电子行业专题研究：算力瓶颈加速突破，HBM确立算力时代核心中枢地位

行业研究 / 电子 / 证券研究报告 挖掘价值 投资成长 电子行业专题研究 算力瓶颈加速突破，HBM 确立算力时代核心中枢地位 2026 年 03 月 04 日 【投资要点】  算力平台加速迭代，HBM 确立 AI 时代高端存储底座地位。HBM 需求持续高景气，2026 年在先进制程中的投片占比预计提升至 35%，HBM4 位宽升级至 2048bit、单栈带宽迈向 2TB/s，叠加 H200 实现4.8TB/s 带宽与 141GB 容量，高带宽与高集成优势持续放大单卡价值量与系统算效，HBM 正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节；技术壁垒叠加产能爬坡，产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。当前 HBM 良率约 50%-60%、生产周期长达两个季度，三大原厂主导格局下 2025-2026 年高端产能持续紧平衡，在代际升级与供给约束双重作用下，HBM 业绩有望在 2026 年前后进一步释放。  算力需求共振释放，HBM 确立 AI 训练与推理阶段不可替代的核心存储底座地位。受 2025 年全球 AI 基础设施持续扩张驱动，HBM 市场规模预计突破 250 亿美元，2025Q2 三大原厂合计占据全球 DRAM 约94%份额，其中 HBM 领域出货集中度更高，2025Q2 SK 海力士出货占比约 62%，在供给紧平衡与库存偏紧背景下，HBM 价格中枢维持高位，成为拉动存储行业进入新一轮上行周期的关键变量；代际升级加速推进，HBM4 打开成长空间。2025 年 HBM4 完成量产导入并于 2026年进入放量阶段，接口位宽由 1024 位提升至 2048 位、带宽目标超过2TB 每秒，单价较 HBM3E 提升 50%以上，叠加头部厂商将超过 20%的 DRAM 产线转向 HBM 生产、2026 年产能较 2023 年实现数倍增长，在技术壁垒与资本开支双重加持下，HBM 正重塑全球存储竞争格局并释放中长期业绩弹性。  龙头加速迭代升级，HBM4 开启高端存储新一轮周期。2025 年至 2026年间，SK 海力士、美光、三星围绕 HBM4 密集推进量产与客户导入，单堆栈带宽由 HBM3E 阶段约 1TB/s 提升至约 2TB/s，容量扩展至48GB 及以上，HBM4 单价较 HBM3E 提升约 50%，其中 SK 海力士率先完成 HBM4 开发并进入出货节奏，巩固其全球领先地位，龙头凭借技术与产能优势在高端 AI GPU 供应链中强化议价能力与盈利弹性；技术路线分化叠加定制化趋势兴起，头部厂商构筑差异化竞争壁垒。美光规划 2026 年量产 HBM4 并推进 HBM4E 研发，引入可定制逻辑基础芯片强化与下一代 AI 加速器适配能力，三星 HBM3E 已获 NVIDIA认证并计划 2026 年量产 HBM4，在 AI 服务器与数据中心需求高景气背景下，全球 HBM 产能与技术能力高度集中于三大厂商，行业集中度与进入壁垒同步抬升，或将推动存储龙头在 2026 年前后迎来业绩与估值双升窗口。 强于大市（维持） 东方财富证券研究所 证券分析师：向心韵 证书编号：S1160523100001 联系人：赵阳 联系人：刁睿稼 相对指数表现 相关研究 《英伟达预告 Arm 芯片，国产算力产业链持续看好》 2026.02.10 《模拟芯片涨价 30%，国产算力产业链持续看好》 2026.02.04 《英特尔 Q4 财报公布，国产算力产业链持续看好》 2026.01.27 《存储芯片报告：制程升级叠加需求扩容，存储产业链高弹性周期再启》 2026.01.27 《车载 SoC 报告：智能驾驶算力跃迁加速兑现，国产化生态驱动车规芯片结构性放量》 2026.01.23 -20%-4%12%28%44%60%2025/32025/92026/3电子沪深300 电子行业专题研究 敬请阅读本报告正文后各项声明 2  设备封测协同突破，HBM 国产链条加速补位释放业绩弹性。2025 年前三季度中微公司营收达 80.63 亿元同比增长 30%以上、归母净利润同比+32.64%，刻蚀与薄膜设备向 10 纳米及以下先进制程延伸并支撑 HBM 相关 DRAM 制造；华天科技2025 年前三季度收入 123.80 亿元同比+17.55%、归母净利润同比+51.98%，通富微电同期收入 201.16 亿元同比+17.77%、归母净利润同比+55.74%，HBM 封装良率普遍达 98%以上，叠加长电科技 2024 年营收 359.62 亿元同比+21.24%并取得HBM3E 封测订单，显示 2025 至 2026 年在 AI 算力与 HBM 放量背景下，封测与设备环节盈利修复与国产替代逻辑同步强化；平台化存储与系统级创新共振，HBM时代基础存储能力构筑第二增长曲线。江波龙 2024 年营收同比高增 72.48%，2025年前三季度营收同比+26.12%、归母净利润同比+28.01%，2025H1 存储产品收入101.95 亿元占比 99.99%，推出集成封装 mSSD 并布局 CXL2.0 与企业级 SSD，在 HBM 加速渗透及 AI 服务器需求扩张趋势下，通过定制化与封装形态创新提升系统集成效率与客户黏性，或将增加 2025 至 2026 年高带宽存储平台业绩。 【配置建议】  推荐关注国产存储芯片相关厂商在国产化替代趋势下的投资机会，重点包括：存储设备、存储产品平台化、存储封装技术体系、高端 HBM 封测以及国产 HBM 产业链补位等核心方向，建议关注中微公司、江波龙、华天科技、通富微电、长电科技。 【风险提示】  HBM 需求波动与 AI 算力投资节奏不及预期风险：HBM 需求高度依赖 AI 服务器、数据中心及高端 GPU 资本开支，若全球宏观经济波动、云厂商与互联网巨头算力投资放缓，或 AI 训练与推理商业化进展低于预期，HBM 出货增速与价格中枢可能阶段性承压，产业链景气度存在回落风险。  技术迭代与良率爬坡不及预期风险：HBM3E 向 HBM4 演进过程中，对 DRAM 制程、TSV 良率及 CoWoS 等先进封装提出更高要求，若关键工艺良率提升不达预期，或新规格认证周期拉长，可能影响产品放量节奏，压制厂商盈利能力与估值弹性。  行业集中度高与竞争加剧风险：当前 HBM 市场由 SK 海力士、三星、美光为主导，若头部厂商加速扩产、通过价格策略抢占份额，或新进入者技术突破超预期，可能打破紧供给格局，导致 HBM 价格与毛利率出现波动。  政策与产业链安全不确定性风险：HBM 高度依赖全球半导体设备、材料与先进封装协同，若国际贸易环境变化、出口管制升级或产业政策调整超预期，可能对关键设备、EDA 工具及下游客户拓展产生不利影响，进而扰动 HBM 产业链国产化推进节奏。 敬请阅读本报告正文后各项声明 3 电子行业专题研究 正文目录 1. AI 算力需求爆发式增长，高带宽存储 HBM 确立高端算力底座地位 .......... 5 1.1. AI 算力持续扩张，HBM 引领存储芯片迈向高带宽高集成新阶段 ............ 5 1.2.算力