半导体HBM专题报告：HBM需求增长强劲，新技术带来设备、材料端升级

请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明1半导体HBM 专题报告领先大市-A(维持)HBM 需求增长强劲，新技术带来设备、材料端升级2023 年 12 月 24 日行业研究/行业专题报告半导体板块近一年市场表现资料来源：最闻相关报告：【山证半导体】破晓钟声铺浩渺，AI 浪潮赋新篇——关注周期视角下的复苏迹象-山西证券半导体行业专题 2023.7.17分析师：高宇洋执业登记编码：S0760523050002邮箱：gaoyuyang@sxzq.com投资要点：存力已成 AI 芯片性能升级核心瓶颈，AI 推动 HBM 需求强劲增长。英伟达发布最新 AI 芯片 H200，内存配置明显提升，存储技术提升为 AI 性能提升的关键。HBM 作为基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈，GPU 性能提升推动 HBM 技术不断升级。算力驱动 AI 服务器出货量迅猛增长，叠加 GPU 搭载 HBM 数量提升和 HBM 容量与价值增长，全球 HBM 市场规模有望从 2023 年的 15 亿美元增至 2030 年的 576 亿美元，对应 2023-2030 的年复合增长率达 68.3%。HBM 量价齐升趋势已现，三大原厂积极扩产。龙头厂商海力士透露明年扩产 2 倍，公司采用最先进 10nm 技术扩大 2024 年产量，其中大部分增量由 HBM3e 填充，预计 2030 年 HBM 出货量有望达到每年 1 亿颗。三星、美光紧随其后，同样宣布大规模扩产。新技术 HBM3e、HBM4 等陆续推出，行业量价齐升。TSV 为 HBM 核心工艺，新技术带来设备、材料端升级。TSV 技术主要涉及深孔刻蚀、沉积、减薄抛光等关键工艺，多层堆叠结构提升工序步骤，带动量检测、键合等设备需求持续提升。HBM 芯片间隙采用 GMC 或 LMC填充，带动主要原材料 low-α球硅和 low-α球铝需求增长，同时电镀液、电子粘合剂、封装基板、压敏胶带等材料需求也将增加。投资建议：重点关注 HBM 产业链。材料端：神工股份、联瑞新材、华海诚科、雅克科技；设备端：赛腾股份、中微公司；封测端：通富微电、长电科技；经销商：香农芯创。风险提示：AIGC 发展不及预期；AI 服务器出货量不及预期；HBM 技术发展不及预期；设备和材料的国产替代不及预期。行业研究/行业专题报告请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明2目录1. 需求端：AI 推动 HBM 需求强劲增长.......................................................................................................................... 42. 供给端：HBM 加速迭代，三大原厂开启扩产潮.........................................................................................................63. HBM 产业链：TSV 是关键，材料设备需求持续提升...............................................................................................103.1 TSV 是 HBM 核心工艺.............................................................................................................................................103.2 HBM 多层堆叠结构驱动材料设备需求持续提升.................................................................................................. 114. 建议关注......................................................................................................................................................................... 134.1 材料端....................................................................................................................................................................... 134.2 设备端....................................................................................................................................................................... 154.3 封测端....................................................................................................................................................................... 164.4 经销商....................................................................................................................................................................... 185. 风险提示......................................................................................................................................................................... 18图表目录图 1： HBM 内部结构图.....................................................................................................................................................4图 2： GDDR5 与 HBM 重要指标对比..........................................