电子行业深度报告：AI拉动景气度向上叠加业绩拐点，存储板块成长动能充足

证券研究报告·行业深度报告·电子 东吴证券研究所 1 / 24 请务必阅读正文之后的免责声明部分 电子行业深度报告 AI 拉动景气度向上叠加业绩拐点，存储板块成长动能充足 2024 年 03 月 05 日 证券分析师 马天翼 执业证书：S0600522090001 maty@dwzq.com.cn 证券分析师 金晶 执业证书：S0600523050003 jinj@dwzq.com.cn 行业走势 相关研究 《整车制造降价提速，一体化嵌塑集成蓄势待发》 2024-02-20 《 2024 年度策略：技术创新全面开花！》 2024-01-10 增持（维持） [Table_Tag] [Table_Summary] 投资要点 ◼ 存储产品价格持续上涨，有望打开量价齐升局面。伴随海外大厂持续降低稼动率、去库存，存储板块自 23Q3 触底反弹进入涨价上行通道。DRAM、NAND 颗粒价格均自 23Q4 起涨，Wafer 涨价趋势明显。随着海外大厂积极减产提价叠加 AI 催化，下游拉货意愿强烈，存储市场供不应求行情显著。随着需求的进一步回暖，涨价有望持续，量价齐升。此外，HBM、DDR5 等高附加值产品渗透率逐步提升，有望拉动存储价格进一步上涨。 ◼ 行业整体回暖，国内模组厂业绩拐点已现。1）海外市场：收入端，存储行业下行导致多家企业的营收出现下跌，但 AI 发展带来了对服务器和移动端产品的高需求，部分公司业绩回弹。利润端，2023 年 Q1 行业整体毛利率大幅下降，企业通过提升产品 ASP 成功提升盈利能力。各公司通过成本管理收窄亏损额，行业逐步回暖。头部公司的库存周转天数下降，预示市场环境逐步改善。产品端，NAND 业务 2024Q1 稼动率仍较低，而 HBM 和 DDR5 产能有所回升，资本支出将聚焦于这一领域。整体来看，DRAM 和 NAND 供给逐季减少，产品市场价格有望提升，根据 TrendForce 预测， NAND Flash2024Q1 合约价季涨幅为 18%-23%，DRAM Q1 涨幅 13-18%。2）国内市场：业绩方面 23Q3 绝大部分厂商都实现了环比增长，部分厂商营收实现同比增长，随着 23 年业绩预告逐步公告，模组厂 Q4 已经迎来业绩拐点。 ◼ 智能手机、PC 等下游需求改善叠加 HBM 等新品需求提升，存储行业成长动能充足。随着数字化的发展，智能手机、智能穿戴设备、PC、服务器等产品需求量增加，带动了存储芯片的需求增长。2023Q4 全球智能手机出货量达到 3.261 亿台，可穿戴设备 2023Q3 全球出货量同比增长 2.6%，达到 1.5 亿台。根据 Gartner 数据，2023Q4 全球 PC 出货量总计 6330 万台，比 2022Q4 增长 0.3%。根据 IDC 数据，预计服务器 2026年全球市场规模和出货量将达到 1665.0 亿美元和 1885.1 万台。 ◼ 投资建议：市场担心前期存储板块涨价主要系海外原厂控产导致，持续性堪忧，但我们认为下游需求逐步回暖叠加 HBM 新品需求及 DDR5 渗透率持续提升，存储板块成长动能持续接力。存储国产化势在必行，重点关注存储产业链。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及涨价传导业绩改善观测，大厂 HBM 及 DDR5 等新品扩产明确，国产化存储产品突破、AI 及下游需求回暖等持续催化，我们在当前时点看好存储涨价传导业绩反弹及 AI 算力存储国产主线。伴随下游 AI 服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动，基于产业配套及国产化替代等逻辑，我们认为存储板块重点看两条主线：1)涨价逻辑业绩反弹标的：佰维存储（Q4 毛利率环比提升超过 13pcts）、德明利（全年扭亏，第四季度净利润大幅增长）、江波龙（营收破百亿元，四季度扭亏为盈）、普冉股份等。2)HBM 及 AI 算力存储国产化相关标的：佰维存储（研发封测一体化厂商）、朗科科技（国内大湾区算力枢纽核心存储模组厂商）、香农芯创（海力士国内核心分销商）、万润科技（与国内存储大厂密切合作）、同有科技、澜起科技等。 ◼ 风险提示：涨价传导不及预期风险；宏观经济形势变化风险；龙头厂商减产不及预期风险；下游复苏不及预期风险。 -31%-27%-23%-19%-15%-11%-7%-3%1%5%9%2023/3/62023/7/52023/11/32024/3/3电子沪深300 请务必阅读正文之后的免责声明部分 行业深度报告 东吴证券研究所 2 / 24 内容目录 1. 价格趋势：存储产品价格持续上涨，未来增长趋势明显 .............................................................. 4 1.1. 当前时点： DRAM/NAND/Wafer 价格持续上涨 .................................................................. 4 1.2. 未来趋势：存储产品缺货行情明显，涨价趋势有望延续..................................................... 6 1.2.1. DRAM：缺货行情引发价格上涨，产品转型亦拉动均价上涨.................................... 6 1.2.2. NAND： 供给端减产+需求端复苏，缺货行情促进量价齐升 .................................... 8 2. 海外市场追踪：23H2 行业需求回暖，未来 ASP 预计提升 ........................................................ 10 2.1. 当前时点：23H2 需求有所回暖，高价值产品出货增加扭转盈利 ..................................... 10 2.2. 未来趋势：产品合约价格上升，存储行业逐渐回暖........................................................... 12 3. 国内厂商表现：业绩不断改善，业绩拐点已现 ............................................................................ 14 4. 下游需求改善叠加新品需求提升，板块成长动能接力 ................................................................ 17 4.1. 智能设备出货量改善，需求广阔........................................................................................... 17 4.2. HBM 和 DDR5 渗透率提升，持续扩产 .................................................