能源电子月报：逆变器出口环比改善，碳化硅在800V车型中渗透加速

请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2023年12月28日能源电子月报逆变器出口环比改善，碳化硅在800V车型中渗透加速行业研究 · 行业月报 电子投资评级：超配（维持评级）证券分析师：胡剑证券分析师：胡慧证券分析师：叶子证券分析师：周靖翔联系人：连欣然021-60893306021-608713210755-81982153021-60375402010-88005482hujian1@guosen.com.cnhuhui2@guosen.com.cnyezi3@guosen.com.cnzhoujingxiang@guosen.com.cnlianxinran@guosen.com.cnS0980521080001S0980521080002S0980522100003S0980522100001证券研究报告 | 请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容能源电子月报：逆变器出口环比改善，碳化硅在800V车型中渗透加速l 新能源汽车：1-11月SiC模块渗透率为10.5%，11月主驱功率模块国产占比60.6%左右。整车情况：根据中汽协数据，我国11月新能源汽车单月销量102.6万辆(YoY+30.5%,MoM+7.3%)，插电式混动车型销量同比增加89.5%。主驱功率模块情况：根据NE时代数据，1-11月国内上险乘用车主驱功率模块国产占比约60.6%。碳化硅渗透情况：根据NE时代数据，1-11月国内上险乘用车主驱碳化硅模块渗透率约为10%，下半年800V车型中碳化硅渗透率显著提升：6-11月800V车型中碳化硅车型占比分别为15%/18%/29%/35%/39%/45%。l 充电桩：1-11月我国充电桩增量为305.4万台，其中公共充电桩增加82.8万台(YoY+41.8%)，随车配建私人充电桩增加222.6万台(YoY+27.4%)；新增桩车增量比为1:2.7。l 光伏逆变器：12月逆变器的价格趋于平稳，11月我国光储逆变器出口数量380.3万台，同比-30%，环比+22%，随海外库存情况改善出货量有所修复；光储逆变器出口金额5.6亿美元，同比-47%，环比+1%；光储逆变器出口均价147.3美元，同比-24%，环比-17%。l 功率器件交期：根据TTI，IGBT、低压MOSFET、高压MOSFET产品与小信号产品交期基本趋稳。投资建议：当前各公司业绩陆续触底，碳化硅加速渗透趋势明确。光伏逆变器进入环比改善区间，新能源汽车与充电桩保持稳定增长，碳化硅渗透逐步加速。相应地，IGBT模块、超结MOS等新能源应用为主的功率器件品类出货量进入环比改善区间，中低压功率器件随消费、工控与新能源需求恢复供货量逐步改善；但由终端价格传导与同行竞争带来的价格调整仍存在。在此背景下，随着国产化进入深水区，我们认为该阶段多品类突破、垂直产业链布局或横向全球化布局打开竞争空间的公司有望阶段性体现竞争优势，建议关注扬杰科技、时代电气、士兰微、斯达半导、东微半导、新洁能、华润微、宏微科技等相关公司。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容能源电子框架资料来源：英飞凌，国信证券经济研究所整理电网光伏/风电储能充电桩/电源/逆变器新能源汽车功率半导体变革逆变：直流-交流整流：交流-直流电流变频直流电压变换交流电压变换Si/SiC/GaN电力电子架构变革请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容数据中心与通信应用AC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETDC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFETAC-DC DC-DC MOSFET驱动力1：数据及计算电源大幅增加驱动力2：基站数量增加驱动力3：MIMO antenna升级，功率半导体用量x4倍驱动力4：雾计算（fog computing）数据中心为全新市场p 数据中心电源、基站与通信电源资料来源：英飞凌、国信证券经济研究所整理BoM及用量均增加单位功率提升倍数服务器增速功率增速 x1.3ü 用电功率指数级增长催生器件和封装的技术创新以解决电源效率和功率密度提升带来的挑战ü 功率半导体等器件增速为服务器增速约 1.3 倍AI Training & Networking功率半导体增量场景2021增量1：新能源：光储车桩增量2：数据中心及通信202420272030增量3：工业自动化功率半导体用量联系人：叶子19842617551IG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LYSISIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / discretesWafersIG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / dWafers核心功率器件为GaN器件、中低压SGT MOS及Dr MOS等资料来源：英飞凌，国信证券经济研究所整理等多家功率器件及PMIC厂商请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容新能源汽车应用车载充电器DC/DC 转换器座舱域电池逆变器交流输入高压直流输入低压充电桩电网（交流）（直流）驾驶域车载充电器（OBC）高压电池辅助电机（º）电机48 V低压电池逆变器转换器充电桩交流 直流新能源汽车-能量流整车类型•轻混动 MHEV•混动 HEV•插电混动 PHEV•纯电动 BEV•燃料电池汽车 FCEV系统封 装功率器件•主逆变器•升压变流器•DC-DC转换器•车载充电器•电池管理系统•模块•分立器件•Si MOSFET•Si IGBT•Si BJT•SiC MOSFET•GaN HEMT•PMICIG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYER A N A LYSISIG BT m arket business m odelsIGBT diesModules / discretesSyWafersIG BT m arket businessIGBT diesWafersIG BT SU PPLY C H A IN FO R EV/H EVIGBT diesInvN on-exhaustive listIGBT discretes / modulesFor a detailed technology and m arket analysis of EV/H EV, please refer to Yole’s“Power eleN D PLAYER A N A LYSISs m odelsModules / discretesSystems/converters(K rem ny)(Energom odul)(Z avod Iskra)主驱IGBT模块/IGBT单管超结MOS（OBC\DC-DC\充电桩）IG BT SU PPLY C H A IN A N D PLAYIG BT m arket business m odelsIGBT diesWafersIG BT S