2025年年度报告摘要

西安奕斯伟材料科技股份有限公司2025 年年度报告摘要公司代码：688783公司简称：西安奕材西安奕斯伟材料科技股份有限公司2025 年年度报告摘要西安奕斯伟材料科技股份有限公司2025 年年度报告摘要第一节 重要提示1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。2、 重大风险提示公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”。3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。4、 公司全体董事出席董事会会议。5、 毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利√是 □否报告期内，公司实现产量 859.02 万片，较上年增长 33.55%，销量 807.37 万片，较上年同期增长 29.08%，实现营业收入 264,922.46 万元，较上年同期增长 24.88%，主要受新工厂产能爬坡导致转固折旧尚未被充分摊薄、持续高强度研发投入及市场增长传导的滞后性，综合导致公司尚未实现盈利，其中：报告期内，归属于母公司股东的净利润为-73,817.08 万元，与上年基本持平，归属于母公司股东的扣除非经常性损益后的净利润为-80,933.75 万元，较上年亏损扩大 6.14%，截至报告期末，归属于母公司股东的未弥补亏损为 266,567.72 万元。外部市场方面，根据 SEMI 最新发布的硅片行业年终分析报告，2025 年全球硅片出货面积同比增长 5.8%，销售额同比下降 1.2%。虽然数据中心与 AI 等领域投资维持高位，先进制程细分市场需求旺盛，但下游需求向硅片环节传导存在一定滞后性；另一方面，汽车、工业及消费电子等传统应用仍处于库存调整阶段，整体供需关系尚未显著改善；加之国内硅片厂扩产产能集中释放，12 英寸硅片竞争加剧，产品价格阶段性承压。内部经营方面，受到客户产能释放节奏、半导体硅片产品认证周期等因素影响，公司产品结构尚需进一步优化，报告期内公司正片（不含高端测试片）占主营业务收入比例约为 60%，正片占比尤其是应用于逻辑芯片的外延片产品占比尚需进一步提升。此外，公司上市募投项目即第二工厂总投资约 125 亿元，处于产能爬坡阶段，截至报告期末已具备 20 万片/月产能，较规划产能尚未完全释放，固定资产折旧等固定成本未能实现有效摊薄，规模效应暂未充分显现；加之公司为保障核心竞争力，报告期研发投入 28,515.26 万元，占营业收入比例 10.76%，持续维持较高强度的研发投入。多重因素共同导致报告期内公司业绩亏损。值得关注的是，公司报告期实现经营性现金流净流入 40,469.57 万元，持续保持现金流净流入，具备良好的可持续经营能力。西安奕斯伟材料科技股份有限公司2025 年年度报告摘要7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经审计，2025年度归属于上市公司股东的净利润为-73,817.08万元，母公司净利润为-12,025.59万元。截至报告期末，母公司未分配利润为-61,618.55万元。鉴于公司母公司报告期末未分配利润为负数，因此公司2025年度不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以资本公积金转增股本。上述利润分配预案已经公司第一届董事会第十七次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。母公司存在未弥补亏损√适用 □不适用由于母公司存在未弥补亏损，2025年度拟不进行利润分配。8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用第二节 公司基本情况1、 公司简介1.1 公司股票简况√适用 □不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所科创板西安奕材688783不适用1.2 公司存托凭证简况□适用 √不适用1.3 联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名杨春雷赵润欣联系地址陕西省西安市高新区西沣南路1888号陕西省西安市高新区西沣南路1888号电话029-6827 8899（分机号：6927）029-6827 8899（分机号：6927）传真029-6827 8899（分机号：6535）029-6827 8899（分机号：6535）电子信箱ir@eswinsi.comir@eswinsi.com2、 报告期公司主要业务简介2.1 主要业务、主要产品或服务情况硅片是芯片制造的“地基”，其性能和供应能力直接影响半导体产业链的竞争力，根据 SEMI西安奕斯伟材料科技股份有限公司2025 年年度报告摘要统计，12 英寸硅片贡献了 2025 年全球所有规格硅片出货面积 78.8%，系最主流规格的硅片，尤其是 AI 时代需要更强的数据算力、更快的数据传输、更大的数据存储和更灵敏的人机交互，而用于实现前述功能的市场最主流逻辑和存储芯片（一般 90nm 工艺制程以下）以及部分高端模拟和传感器芯片均采用 12 英寸晶圆制造工艺，12 英寸晶圆产能是全球晶圆厂扩产的主流方向，未来 12 英寸硅片全球出货面积占比将持续提升。公司专注于 12 英寸硅片的研发、制造和生产，产品广泛应用于消费电子、汽车制造、AI 等领域所需要的存储芯片、逻辑芯片、图像传感器、显示驱动芯片、电源管理芯片及 IGBT、Power MOSFET 等功率器件领域。从下游用途来看，可进一步分为用于芯片制造的正片、用于芯片制造设备调试和检测的测试片。其中，正片分为抛光片、外延片。公司当前主要布局用于存储芯片和逻辑芯片制造的抛光片和外延片，该等产品系市场主流，约占 12 英寸硅片市场 75%份额，正在开拓布局细分市场领域。1、抛光片抛光片根据掺杂元素不同，可进一步分为 P 型轻掺抛光片、N 型轻掺抛光片，其中：（1）P 型轻掺抛光片采用硼元素轻掺工艺，具有苛刻的晶体缺陷和纳米形貌等参数要求，主要应用于 DRAM、NAND Flash 等存储芯片的制造。公司系国内头部存储芯片厂商全球 12 英寸硅片厂商中供货量第一或第二大的供应商，同时持续向海外头部存储芯片厂商量产供应及新品导入。（2）N 型轻掺抛光片采用磷元素轻掺工艺，具备高电阻率、低氧含量、低缺陷密度的核心特性。作为功率 IGBT 器件的核心衬底材料，该产品可助力芯片实现高效能的电能转换与控制，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、工业变频器等对功率密度和可靠性要求严苛的领域。公司持续优化晶体生长控制系统，成功开发出低氧含量、低晶体原生缺陷密度且电阻率范围可调的 N 型轻掺抛光片。公司第二工厂新增布局该细分领域，报告期内相关产品开发完成并通过下游客户验证。2、外延片外延片根据掺杂元素不同，可进一步分为 P 型轻掺外延片、P 型重掺外延片、N 型重掺外延片。其中：（1）P 型轻掺外延片是在 P 型轻掺抛光片基础上采用化学气相沉积技术生长一层外延层，主要应用于 CPU\GPU\手机 SOC\嵌入式 MCU 为代表的逻辑芯片制造，以及部分存储芯片、显示驱动芯片等，逻辑芯片对 P 型轻