距。根据 TrendForce 数据，2022 年三大原厂 HBM 份额分别为 SK 海力士占比50%，三星占比约 40%，美光（Micron）占比约 10%。  设备端：TSV 提升前道工艺及设备需求，混合键合对先进封装提出了更高的要求。TSV 是 HBM 核心工艺，成本占比近 30%。TSV 属于前道工艺，用于生产 HBM 的 DRAM 颗粒需要在制造过程中预留 TSV 打孔的位置，属于定制颗粒，其中最关键的中通孔（Via Middle）的制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等前道工艺，提振相关设备需求。互联距离/互联密度/导热效率优势加持，混合键合或为未来 HBM 主流堆叠键合技术。混合键合设备的平均售价将显著高于目前最先进的 Flip chip（倒装芯片）或 TCB 键合系统。随着 HBM 需求持续抬升，存储领域将会贡献明显增量，中性假设下全球 2030 年混合键合设备保有量有望达到 1400 台左右。混合键合对表面光滑度、清洁度和粘合对准精度要求更为严格，生产必须在标准接近前端晶圆厂级别的超洁净室、自动化工厂和工艺专业知识要求的环境中进行，对先进封装和测试的工艺及设备提出了更高的要求，键合设备、刻蚀机、电镀机、沉积设备、量测和测试设备等有望受益。建议关注拓荆科技、华海清科、中微公司、北方华创、芯源微、中科飞测、赛腾股份、精智达。  材料端：TSV、MR-MUF 带动 EMC 材料、前驱体、电镀液、底填胶等增量需求。MR-MUF 和 EMC 塑封料是 SK 海力士实现 HBM3 技术升级的关键工艺及材料，MR-MUF 相比目前主流堆叠工艺 TC-NCF 具有散热好等优势，SK海力士 2016 年首次在 HBM2E 上采用，随着后续堆叠层数变高减薄散热要求进一步提高，EMC 材料有望迎来进一步发展。TSV 制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等工艺，电镀液抛光材料等需求提升。此外 HBM 由多层堆叠而成，制造端前驱体、光刻胶等用量需求提升，封装端需用 underfill 填充保护，底填胶、载板亦有望受益。建议关注雅克科技、华海诚科、德邦科技、沃格光电、上海新阳。  HBM 需求高增有望拉动先进封测需求，建议关注通富微电、长电科技、深科技。经销商环节亦有望受益，建议关注香农芯创。  风险提示：产能扩张进度不及预期风险，产品迭代不及预期，行业竞争加剧。 证券分析师：耿琛 电话：0755-82755859 邮箱：gengchen@hcyjs.com 执业编号：S0360517100004 证券分析师：岳阳 邮箱：yueyang@hcyjs.com 执业编号：S0360521120002 证券分析师：吴鑫 邮箱：wuxin@hcyjs.com 执业编号：S0360523060001 证券分析师：姚德昌 邮箱：yaodechang@hcyjs.com 执业编号：S0360523080011 行业基本数据 占比% 股票家数(只) 464 0.06 总市值(亿元) 67,985.73 7.70 流通市值(亿元) 51,606.31 7.51 相对指数表现 % 1M 6M 12M 绝对表现 10.7% -2.3% -12.1% 相对表现 9.1% 2.9% -0.8% 相关研究报告 《折叠屏手机行业深度研究报告：折叠屏引领手机创新，带动柔性 OLED、柔性盖板和铰链产业升级》 2024-02-24 《半导体存储模组行业深度研究报告：景气复苏渐进叠加 AI 需求释放，存储新一轮行情蓄势待发》 2024-02-21 《面板行业深度研究报告：供给侧去产能初见成效，体育赛事有望开启一轮新周期》 2023-12-30 -35%-21%-6%8%23/0323/0623/0823/1024/0124/032023-03-29~2024-03-29电子沪深300华创证券研究所 电子行业深度研究报告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 投资主题 报告亮点 本报告细致分析了 HBM 产业链及其良好的发展前景，依次梳理了 HBM 产品特征及优势、技术演进、爆发背景、前景展望、竞争格局、上游供应商等，其中从工艺难点切入，着重分析了 HBM 制备过程中的设备和材料需求，我们认为：1）设备端：TSV 与混合键合对于前后道工艺和设备均提出了更高的要求；2）材料端：TSV、MR-MUF 带动 EMC 材料、前驱体、电镀液、底填胶等增量需求。此外，HBM 需求高增，先进封测与经销商环节亦将受益。 投资逻辑 HBM 具有高带宽优势，AI 需求爆发驱动 HBM 快速增长，2024 年市场规模有望同比高增 288%达到 169 亿美元，占 DRAM 产业产值比重或提升至 20%。竞争格局来看，SK 海力士独占 HBM 市场半壁江山，三星有望逐步缩小差距。TSV、MR-MUF 与混合键合为其中关键工艺：TSV 是 HBM 核心工艺，成本占比近 30%，TSV 属于前道工艺，制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等工艺，对相关环节前道设备和电镀液抛光材料等需求提升；而混合键合或为未来HBM 主流堆叠键合技术，其生产必须在标准接近前端晶圆厂级别的超洁净室、自动化工厂和工艺专业知识要求的环境中进行，对先进封装和测试的工艺及设备提出了更高的要求；MR-MUF 和 EMC 塑封料是 SK 海力士实现HBM3 技术升级的关键工艺及材料，此外 HBM 由多层堆叠而成，制造端前驱体、光刻胶等用量需求提升，封装端需用 underfill 填充保护，底填胶、载板亦有望受益。建议关注：拓荆科技、华海清科、中微公司、北方华创、芯源微、中科飞测、赛腾股份、精智达、雅克科技、华海诚科、德邦科技、沃格光电、上海新阳、通富微电、长电科技、深科技、香农芯创等。 电子行业深度研究报告 证监会审核华创